GaN功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)，2013年市場(chǎng)規模達1.8億
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時(shí)間：2010-04-06
來(lái)源：LED環(huán)球在線(xiàn)
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美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導體市場(chǎng)將迅速增長(cháng)的調查報告)。報告顯示，2010年的市場(chǎng)規模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠(chǎng)商將以替代現有功率MOSFET的方式，不斷擴大市場(chǎng)規模。iSuppli預測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機及有線(xiàn)通信設備等方面的應用將取得進(jìn)展。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/107646.htm目前，GaN功率半導體正處于在研究室評測階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉換效率。所以，全面開(kāi)始商用化之后，市場(chǎng)規模將快速擴大。目前已開(kāi)始GaN功率半導體商用化的企業(yè)包括美國國際整流器公司(IR)及美國EfficientPower Conversions(EPC)。IR在POL(point ofload)轉換器用多芯片模塊上采用了GaN功率半導體。而EPC已開(kāi)始銷(xiāo)售GaN功率半導體單品。
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