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安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區
安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢
- 本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線(xiàn) Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線(xiàn)工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎知識，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統性能對半導體工藝變化的依賴(lài)性。最后，本文詳細介紹對軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y部分闡明了安森美工具比業(yè)內
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深度剖析IGBT柵極驅動(dòng)注意事項
- IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅動(dòng)而言，該器件的行為類(lèi)似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅動(dòng)柵極電流，以將載流子移入和移出基極區。當 MOSFET 的柵極被驅動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì )存在一個(gè)從雙
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安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優(yōu)勢
- 簡(jiǎn)介? ? ??本文旨在介紹 安森美 (onsemi) 的在線(xiàn) Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢，提供有關(guān)如何使用在線(xiàn)工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎知識，接下來(lái)介紹開(kāi)關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開(kāi)關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來(lái)研究系統性能對半導體工藝變化的依賴(lài)性。最后，本文詳細介紹對軟硬開(kāi)關(guān)皆適用的 PLE
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分步解析，半橋 LLC 諧振轉換器的設計要點(diǎn)
- 在眾多諧振轉換器中，LLC 諧振轉換器有著(zhù)高功率密度應用中最常用的拓撲結構。之前我們介紹過(guò)采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉換器的設計注意事項，其中包括有關(guān) LLC 諧振轉換器工作原理的說(shuō)明、變壓器和諧振網(wǎng)絡(luò )的設計，以及元件的選擇。今天我們將介紹設計程序的前9個(gè)步驟并配有設計示例來(lái)加以說(shuō)明，幫助您完成 LLC 諧振轉換器的設計。設計程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設計程序，其中諧振電感是用漏感實(shí)現的。設計規格如下所示：● 標稱(chēng)輸入電壓：396 VDC（PF
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如何高效完成大電流單通道柵極驅動(dòng)器電路設計？
- NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動(dòng)器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實(shí)現高系統效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護和軟關(guān)斷(STO)這六個(gè)部分的參數、功能和設計技巧。這篇文章我們將重點(diǎn)關(guān)注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實(shí)現軟關(guān)斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動(dòng)器設計技巧
- NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動(dòng)器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實(shí)現高系統效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開(kāi)漏故障（）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關(guān)斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動(dòng)輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI
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對圖像傳感器的認識誤區：傳感器類(lèi)型
- 如今，攝像頭已隨處可見(jiàn)，工廠(chǎng)、車(chē)輛、公共建筑、街道……其數量還在不斷增多。大部分攝像頭依靠圖像傳感器將場(chǎng)景中的光線(xiàn)轉換為電子圖像，因而推升了對圖像傳感器的需求。但圖像傳感器種類(lèi)繁多，功能特性各不相同，設計人員需要熟悉不同傳感器的不同功能特性，才能為特定應用選擇合適的攝像頭。乘用車(chē)攝像頭搭載量激增，有些豪華車(chē)型甚至配有十幾個(gè)攝像頭。汽車(chē)制造商需要添加更多傳感器以提升安全性，還需考慮每個(gè)攝像頭的經(jīng)濟成本和占用空間，這為其帶來(lái)了挑戰。于是，汽車(chē)制造商開(kāi)始尋找解決方案，希望用一個(gè)攝像頭捕獲同時(shí)針對人眼視覺(jué)和機器視
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安森美被納入納斯達克100指數
- 2023 年 6月 13日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），將于美國時(shí)間2023年6月20日星期二開(kāi)市前被納入納斯達克100指數。安森美已連續兩年取得創(chuàng )紀錄的業(yè)績(jì)，其市值在過(guò)去30個(gè)月里增長(cháng)了兩倍，2022年收入83億美元，盈利增長(cháng)速度是收入的4倍。安森美總裁兼首席執行官Hassane El-Khoury說(shuō)：“安森美被納入著(zhù)名的納斯達克100指數，證明我們在過(guò)去兩年實(shí)施的戰略轉型是成功的，在此期間，我們在世界各地的員工堅定不移的付出和創(chuàng )新為安森美的股東帶
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析
- SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1
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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設計
- 更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規范，使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設計USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿(mǎn)足COC V5 Tier2 等最新的能效標準，并考慮小型化設計以配合移動(dòng)便攜式設備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準諧振 (QR)控制器所構成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
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注意！設計半橋 LLC 諧振轉換器，你得注意這些
- 在眾多諧振轉換器中，LLC 諧振轉換器有著(zhù)高功率密度應用中最常用的拓撲結構。與其他諧振拓撲相比，這種拓撲具有許多優(yōu)點(diǎn)：它能以相對較小的開(kāi)關(guān)頻率變化來(lái)調節整個(gè)負載變化的輸出；它可以實(shí)現初級側開(kāi)關(guān)的零電壓開(kāi)關(guān) (ZVS) 和次級側整流器的零電流開(kāi)關(guān) (ZCS)；而且，諧振電感可以集成到變壓器中。NCP4390 系列是一種先進(jìn)的脈沖頻率調制 (PFM) 控制器系列，適用于具有同步整流 (SR) 的 LLC 諧振轉換器，可為隔離式 DC/DC 轉換器提供出眾的效率。與市場(chǎng)上的傳統 PFM 控制器相比，NCP439
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用于車(chē)載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長(cháng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著(zhù)。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓撲，因為它有著(zhù)卓越的開(kāi)關(guān)性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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AI賦能聽(tīng)學(xué)解決方案，安森美致力讓更多人聽(tīng)到世界的美好
- 相比于爆火的TWS耳機應用，助聽(tīng)器并不算是很龐大的市場(chǎng)，但因為特定人群的剛需，使其又是一個(gè)注定將長(cháng)期存在的市場(chǎng)，安森美作為極少數一直堅持服務(wù)這個(gè)市場(chǎng)的硬件供應商，已經(jīng)在該領(lǐng)域擁有30多年的行業(yè)經(jīng)驗。在最近北京舉辦的國際聽(tīng)力學(xué)大會(huì )現場(chǎng)，安森美(onsemi)工業(yè)醫療智能部門(mén)亞太區高級營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理 楊正龍 (Henry Yang)先生接受了本刊的專(zhuān)訪(fǎng)，暢談安森美在這個(gè)特殊市場(chǎng)的產(chǎn)品、解決方案和未來(lái)發(fā)展趨勢。 助聽(tīng)器已經(jīng)在市場(chǎng)上存在了幾十年，隨著(zhù)全球大部分發(fā)達國家進(jìn)入老齡化社會(huì )和人口壽命的增加，助聽(tīng)器市場(chǎng)規模在未來(lái)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅長(cháng)期供應協(xié)議，共同投資于碳化硅擴產(chǎn)
- 2023年6月1日 - 緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一項價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅產(chǎn)品10年期供應協(xié)議，以實(shí)現緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯湃科技是國際領(lǐng)先的現代驅動(dòng)技術(shù)和電氣化解決方案制造商，將向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的投資，用于采購碳化硅晶錠生長(cháng)、晶圓生產(chǎn)和外延的新設備，以提前鎖定碳化硅的產(chǎn)能。這些設備將用于生產(chǎn)碳化硅晶圓，以支持緯湃科技不斷增長(cháng)的業(yè)務(wù)需求。同時(shí)，作為智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者，安森美將繼續
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車(chē)、醫療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處和設計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]
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