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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
2009年度電源產(chǎn)品獎評選結果揭曉
- 2010年6月8日，由中國電子技術(shù)權威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評選”活動(dòng)在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì )”舉行了頒獎典禮。社長(cháng)陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結果，中國電源學(xué)會(huì )常務(wù)理事長(cháng)李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠(chǎng)商代表進(jìn)行頒獎。本次活動(dòng)中共收到來(lái)自近20家國內外電源廠(chǎng)商提交的五大類(lèi)別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專(zhuān)家測評最終的分別選出最佳創(chuàng )新獎和最佳應用獎獲獎產(chǎn)品，另外還同時(shí)從所有參選產(chǎn)品中特別評選出了兩款綠色電源獎產(chǎn)品獎。
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET LED驅動(dòng)
晶圓代工漲15% 模擬IC點(diǎn)頭
- 包括德儀、 英飛凌、國家半導體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠(chǎng)，開(kāi)出高于業(yè)界水平價(jià)格，包下 臺積電、 聯(lián)電、世界先進(jìn)等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問(wèn)題，已對立锜、致新等臺灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應。為了避免下半年旺季時(shí)無(wú)貨可出，臺灣業(yè)者只能松口答應調漲代工價(jià)10%至15%不等幅度，以便爭取到更多產(chǎn)能。 下半年將進(jìn)入手機及計算機銷(xiāo)售旺季，不論市場(chǎng)是否對市場(chǎng)需求有所疑慮，但業(yè)界仍認為旺季仍會(huì )有旺季應有表現，至少第3季的手機、筆電、消費性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
- 關(guān)鍵字： 飛思卡爾 MOSFET 模擬IC
iSuppli：部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長(cháng)至20周
- 市場(chǎng)研究機構iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內存與電源管理IC 出現嚴重缺貨現象，導致價(jià)格上揚與交貨期延長(cháng)至“令人擔憂(yōu)的程度”。“當交貨期來(lái)到20周左右的水平，意味著(zhù)零組件供應端與需求端出現了很大的差異;”追蹤半導體與零組件價(jià)格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。 當零組件供應端出現吃緊情況，對照目前正處于復蘇狀態(tài)的市場(chǎng)，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場(chǎng)與價(jià)格也激化各種零組件領(lǐng)域出現不同程度的短缺。根據iSu
- 關(guān)鍵字： 電源管理 MOSFET
IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現基準性能，適用于網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應用提供
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET
IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。 新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現基準性能，適用于網(wǎng)絡(luò )和電信設備的DC-DC轉換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機驅動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應用提供
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET
英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列
- 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現代超級結(SJ)器件的優(yōu)勢(如低導通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；谕瑯拥募夹g(shù)平臺，C6器件針對易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。 CoolMOS™ C6/E6是來(lái)自英飛凌的第六代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓超級結功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開(kāi)關(guān)性能，
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolMOS MOSFET
TI推出可在25A電流下實(shí)現超過(guò)90%高效率的同步MOSFET半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級封裝將 2 個(gè)非對稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實(shí)現高性能。更多詳情，敬請訪(fǎng)問(wèn)：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 NexF
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
Vishay發(fā)布助客戶(hù)進(jìn)一步節約器件占位空間和系統成本的解決方案的視頻教程
- 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節省DC-DC轉換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對稱(chēng)功率MOSFET解決方案。 傳統上，設計者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機，以及工業(yè)系統的DC-DC轉換中實(shí)現系統電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉換
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DC-DC 轉換器
英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列
- 英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數校正)級或PWM(脈寬調制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內的補償器件的優(yōu)勢，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結實(shí)耐用的增強型體二極管。 C6系列是英飛凌推
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET CoolMOS C6
飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設計人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650
TI 推出一款同步 MOSFET 半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級封裝將 2 個(gè)非對稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點(diǎn) (POL) 轉換器等低電壓同步降壓半橋應用實(shí)現高性能。 NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET
Vishay改進(jìn)ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶(hù)友好度。 Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進(jìn)行細致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線(xiàn)MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。 設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
- 關(guān)鍵字： Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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