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碳化硅(sic)mosfet
碳化硅(sic)mosfet 文章 進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區
NXP 推出全新60 V和100 V晶體管
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors)今天宣布推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)。新產(chǎn)品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作電壓。Trench 6芯片技術(shù)和高性能LFPAK封裝工藝的整合賦予新產(chǎn)品出色的性能和可靠性，為客戶(hù)提供眾多實(shí)用價(jià)值。 LFPAK是一種“真正”意義上的功率封裝，通過(guò)優(yōu)化設計實(shí)現最佳熱/電性能、成本優(yōu)勢和可靠性。LFPAK是汽車(chē)行業(yè)標準AEC-Q101唯一認可的
- 關(guān)鍵字： NXP 晶體管 MOSFET
安森美半導體擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET系列
- 應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導體經(jīng)過(guò)完備測試的N溝道功率MOSFET提供高達500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負載引致過(guò)渡電壓應力的設計。 安森美半導體這些100 V功率MOSFET器件的典型應用包括工業(yè)電機控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車(chē)中的直接燃氣噴射(DGI)。這些無(wú)鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規范特性包括：
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET
Maxim推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動(dòng)器
- Maxim推出用于高壓系統的高邊MOSFET驅動(dòng)器MAX15054。該器件能夠為需要采用降壓或升降壓拓撲結構、但不帶必需的高邊MOSFET驅動(dòng)器的HB (高亮度) LED設計提供低成本方案。MAX15054在單串和多串LED驅動(dòng)器中通過(guò)使用降壓以及單電感升降壓拓撲結構，并將地電位作為輸出電壓的參考點(diǎn)，從而使設計人員避免了采用SEPIC結構帶來(lái)的成本和設計復雜度。 MAX15054可提供2A驅動(dòng)電流，具有極低(12ns，典型值)的傳輸延時(shí)和較短的上升、下降時(shí)間。器件的雙UVLO (欠壓鎖定)功能保
- 關(guān)鍵字： Maxim 驅動(dòng)器 MOSFET MAX15054
Linear 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4449
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4449，該器件為在同步整流轉換器拓撲中驅動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET 而設計。這個(gè)驅動(dòng)器結合凌力爾特公司的 DC/DC 控制器和功率 FET 可形成一個(gè)完整的高效率同步穩壓器，該穩壓器可用作降壓型或升壓型 DC/DC 轉換器。 LTC4449 在 4V 至 6.5V 范圍內驅動(dòng)高端和低端 MOSFET 柵極，以高達 38V 的電源電壓工作。這個(gè)強大的驅動(dòng)器可以吸收
- 關(guān)鍵字： Linear MOSFET 驅動(dòng)器 LTC4449
RS添加超過(guò)900種飛兆半導體裝置
- RS Components于今日宣布，增加飛兆半導體900種新裝置，飛兆是全球領(lǐng)先節能半導體技術(shù)供應商。RS目前擁有最先進(jìn)、最全面的飛兆電源產(chǎn)品系列，均可從庫存直接發(fā)貨至廣大設計工程師。 新添加的電源IC家族包括飛兆獲得大獎的直流直流控制器，融合了領(lǐng)先行業(yè)的便攜式裝置高功率、高性能、功率密度和規格等特點(diǎn)。RS推出的飛兆系列也包括Intellimax™負荷開(kāi)關(guān)和MOSFET、高性能光耦合器、二極管、IGBT、邏輯及接口產(chǎn)品。 飛兆的FAN2XXX和FAN5XXX直流直流控制器家族
- 關(guān)鍵字： RS 電源 IGBT MOSFET Intellimax
IR 推出適用于汽車(chē)的 DirectFET 2 功率 MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天推出適用于汽車(chē)的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET®2 功率 MOSFET。這兩款產(chǎn)品以堅固可靠、符合AEC-Q101標準的封裝為汽車(chē)應用實(shí)現了卓越的功率密度、雙面冷卻和極小的寄生電感和電阻。 IR 的這些首款汽車(chē)用 DirecFET2 件完全不含鉛，與傳統標準塑料封裝元件相比，可降低整體系統級尺寸和成本，實(shí)現更優(yōu)異的性能和效率。 IR 亞洲區銷(xiāo)售副總裁潘大偉
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET AUIRF7739L2 AUIRF7665S2 DirectFET
英飛凌推出200V和250V OptiMOS系列器件
- 英飛凌科技股份公司近日宣布推出200V和250V OptiMOSTM系列器件，進(jìn)一步擴大OptiMOSTM產(chǎn)品陣容。全新200V和250V器件適用于48V系統、DC/DC變換器、不間斷電源(UPS)和直流電機驅動(dòng)。憑借同類(lèi)器件中最低的優(yōu)質(zhì)化系數(FOM)，OptiMOS 200V和250V技術(shù)可使系統設計的導通損耗降低一半。 對于應用二極管整流的48V開(kāi)關(guān)電源而言，工程師們現在有了全新的選擇，從而使得整體效率大于95%。這比當前典型的效率水平高出兩個(gè)百分點(diǎn)，從功率損耗的角度看，也就是發(fā)熱量降
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS
TI 推出通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于各種
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET
晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能不足 MOSFET供貨警報響
- 臺晶圓代工廠(chǎng)產(chǎn)能供應失序情形，近期已逐漸從8寸晶圓向下蔓延到5寸及6寸晶圓，包括LCD驅動(dòng)IC及電源管理IC紛向下?lián)寠Z5寸、6寸晶圓產(chǎn)能動(dòng)作，讓許久未傳出缺貨的金屬氧化物半導體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)亦出現客戶(hù)一直緊急追單，MOSFET市場(chǎng)明顯供不應求現象，對臺系相關(guān)供應商如富鼎、尼克森及茂達2010年第1季營(yíng)收表現，將有顯著(zhù)貢獻。 臺系MOSFET供應商指出，近期合作的5寸、6寸晶圓廠(chǎng)內部產(chǎn)能利用率直線(xiàn)拉升，影響所及，盡管公司緊急向晶圓廠(chǎng)加單，不過(guò)，由于加單動(dòng)作明顯落后其它業(yè)者，未來(lái)3個(gè)月可
- 關(guān)鍵字： 晶圓代工 電源管理 MOSFET
TI 推出面向高電流 DC/DC 應用的功率MOSFET
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應用推出業(yè)界第一個(gè)通過(guò)封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品，DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設備的尺寸，同時(shí)還可將MOSFET允許的電流提高 50%，并改進(jìn)散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統設計人員使用具有擴充內存及更高電流的處理器，同時(shí)顯著(zhù)節省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字： TI MOSFET DualCool NexFET
Vishay推出12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款12V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- SiB455EDK。該器件采用熱增強的PowerPAK® SC-75封裝，占位面積為1.6mm x 1.6mm，具有業(yè)內P溝道器件最低的導通電阻。 SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對準工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現了超精細、亞微米的節距工藝，將業(yè)內
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條碳化硅(sic)mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解，并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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