安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
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應用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N(xiāo)溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/107806.htm
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優(yōu)化，達致更高電源能效。典型門(mén)電荷(在4.5 V門(mén)極-源極電壓(Vgs)時(shí))規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開(kāi)關(guān)損耗也保持最低。
安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用于服務(wù)器、電信網(wǎng)絡(luò )設施、個(gè)人計算機(PC)、筆記本電腦及游戲機的直流-直流(DC-DC)轉換、負載點(diǎn)(POL)轉換及低端開(kāi)關(guān)操作。
安森美半導體功率MOSFET業(yè)務(wù)部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“集成肖特基二極管借助于集成在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區時(shí)間導電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的器件為客戶(hù)提供更寬陣容的產(chǎn)品及方案，解決他們獨特的設計挑戰。”
封裝及價(jià)格
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些器件每10,000片批量的價(jià)格為0.45美元至0.90美元。
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