MOSFET與MOSFET驅動(dòng)電路原理及利用

　下面是我對MOSFET及MOSFET驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng )。包含 MOS管的推選 ，特征，驅動(dòng)以及運用 電路?！?br />　　在運用 MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )思慮 MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有許多人僅僅思慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設計也是不準許的。
　　1、MOS管種類(lèi)和結構
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類(lèi)型，但實(shí)際運用 的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。

　　至于為什么不運用耗盡型的MOS管，不建議刨根問(wèn)底。
　　對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原由是導通電阻小且基本 制造。所以開(kāi)關(guān)電源和馬達驅動(dòng)的運用 中，通常都用NMOS。下面的推選 中，也多以NMOS為主。
　　在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個(gè)寄生二極管。這個(gè)叫體二極管，在驅動(dòng)感性負載(如馬達)，這個(gè)二極管很主要。順便說(shuō)一句，體二極管只在單個(gè)的MOS管中存在，在集成電路芯片內部通常是沒(méi)有的。下圖是MOS管的構造圖，通常的原理圖中都畫(huà)成右圖所示的樣子?！?(柵極保衛用二極管有時(shí)不畫(huà))


MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，如右圖所示。這不是咱們須要的，而是由于制造工藝限定產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或挑選驅動(dòng)電路的時(shí)候要麻煩一些，但沒(méi)有方法防止，在MOS管的驅動(dòng)電路設計時(shí)再細致推選 。

　　2、MOS管導通特征
　　導通的意思是作為開(kāi)關(guān)，相當于開(kāi)關(guān)上合。
　　NMOS的特征，Vgs大于必須的值就會(huì )導通，適合用于源極接地時(shí)的情況(低端驅動(dòng))，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。
　　PMOS的特征，Vgs小于必須的值就會(huì )導通，運用與源極接VCC時(shí)的情況(高端驅動(dòng))。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動(dòng)，但由于導通電阻大，價(jià)錢(qián)貴，替換種類(lèi)少等原由，在高端驅動(dòng)中，通常還是運用 NMOS。