EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
NXP發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝全系列汽車(chē)功率MOSFET
- 恩智浦半導體(NXP?Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以L(fǎng)FPAK為封裝(一種緊湊型熱增強無(wú)損耗的封裝)全系列汽車(chē)功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢和經(jīng)驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管)被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車(chē)應用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 隨著(zhù)對電子應用不斷增長(cháng)的消費需求，汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET LFPAK
飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱(chēng)、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET DC-DC
飛兆半導體和英飛凌科技達成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩定性，同時(shí)滿(mǎn)足對同級最佳的DC-DC轉換效率和熱性能的需求。這項協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專(zhuān)業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應用提供非對稱(chēng)、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
今年二季度半導體元件價(jià)格漲幅將超10%
- 據來(lái)自IC分銷(xiāo)渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)和DRAM在內的大部分半導體元件供應比較緊張，但是由于代工廠(chǎng)已經(jīng)在滿(mǎn)負荷運行，預計短期內這種情況不會(huì )得到緩解。 據臺灣媒體報道，消息人士指出，預計在今年第二季度，半導體元件的價(jià)格漲幅將超過(guò)10%。在第一季度中，其價(jià)格已經(jīng)平均提高了5-10%。 另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價(jià)格漲幅最大，在今年余下幾個(gè)月中，
- 關(guān)鍵字： PWM MOSFET DRAM
設計更高能效、極低EMI準諧振適配器
- 準方波諧振轉換器也稱(chēng)準諧振(QR)轉換器，廣泛用于電源適配器。準方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達到其最低值時(shí)導通，從而減小開(kāi)關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號。 準諧振轉換器采用不連續導電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級電感(Lp)與節點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構成諧振網(wǎng)絡(luò )，Lp與C
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
PI 推出創(chuàng )新的雙端子CAPZero系列IC
- 用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng )新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿(mǎn)足各項安全標準。 X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過(guò)濾EMI噪聲。由于它們可以在A(yíng)C斷電后長(cháng)時(shí)間貯存高壓電能，因此會(huì )構成安全威脅。電阻通常用于對這些電容進(jìn)行放電，以便滿(mǎn)足安全要求;但這些電阻會(huì )在A(yíng)C接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機輸入功耗的重要因素。 CAPZero與放電電容串聯(lián)
- 關(guān)鍵字： PI CAPZero MOSFET
IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開(kāi)關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開(kāi)
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET 芯片組
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
- 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 肖特基二極管
IR 推出具有低導通電阻的汽車(chē)用 MOSFET 系列
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出首款汽車(chē)專(zhuān)用 MOSFET 系列，適用于需要低導通電阻的各種應用，包括電動(dòng)助力轉向系統 (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制、DC-DC 轉換、電池開(kāi)關(guān)，以及內燃機 (ICE) 和混合動(dòng)力汽車(chē)平臺的其它重載應用。 新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
GaN功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)，2013年市場(chǎng)規模達1.8億
- 美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)的調查報告)。報告顯示，2010年的市場(chǎng)規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場(chǎng)規模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線(xiàn)通信設備等方面的應用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
飛兆半導體液晶電視解決方案簡(jiǎn)化設計并減少元件數目
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現今使用的傳統解決方案，可為設計人員提供顯著(zhù)優(yōu)勢，最近的創(chuàng )新技術(shù)能夠減少元件數目，簡(jiǎn)化設計，并進(jìn)一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。 通過(guò)技術(shù)進(jìn)步，飛兆半導體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進(jìn)一步優(yōu)化設計，具有35ns~65ns的同類(lèi)最佳反向恢復時(shí)間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設計使用MOSFET和半橋電路中的兩個(gè)快速恢
- 關(guān)鍵字： Fairchild 液晶電視 MOSFET
氮化鎵電源管理芯片市場(chǎng)將快速增長(cháng)
- 據iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機和有線(xiàn)通訊領(lǐng)域的快速增長(cháng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導體市場(chǎng)到2013年預計將達到1.836億美元，而2010年實(shí)際上還幾乎一片空白。 GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學(xué)實(shí)驗階段進(jìn)入商業(yè)化階段。該技術(shù)對于供應商來(lái)說(shuō)是一個(gè)有吸引力的市場(chǎng)機會(huì )，它可以向它們的客戶(hù)提供目前半導體工藝材料可能無(wú)法企及的性能。 iSuppli公司認為，在過(guò)去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導體領(lǐng)域中大有前途的新星。 首先，硅在
- 關(guān)鍵字： iSuppli MOSFET 電源管理芯片
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
碳化硅(sic)mosfet電路
碳化硅(sic)mosfet相關(guān)帖子
碳化硅(sic)mosfet資料下載
碳化硅(sic)mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473