ROHM開(kāi)發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務(wù)器和AC適配器等的損耗和體積！
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全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務(wù)器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開(kāi)發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動(dòng)用驅動(dòng)器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/202307/448780.htm
近年來(lái)，為了實(shí)現可持續發(fā)展的社會(huì )，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實(shí)現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相比，GaN HEMT的柵極處理很難，必須與驅動(dòng)柵極用的驅動(dòng)器結合使用。在這種市場(chǎng)背景下，ROHM結合所擅長(cháng)的功率和模擬兩種核心技術(shù)優(yōu)勢，開(kāi)發(fā)出集功率半導體——GaN HEMT和模擬半導體——柵極驅動(dòng)器于一體的Power Stage IC。該產(chǎn)品的問(wèn)世使得被稱(chēng)為“下一代功率半導體”的GaN器件輕輕松松即可實(shí)現安裝。
新產(chǎn)品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能夠更大程度地激發(fā)出GaN HEMT性能的專(zhuān)用柵極驅動(dòng)器、新增功能以及外圍元器件。另外，新產(chǎn)品支持更寬的驅動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），擁有支持一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下簡(jiǎn)稱(chēng)“Si MOSFET”）。與Si MOSFET相比，器件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時(shí)實(shí)現更低損耗和更小體積。
新產(chǎn)品已于2023年6月開(kāi)始量產(chǎn)（樣品價(jià)格4,000日元/個(gè)，不含稅）。另外，新產(chǎn)品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已開(kāi)始網(wǎng)售，在A(yíng)meya360等電商平臺可購買(mǎi)。
＜產(chǎn)品陣容＞
新產(chǎn)品支持更寬的驅動(dòng)電壓范圍（2.5V～30V），而且傳輸延遲短、啟動(dòng)時(shí)間快，因此支持一次側電源中的各種控制器IC。
＜應用示例＞
● 適用于內置一次側電源（AC-DC或PFC電路）的各種應用。
● 消費電子：白色家電、AC適配器、電腦、電視、冰箱、空調
● 工業(yè)設備：服務(wù)器、OA設備
＜電商銷(xiāo)售信息＞
電商平臺：Ameya360
產(chǎn)品和評估板在其他電商平臺也將逐步發(fā)售。
（開(kāi)始銷(xiāo)售時(shí)間：2023年7月起）
· 產(chǎn)品信息
產(chǎn)品型號：
BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB
?評估板信息
評估板型號：
BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）
BM3G007MUV-EVK-003
BM3G015MUV-EVK-003
＜什么是EcoGaN?＞
EcoGaN?是通過(guò)更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進(jìn)一步節能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進(jìn)一步降低功耗、實(shí)現外圍元器件的小型化、減少設計工時(shí)和元器件數量等。
EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
＜術(shù)語(yǔ)解說(shuō)＞
*1) 一次側電源
在工業(yè)設備和消費電子等設備中，會(huì )通過(guò)變壓器等對電源和輸出單元進(jìn)行隔離，以確保應用產(chǎn)品的安全性。在隔離部位的兩側，電源側稱(chēng)為“一次側（初級）”，輸出側稱(chēng)為“二次側（次級）”，一次側的電源部位稱(chēng)為“一次側電源”。
*2) GaN HEMT
GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來(lái)越多的應用開(kāi)始采用這種材料。
HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫(xiě)。
*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）
MOSFET是晶體管的一種，根據器件結構上的不同又可細分為DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同種類(lèi)的產(chǎn)品。與DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐壓和輸出電流方面表現更出色，在處理大功率時(shí)損耗更小。
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