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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過(guò)功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關(guān)UIS (UIL)數據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數功率MOSFET數據表還包含一個(gè)UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET UIS
看懂MOSFET數據表，第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數據表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數很顯眼，也一目了然，其它的一些參數會(huì )十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數自始至終就毫無(wú)用處(比如說(shuō)：開(kāi)關(guān)時(shí)間)。在這個(gè)即將開(kāi)始的博文系列中，我們將試著(zhù)破解FET數據表，這樣的話(huà)，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應用來(lái)說(shuō)，是最常見(jiàn)的數據，而不會(huì )被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來(lái)更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀80年代中期在MOSFET 數據表中廣泛使用的以來(lái)，無(wú)鉗位電感開(kāi)關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
- 關(guān)鍵字： MOSFET UIS
電源應用中場(chǎng)效應晶體管的崩潰效應
- 前言： 在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場(chǎng)效應晶體管當作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。在設計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來(lái)越高。如此會(huì )造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應加諸于場(chǎng)效應晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì )更加明顯。尤其在電源開(kāi)機的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì )達到最大值。這是由于變壓器一次側電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容
- 關(guān)鍵字： 電源 場(chǎng)效應晶體管 SMPS UIS 崩潰效應
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