碳化硅 mosfet 文章進(jìn)入碳化硅 mosfet技術(shù)社區

滿(mǎn)足市場(chǎng)對下一代碳化硅器件的需求

一些新出現的應用使地球的未來(lái)充滿(mǎn)了激動(dòng)人心的可能性，但同時(shí)也是人類(lèi)所面臨的最大技術(shù)挑戰之一。例如，雖然太陽(yáng)能可以提供無(wú)限的能源，但要想成功商業(yè)化，設計人員必須提供更高的功率和效率，同時(shí)不增加成本或尺寸。在汽車(chē)領(lǐng)域，目前電動(dòng)汽車(chē) (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎設施、充電所需時(shí)間和續航里程有限等問(wèn)題，電動(dòng)汽車(chē)的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設計人員面臨的挑戰包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動(dòng)力總成的尺寸和重量，包括主驅逆變器和車(chē)載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
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通過(guò)碳化硅(SiC)增強電池儲能系統

電池可以用來(lái)儲存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統 (BESS) 的拓撲結構，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶(hù)曉的電化學(xué)儲能系統，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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中芯集成正式設立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時(shí)代等現身股東榜

10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱(chēng)，新設立合資公司芯聯(lián)動(dòng)力科技（紹興）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯聯(lián)動(dòng)力”）已完成了工商注冊登記手續，并取得紹興市越城區市場(chǎng)監督管理局核發(fā)的《營(yíng)業(yè)執照》。根據中芯集成公告，芯聯(lián)動(dòng)力將運營(yíng)碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權結構，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動(dòng)力創(chuàng )始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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安森美韓國碳化硅工廠(chǎng)擴建完工年產(chǎn)能將超百萬(wàn)片

安森美位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱(chēng)，其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅（SiC）超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設備安裝，到2025年該廠(chǎng)SiC半導體產(chǎn)量預計將增至每年100萬(wàn)顆。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來(lái)三年內雇傭多達1000名當地員工來(lái)填補大部分高
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安森美韓國富川碳化硅工廠(chǎng)擴建正式落成

10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進(jìn)碳化硅(SiC)超大型制造工廠(chǎng)的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時(shí)，該晶圓廠(chǎng)每年將能生產(chǎn)超過(guò)一百萬(wàn)片200mmSiC晶圓。據介紹，新的150mm/200mmSiC先進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)及高科技公用設施建筑和鄰近停車(chē)場(chǎng)于2022年中期開(kāi)始建設，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠(chǎng)的擴建，體現了安森美致力于在棕地（既有地點(diǎn)）建立垂直整合碳化硅制造供應鏈的戰略。富川SiC生產(chǎn)線(xiàn)目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開(kāi)始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%

2023 年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導致產(chǎn)量大幅增長(cháng)。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂(lè )觀(guān)預計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進(jìn)、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬(wàn)片。隨著(zhù)各公司產(chǎn)能釋放，預計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬(wàn)片，年產(chǎn)能 150 萬(wàn)。根據行業(yè)消息和市調機構的統計，此前天岳先進(jìn)、天科合達合計占據全球
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瑞能半導體CEO:碳化硅驅動(dòng)新能源汽車(chē)邁入“加速時(shí)代”

日前，瑞能半導體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導體高管峰會(huì )（ISES，原CISES）。作為半導體原廠(chǎng)和設備制造商云集的平臺，ISES專(zhuān)注于高層管理，來(lái)自世界各地的半導體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來(lái)趨勢和挑戰，分享他們如何在迅速創(chuàng )新和變化的行業(yè)中推動(dòng)技術(shù)進(jìn)步。ISES通過(guò)推動(dòng)整個(gè)微電子供應鏈的創(chuàng )新、商業(yè)和投資機會(huì )，為半導體制造業(yè)賦能，促進(jìn)中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會(huì )以“寬禁帶功率半導體在汽車(chē)應用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國

2023年，中國化合物半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)現歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長(cháng)領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠(chǎng)商的認可，中國廠(chǎng)商產(chǎn)能大幅提升。此前，來(lái)自中國的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。然而，到2024年，預計將搶占可觀(guān)的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長(cháng)的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長(cháng)產(chǎn)能提供了依據。目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。隨著(zhù)各公司積極增產(chǎn)，預計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬(wàn)單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動(dòng)光耦合器設計

本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅動(dòng)光耦合器用于驅動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅動(dòng)功率計算可分為三部分；驅動(dòng)器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動(dòng)器IC和功率半導體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅動(dòng)器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計算示例，詳細說(shuō)明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jì)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì )高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩步增
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SiC主驅逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(cháng)5%里程的秘訣

不斷增長(cháng)的消費需求、持續提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著(zhù)人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預計將增長(cháng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長(cháng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著(zhù)增加成本的情況下延長(cháng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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英飛凌與現代、起亞簽署半導體供應長(cháng)約

英飛凌、現代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議。據外媒，10月18日，英飛凌、現代汽車(chē)和起亞汽車(chē)三方發(fā)布官方聲明稱(chēng)，已達成戰略合作，簽署一項多年期碳化硅和硅功率半導體供應協(xié)議，以確保功率半導體的供應。根據戰略合作協(xié)議，英飛凌將在2030年前向現代、起亞供應碳化硅和硅功率模塊與芯片，而現代、起亞則會(huì )出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設與儲備，三方也計劃在提升電動(dòng)汽車(chē)的性能上緊密合作。
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開(kāi)關(guān)電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著(zhù)優(yōu)勢。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場(chǎng)效應器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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三星人事變動(dòng)，瞄準碳化硅！

10月16日，根據韓媒ETNEWS的報道，三星電子近期聘請安森美半導體前董事洪錫俊(Stephen Hong)擔任副總裁，負責監督SiC功率半導體業(yè)務(wù)，并在其內部組織了SiC功率半導體業(yè)務(wù)V-TF部門(mén)。Stephen Hong是功率半導體專(zhuān)家，在加入三星電子之前，曾在英飛凌、仙童、安森美半導體等全球主要功率半導體公司工作約25年。目前，Stephen Hong正在尋找SiC商業(yè)化的團隊成員，同時(shí)通過(guò)與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈和學(xué)術(shù)界互動(dòng)，進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。早先三星宣布正式進(jìn)軍GaN業(yè)務(wù)的時(shí)候也曾提
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為敏感電路提供過(guò)壓及電源反接保護！

假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線(xiàn)和接地線(xiàn)因疏忽而反接，電路還能安然無(wú)恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會(huì )瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類(lèi)事件的發(fā)生概率很低，但只要出現任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個(gè)與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會(huì )在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
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