【安森美#專(zhuān)場(chǎng)直播】倒計時(shí)4天！How SiC is Shifting the Future of EV

來(lái)源：旺材芯片

傳統的電力電子系統，多由硅（Si）為基礎的半導體元件構成 ，其中硅基MOEFST以及IGBT應用最廣泛。兩種器件有各自的優(yōu)缺點(diǎn)，只能高效的應用與各自的特定領(lǐng)域。隨著(zhù)業(yè)界對功率，效率以及環(huán)境壓力的進(jìn)一步追求，傳統的硅基設計已進(jìn)入瓶頸期，無(wú)進(jìn)一步的提升性能的空間。

碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料半導體（Wide BandGap）的代表，因其優(yōu)異特性備受業(yè)界矚目。然而，從Si到SiC的轉變仍面臨著(zhù)諸多挑戰，尤其是封裝及應用層面。這些挑戰阻礙了終端用戶(hù)充分發(fā)揮SiC的潛在性能。

因此這次報告著(zhù)眼于此，從技術(shù)和市場(chǎng)的角度出發(fā)，同時(shí)鑒于平臺粉絲以及線(xiàn)上參與者對SiC知識的強烈需求，我們圍繞“How SiC is Shifting the Future of EV”話(huà)題開(kāi)展了直播分享，吳桐先生也將給大家帶來(lái)更深入的分享與解讀，談一下安森美半導體，針對如何幫助業(yè)界,更有效地實(shí)現從Si到SiC的迭代。

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01.

演講題目

How SiC is Shifting the Future of EV

02.

安森美半導體

安森美是一家領(lǐng)先的半導體制造商，提供80,000多款不同的器件和全球供應鏈，為數以百計的市場(chǎng)的數以十萬(wàn)名客戶(hù)提供服務(wù)。Fairchild半導體和摩托羅拉是我們今天所知的技術(shù)行業(yè)的基石。當前存在的幾乎每家技術(shù)公司都可以追溯它們的根基到這些先驅之一。

不過(guò)，安森美不僅傳承了行業(yè)巨頭摩托羅拉和Fairchild半導體, 還傳承了Cherry Semiconductor、AMI Semiconductor、三洋半導體、Aptina Imaging Corporation、SensL Technologies和許多其他公司。

03.

主講專(zhuān)家

吳桐

首席碳化硅專(zhuān)家

中國區汽車(chē)OEM產(chǎn)品技術(shù)負責人

上海交通大學(xué)半導體物理專(zhuān)業(yè)，數學(xué)專(zhuān)業(yè)輔修本科畢業(yè)，美國田納西大學(xué)電氣工程博士學(xué)位。吳博士在半導體封裝，寬帶隙器件（SiC）應用，電力電子設計，自主電源模塊設計（電力電子設計4.0）方面擁有10多年的研發(fā)和工業(yè)經(jīng)驗。

吳博士目前在安森美工作，擔任首席寬禁帶器件專(zhuān)家，負責大中華地區的SiC產(chǎn)品市場(chǎng)。深度了解新能源行業(yè)的市場(chǎng)，供應鏈，開(kāi)發(fā)流程以及解決方案。與國內多家整車(chē)廠(chǎng)，主機廠(chǎng)保持著(zhù)深度合作以及技術(shù)支持。加入安森美之前，他曾在SF Motors擔任技術(shù)主管，領(lǐng)導SiC功率模塊封裝和下一代牽引逆變器研發(fā)項目。他在美國田納西州橡樹(shù)嶺橡樹(shù)嶺國家實(shí)驗室（ORNL）的電力電子和電機研究中心進(jìn)行了博士研究工作。在ORNL，他參與了多個(gè)項目，包括高功率密度電力電子系統的多目標設計和優(yōu)化，寬帶隙功率半導體器件功率模塊封裝及其應用。他已經(jīng)在國際會(huì )議和期刊上發(fā)表了40多篇論文，并在SiC功率模塊封裝方面獲得了多項美國專(zhuān)利。

04.

演講大綱

1. Limitation of SiC in HPD type package

2. Introduce the benefits of SiC Molded Package