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安森美
安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區
設計高能效AC-DC電源不再需要MCU（和編碼）
- 電網(wǎng)因為諸多原因而被設計成交流電，但幾乎每臺設備都需要直流電才能運行。因此，AC-DC 電源幾乎無(wú)處不在，隨著(zhù)環(huán)保意識的加強和能源價(jià)格的上漲，此類(lèi)電源的效率對于降低運行成本和合理利用能源至關(guān)重要。簡(jiǎn)單地說(shuō)，效率就是輸入功率與輸出功率之比。但是，必須要考慮輸入功率因數 (PF)，即所有 AC 供電設備（包括電源）的有用（實(shí)際）功率與總（視在）功率之比。對于純阻性負載，PF 將為 1.00（“單位”），但隨著(zhù)視在功率的升高，無(wú)功負載會(huì )降低 PF，從而導致效率降低。小于 1 的 PF 由異相電壓和電流引起，在開(kāi)
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25kW電動(dòng)汽車(chē)直流快速充電樁：設計技巧、技術(shù)和經(jīng)驗總結
- 便捷高效的充電能力是所有純電動(dòng)汽車(chē) (BEV) 成功的關(guān)鍵。充電的地方越多，充電的速度越快，大眾就越有可能購買(mǎi) BEV，而非燃油車(chē)。但是，要讓設計的電動(dòng)汽車(chē)快速充電樁緊湊、高效且可靠，并非易事。除了實(shí)際的轉換電路外，硬件保護技術(shù)也必不可少，需要設計人員對多種“假設”場(chǎng)景進(jìn)行分析。方案包括使用由無(wú)源 RC 網(wǎng)絡(luò )和阻斷組件構成的緩沖器。圖 1：安森美 (onsemi) 基于 25kW SiC 模塊的直流快充系統過(guò)壓和/或過(guò)流始終是個(gè)令人擔憂(yōu)的問(wèn)題，需要對功率半導體加以保護，確保它們不會(huì )受損。一種做法是添加具有
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)？這款I(lǐng)C方案推薦給您
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作， 協(xié)議總價(jià)值超10億美元
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng )新可持續的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(cháng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPE
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安森美與博格華納擴大碳化硅戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元
- 2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達克股票代碼：ON)與提供創(chuàng )新可持續的車(chē)行方案的全球領(lǐng)先供應商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴大碳化硅（SiC）方面的戰略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長(cháng)期以來(lái)，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開(kāi)展戰略合作，其中即包括EliteSiC器件。Viper 800V碳化硅逆變器安森美提供高性能的 Elit
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三相PFC轉換器如何大幅提高車(chē)載充電器的充電功率？
- 隨著(zhù)汽車(chē)市場(chǎng)電氣化時(shí)代的到來(lái)，對電池充電器的需求越來(lái)越大。通過(guò)簡(jiǎn)單的公式可以知道，功率越大，充電時(shí)間就越短。本文考慮的是三相電源，其所能提供的功率最高為單相電源的3 倍。這里提及的三相 PFC 板是基于碳化硅 MOSFET 的車(chē)載充電器系統第一級的示例，它會(huì )提高系統效率并減少 BOM 內容。開(kāi)發(fā) PFC 板的主要目的是方便訪(fǎng)問(wèn)不同設備，從而為測試階段和測量提供便利；外形尺寸優(yōu)化從來(lái)不是 EVB 的目標。 一 輸出電壓在這里，三相 PFC 提供的輸出電壓被固定為 700 V（精度5%）。得益于
- 關(guān)鍵字： 安森美 PFC 車(chē)載充電器
SiC Traction模塊的可靠性基石AQG324
- 前面的文章，和大家分享了安森美(onsemi)在襯底和外延的概況，同時(shí)也分享了安森美在器件開(kāi)發(fā)的一些特點(diǎn)和進(jìn)展。到這里大家對于SiC的產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)有一定的了解了。也就是從襯底到芯片，對于一個(gè)SiC功率器件來(lái)說(shuō)只是完成了一半的工作，還有剩下一半就是這次我們要分享的封裝。好的封裝才能把SiC的性能發(fā)揮出來(lái)，這次我們會(huì )從AQG324這個(gè)測試標準的角度來(lái)看芯片和封裝的開(kāi)發(fā)與驗證。圖一是SSDC模塊的剖面示意圖，圖二是整個(gè)SSDC模塊的結構圖，從圖一和圖二我們可以發(fā)現這個(gè)用在主驅的功率模塊還是比較復雜的，里面包含了許
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安森美將攜智能成像方案亮相Vision China 2023
- 中國上海 - 2023年7月7日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，將攜領(lǐng)先的圖像感知技術(shù)及方案亮相于7月11日至13日在上海國家會(huì )展中心舉辦的中國（上海）機器視覺(jué)展（Vision China 2023），展位號為5.1號館D204號展臺。 安森美將展示基于其 AR0822圖像傳感器和Rockchip的RK3588處理器的高精度條碼掃描方案。AR0822支持120 dB高動(dòng)態(tài)范圍片上融合（eHDRTM）、近紅外響應增強（NIR+）和超
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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
- 最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現之前，許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類(lèi)應用仍然適合繼續使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結構和運行，并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡(jiǎn)而言之，IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管，通過(guò)施加于金屬氧化物半導體 (MOS
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車(chē)載充電器升級到 800V 電池架構
- 自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
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貿澤電子備貨安森美NCN26010以太網(wǎng)控制器
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) NCN26010工業(yè)以太網(wǎng)控制器。這款新型10BASE-T1S以太網(wǎng)控制器設計用于為工業(yè)環(huán)境提供可靠的多點(diǎn)通信。安森美NCN26010是一款10Mb/s、符合IEEE 802.3cg標準的器件，包含媒體訪(fǎng)問(wèn)控制器 (MAC)、PLCA協(xié)調子層 (RS) 和10BASE-T1S PHY，設計用于工業(yè)多點(diǎn)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò )。該器件可在單根雙絞線(xiàn)上實(shí)現40多個(gè)節點(diǎn)，
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安森美推出端對端定位系統,助力實(shí)現更省電的高精度資產(chǎn)追蹤
- 智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi），推出了一款端對端定位系統，讓設計人員可以更方便快速地開(kāi)發(fā)出更高精度、更具成本效益、更省電的資產(chǎn)追蹤解決方案。該系統基于安森美的RSL15 MCU，這是業(yè)界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件，形成一個(gè)全集成的解決方案，其組件已經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可以協(xié)同工作。新的藍牙低功耗（Bluetooth LE）解決方案使標簽能夠用于在規定的封閉空間（如倉庫、商店或其他建筑物）中以亞米級的精度追蹤物體或人員。它
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安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車(chē)載充電器升級到800V電池架構
- 自電動(dòng)汽車(chē) (EV) 在汽車(chē)市場(chǎng)站穩腳跟以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)制造商一直在追求更高功率的傳動(dòng)系統、更大的電池容量和更短的充電時(shí)間。為滿(mǎn)足客戶(hù)需求和延長(cháng)行駛里程，電動(dòng)汽車(chē)制造商不斷增加車(chē)輛的電池容量。然而，電池越大，意味著(zhù)充電的時(shí)間就越長(cháng)。最常見(jiàn)的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場(chǎng)所充電。這兩種情況對電動(dòng)汽車(chē)的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無(wú)法在一整夜后就為電動(dòng)汽車(chē)充滿(mǎn)電。工作場(chǎng)所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車(chē)配備的是較低功率的車(chē)載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時(shí)間可能會(huì )成為
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車(chē)、醫療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處和設計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]
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