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安森美
安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區
解鎖高速高精度工業(yè)應用，安森美電感式位置傳感器了解一下？
- 機器人和協(xié)作機器人（cobots）應用的激增，使自動(dòng)化的效率和安全性得以提高，是正在進(jìn)行的第四次工業(yè)革命（I4.0）的一大驅動(dòng)力。為了確保對終端任務(wù)的精確控制，如在裝配線(xiàn)上拾取和放置物體或確保操作人員的安全，必須為每個(gè)旋轉點(diǎn)提供準確的角度位置測量。事實(shí)上，機器人終端功能的精度歸根結底受限于每個(gè)可動(dòng)關(guān)節所能達到的累積精度。由于光學(xué)編碼器可以提供高精確度，因此在工業(yè)應用中經(jīng)常使用它們來(lái)提供旋轉位置。然而，光學(xué)編碼器價(jià)格昂貴，物料單(BOM)龐大，而且它們的性能會(huì )因為工業(yè)環(huán)境中常見(jiàn)的污染物和振動(dòng)的存在而降低。另
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安森美2023財年第一季度業(yè)績(jì)超預期
- 2023年5月4日—安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)公布其2023財年第1季度業(yè)績(jì)，亮點(diǎn)如下：· 第1季度收入19.597億美元，同比增長(cháng)1%· 第1季度公認會(huì )計原則(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GAAP”)和非GAAP的毛利率為46.8% · GAAP營(yíng)業(yè)利潤率和非GAAP營(yíng)業(yè)利潤率分別為28.8%和32.2%·&
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安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC
- 2023 年 4 月 28日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車(chē)零部件供應商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車(chē)線(xiàn)控系統非接觸型感應位置傳感器（CIPOS?）技術(shù)。在長(cháng)達25年的合作中，兩家公司開(kāi)發(fā)的創(chuàng )新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著(zhù)高要求的應用。 CIPOS?是一種感應技術(shù)，用
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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長(cháng)期供應協(xié)議
- 2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長(cháng)期供應協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動(dòng)汽車(chē)（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長(cháng)續航里程。極氪將采用安森美的M3E 1200V EliteSiC MOSFET，以配合其不斷擴大的高性能純電車(chē)型產(chǎn)品陣容，實(shí)現更強的電氣和機械性能及可靠性。這些功率器件提供更高的
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使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的IC控制電路設計
- 之前我們介紹過(guò)快速設計由 NCP1623 驅動(dòng)的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規格與功率級設計。本文將詳細說(shuō)明IC控制電路設計中的細節：FB引腳電路、VCTRL 引腳電路、CS/ZCD 引腳電路、CSZCD電阻器設計等內容。步驟 3：IC 控制電路設計如圖 1 所示，反饋配置包括：● 一個(gè)電阻分壓器，用于降低體電壓，以向 FB 引腳提供反饋信號。出于安全考慮，分壓器的上層電阻通常由兩個(gè)或三個(gè)電阻構成。否則，RFB1 的任何意外短接都會(huì )將輸出高電壓施加到控制器上并將
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅動(dòng)
- 在高壓開(kāi)關(guān)電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實(shí)現高頻（數百千赫茲）開(kāi)關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開(kāi)關(guān)應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實(shí)現在高壓下的高頻開(kāi)關(guān)。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著(zhù)它們對柵極驅動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開(kāi)關(guān)性
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即將亮相2023北京國際聽(tīng)力學(xué)大會(huì )，安森美硬核聽(tīng)力方案了解下~
- 輔聽(tīng)耳機，音頻市場(chǎng)下一個(gè)突破點(diǎn)？助聽(tīng)器無(wú)線(xiàn)化、智能化，安森美有什么絕招？5月26日至5月28日2023年北京國際聽(tīng)力學(xué)大會(huì )——云集芯片、器件、算法、整機算法的行業(yè)盛會(huì )鎖定#B31展位聽(tīng)安森美為您娓娓道來(lái)話(huà)不多說(shuō)，先來(lái)劇透一波安森美的硬核展品！智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi）擁有30多年的助聽(tīng)器芯片設計經(jīng)驗，是行業(yè)內領(lǐng)先的助聽(tīng)器芯片供應商，將在#B31展位展示一系列先進(jìn)的專(zhuān)業(yè)數字助聽(tīng)器/OTC輔聽(tīng)方案，包括Ezairo 7160、Ezairo 8300、J11/J10低功耗藍牙無(wú)線(xiàn)OTC
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關(guān)于圖像傳感器的像素誤區
- 圖像傳感器的應用日益普及，特別是在安防、工業(yè)和汽車(chē)應用領(lǐng)域。很多汽車(chē)現在都配備了至少五個(gè)以上基于圖像傳感器的攝像頭。但是，圖像傳感器技術(shù)不同于標準半導體技術(shù)，存在著(zhù)一些錯誤認知。摩爾定律和圖像傳感器有些人假設著(zhù)名的“摩爾定律”也適用于圖像傳感器。戈登·摩爾（Fairchild半導體公司的創(chuàng )始人，Fairchild半導體現在是安森美的一部分）指出，集成電路 (IC) 上的晶體管數量每?jì)赡暝黾右槐?。為了將兩倍數量的晶體管放置在單個(gè)器件上，縮小晶體管是主要實(shí)現方式。這種趨勢已經(jīng)持續了數十年，但近年晶體管數量增長(cháng)
