Vishay推出的新款對稱(chēng)雙通道MOSFET 可大幅節省系統面積并簡(jiǎn)化設計
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美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計算和通信應用功率轉換，在提高能效的同時(shí)，減少元器件數量并簡(jiǎn)化設計。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202302/442870.htm
日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1212封裝分立器件，節省50%基板空間，同時(shí)占位面積比PowerPAIR 6x5F封裝雙片MOSFET減小63%。MOSFET為USB-C電源筆記本電腦、服務(wù)器、直流冷卻風(fēng)扇和通信設備同步降壓轉換器、負載點(diǎn)（POL）轉換電路和DC/DC模塊設計人員提供節省空間解決方案。這些應用中，SiZF5302DT高低邊MOSFET提供了50%占空比和出色能效的優(yōu)質(zhì)效果，特別是在1 A到4 A電流條件下。而SiZF5300DT則是12 A到15 A重載的理想解決方案。
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實(shí)現優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導通電阻分別為2.02 mW和2.93 mW，SiZF5302DT相同條件下導通電阻分別為2.7 mW和4.4 mW。兩款MOSFET 4.5 V條件下典型柵極電荷分別為9.5 nC和 6.7 nC。超低導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET功率轉換應用重要優(yōu)值系數（FOM），比相似導通電阻的前代解決方案低35 %。高頻開(kāi)關(guān)應用效率提高2%，100 W能效達到98%。
與前代解決方案對比
器件采用倒裝芯片技術(shù)增強散熱能力，獨特的引腳配置有助于簡(jiǎn)化PCB布局，支持縮短開(kāi)關(guān)回路，從而減小寄生電感。SiZF5300DT和SiZF5302DT經(jīng)過(guò)100% Rg和UIS測試，符合RoHS標準，無(wú)鹵素。
器件規格表：
SiZF5300DT和SiZF5302DT 現可提供樣品并已量產(chǎn)。
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