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使用NCP1623A設計緊湊高效的PFC級的關(guān)鍵步驟
- 本文介紹了快速設計由 NCP1623 驅動(dòng)的 CrM/DCM PFC 級的關(guān)鍵步驟中的定義關(guān)鍵規格與功率級設計，并以實(shí)際的 100W 通用電源應用為例進(jìn)行說(shuō)明，IC控制電路設計將在后續的推文中分享?！?nbsp; 最大輸出功率：100 W● Rms 線(xiàn)路電壓范圍：90 V - 264 V● 調節輸出電壓：● 低壓為 250 V（115V 電源）● 高壓為 390 V（230V 電源）NCP1623 具有多個(gè)選項，本文側重于NCP1623A，它與其他版本的主要
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貿澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案
- 2023年4月12日 – 專(zhuān)注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM)，以及符合AEC-Q100標準的器件。這些器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可為能源基礎設施和工業(yè)驅動(dòng)應用提供高可靠性和高性能?？稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應用需要高擊穿電壓 (BV)，1700V NTH4L028N170M1
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揭秘碳化硅芯片的設計和制造
- 眾所周知，對于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)來(lái)說(shuō)，高質(zhì)量的襯底可以從外部購買(mǎi)得到，高質(zhì)量的外延片也可以從外部購買(mǎi)到，可是這只是具備了獲得一個(gè)碳化硅器件的良好基礎，高性能的碳化硅器件對于器件的設計和制造工藝有著(zhù)極高的要求，接下來(lái)我們來(lái)看看安森美(onsemi)在SiC MOSFET器件設計和制造上都獲得了哪些進(jìn)展和成果。Die Layout下圖是一張制造測試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。圖一芯片的表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(pán)(Source pad)，柵極焊盤(pán)(Gate P
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安森美入選美國《巴倫周刊》2023 年美國最具可持續發(fā)展力的100家公司榜單
- 2023 年 4月 3日——智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，公司入選《巴倫周刊》美國最具可持續發(fā)展力的100家公司榜單?！栋蛡愔芸吩u估 1000 家大型上市公司在環(huán)境、社會(huì )和管治 (ESG) 方面的230項績(jì)效指標，排名前 100 的公司將入選年度榜單。自 2018 年首次啟動(dòng)評選以來(lái)，安森美已連續六年上榜。安森美的入選彰顯其在管理、執行和披露可持續發(fā)展及 ESG 目標方面的領(lǐng)導力，公司在其年度可持續發(fā)展報告中介紹相關(guān)指標及其進(jìn)展情況，并根據全球報
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封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)要點(diǎn)：不同模型下的瞬態(tài)響應分析
- 在封裝開(kāi)發(fā)中，如何正確使用數據表的熱特性參數以做出設計決策經(jīng)常存在一定的誤區。之前我們討論了穩態(tài)數據和瞬態(tài)數據的解讀與多輸入瞬態(tài)模型，今天我們將繼續分析各種模型下的瞬態(tài)響應。多結器件和瞬態(tài)響應上一部分中提到了多輸入瞬態(tài)模型。正如熱系統的穩態(tài)描述一樣，也可以構建多結器件的瞬態(tài)描述。如果遵循矩陣方法，唯一區別是矩陣的每個(gè)元素都是時(shí)間的函數。對于器件中的每個(gè)熱源，都會(huì )有一條“自發(fā)熱”瞬態(tài)響應曲線(xiàn)；對于系統中的每個(gè)其他關(guān)注點(diǎn)，都會(huì )存在一條“相互作用”瞬態(tài)響應曲線(xiàn)。在同樣的限制性假設的約束下，線(xiàn)性疊加和互易原理仍然
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安森美：傳統工業(yè)市場(chǎng)升級帶來(lái)電機控制新機遇
- 在后疫情時(shí)代，安森美認為在大型和手持電器、機器人、伺服驅動(dòng)器等領(lǐng)域，對無(wú)刷直流電機(BLDC) 需求較大，將會(huì )是重點(diǎn)增長(cháng)的幾個(gè)應用方向。同時(shí)安森美也預計所有氣體動(dòng)力工具/手持電器會(huì )繼續向電氣化發(fā)展，在伺服和自動(dòng)化等更傳統的工業(yè)應用中也會(huì )看到比較大的潛力。特別的，無(wú)刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）市場(chǎng)將持續增長(cháng)，因為它們開(kāi)始滲入更多的傳統工業(yè)市場(chǎng)，如伺服電機。為了應對這樣的市場(chǎng)需求，安森美(onsemi) 在電機控制領(lǐng)域主打從器件到系統的靈活性解決方案，即提供針對無(wú)刷直流(BLDC) 應用的
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安森美開(kāi)發(fā)IGBT FS7開(kāi)關(guān)平臺,性能領(lǐng)先,應用工業(yè)市場(chǎng)
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。這些新器件旨在提高快速開(kāi)關(guān)應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動(dòng)汽車(chē)充電電源轉換。新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開(kāi)關(guān)頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線(xiàn)電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開(kāi)關(guān)損耗可實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
- 關(guān)鍵字： 安森美 IGBT FS7
安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車(chē)、醫療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處和設計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]
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