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安森美 文章 進(jìn)入安森美技術(shù)社區
關(guān)于圖像傳感器圖像質(zhì)量的四大誤區！你踩過(guò)幾個(gè)坑？
- 當前我們對圖像傳感器的依賴(lài)程度超出了大多數人的想象。圖像傳感器應用在汽車(chē)上，幫助我們避免碰撞；應用于建筑監控，防止非法入侵；應用于生產(chǎn)線(xiàn)，檢查產(chǎn)品的質(zhì)量。有趣的是，人們經(jīng)常按照像素大小和分辨率等非常簡(jiǎn)單的指標，對圖像傳感器進(jìn)行分類(lèi)，但為不同應用選擇合適的傳感器要比這復雜得多。分辨率我們依賴(lài)傳感器來(lái)探測危險，或檢測產(chǎn)品中的缺陷，因而傳感器的圖像質(zhì)量至關(guān)重要。系統設計人員和最終用戶(hù)通常認為，更高的分辨率（即圖像中的像素更多）可以增強圖像質(zhì)量，但情況并非總是如此。更高的分辨率固然可以保留圖像的銳化邊緣和精細細節
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提升馬達控制驅動(dòng)器整合度、最大化靈活性
- 本文敘述三相永磁無(wú)刷直流（BLDC）馬達的工作原理，并介紹兩種換向方法在復雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；同時(shí)提出一種創(chuàng )新的BLDC換向方法，以及馬達控制器IC在三種換向方法的作用。與傳統的有刷直流馬達的機械自換向不同，三相永磁無(wú)刷直流（Brushless DC ；BLDC）馬達控制需要一個(gè)電子換向電路。本文簡(jiǎn)要回顧BLDC馬達的工作原理，并介紹兩種最廣泛使用的換向方法在復雜性、力矩波動(dòng)和效率方面的特點(diǎn)、優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)；然后提出一種創(chuàng )新的BLDC換向方法，并探討安森美（onsemi）的新款馬達控制
- 關(guān)鍵字： 馬達控制 驅動(dòng)器 BLDC 安森美
基于Diodes AP43771 & 安森美 NCP81239 PD3.0車(chē)用充電方案
- 隨著(zhù)支援快速充電的智能手機越來(lái)越多，當你使用過(guò)“快速充電”規格之后，那種“回不去”的感覺(jué)應該印象深刻吧！目前許多 110v~240v 電源充電器已經(jīng)對應 QuickCharge 4 (QC 4.0)& QuickCharge 4.0+ (以下簡(jiǎn)稱(chēng) QC 4.0+) & PD快速充電規格，那.....車(chē)上呢？此方案提供 USB Type-C 快速充電的?Power Delivery (PD3.0) 充電模式，讓你在車(chē)上也可以享受快速充電帶來(lái)的便利，以下為此方案針對各別IC功能簡(jiǎn)易介
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幾個(gè)氮化鎵GaN驅動(dòng)器PCB設計必須掌握的要點(diǎn)
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點(diǎn)說(shuō)明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。本設計文檔其余部分引用的布線(xiàn)示例將使用含有源極開(kāi)爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應有兩個(gè)盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示，較低值的高頻旁路電
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MOSFET選得好，極性反接保護更可靠
- 當車(chē)輛電池因損壞而需要更換時(shí)，新電池極性接反的可能性很高。車(chē)輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車(chē)輛電池，因而此類(lèi)事件可能會(huì )導致大量 ECU 故障。ISO（國際標準化組織）等汽車(chē)標準定義了電氣電子設備的測試方法、電壓水平、電磁輻射限值，以確保系統安全可靠地運行。與極性反接保護 (RPP) 相關(guān)的一種標準是 ISO 7637-2:2011，它復制了實(shí)際應用中的各種電壓場(chǎng)景，系統需要承受此類(lèi)電壓以展示其能夠防范故障的穩健性。這使得極性反接保護成為連接電池的 ECU/系統的一個(gè)關(guān)鍵組成部分，所有汽車(chē)制造
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5大重要技巧讓您利用 SiC 實(shí)現高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當您設計新電力電子產(chǎn)品時(shí)，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個(gè)必須實(shí)現的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿(mǎn)足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng )建基于 SiC 半導體的開(kāi)關(guān)電源，其應用領(lǐng)域包括光伏系統、儲能系統、電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開(kāi)關(guān)模式設計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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氮化鎵GaN驅動(dòng)器的PCB設計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動(dòng)器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”） 功率開(kāi)關(guān)。只有合理設計能夠支持這種功率開(kāi)關(guān)轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實(shí)現實(shí)現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開(kāi)關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡(jiǎn)單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動(dòng)電路的 PCB 設計要點(diǎn)。NCP51820 是一款全功能專(zhuān)用驅動(dòng)器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開(kāi)關(guān)性能而
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一文搞懂IGBT的損耗與結溫計算
- 與大多數功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來(lái)確定芯片溫度。這是因為大多數 IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時(shí)包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個(gè)芯片的溫度，有必要知道每個(gè)芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數。還需要知道每個(gè)器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應用筆記將簡(jiǎn)單說(shuō)明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據電路拓撲和工作條件，兩個(gè)芯片之間的功率損耗可能會(huì )有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開(kāi)關(guān)（開(kāi)通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
- 在相當長(cháng)的一段時(shí)間內，硅一直是世界各地電力電子轉換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴(lài)。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且帶隙更大，器件可以在更寬的溫度范圍內工作，而不會(huì )發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學(xué)惰性，所有這些優(yōu)點(diǎn)進(jìn)一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應用，例如電源、純
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使用隔離式柵極驅動(dòng)器的設計指南（三）：設計要點(diǎn)和PCB布局指南
- 本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開(kāi)關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅動(dòng)器，并介紹實(shí)戰經(jīng)驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅動(dòng)器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動(dòng)器的電源、濾波設計與死區時(shí)間控制，本文為第三部分，將為大家帶來(lái)設計中的要點(diǎn)和PCB布局指南。設計驅動(dòng)器VCC時(shí)，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅動(dòng)器，要設計一個(gè)高能效且快速的電路，啟動(dòng)時(shí)間是一個(gè)重要因素。因此，啟動(dòng)時(shí)間必須要短。但是，啟動(dòng)時(shí)間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅動(dòng)器使能到首次柵極輸出的時(shí)間。
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高集成度、最大化靈活度的電機控制驅動(dòng)器
- 三相永磁無(wú)刷直流（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BLDC”）電機控制需要一個(gè)電子換向電路，而傳統的有刷直流電機是采用機械自換向的方式。與有刷直流電機不同，BLDC電機沒(méi)有電刷，無(wú)需定期維護或更換，因而不易受到磨損。我們將簡(jiǎn)要介紹 BLDC 電機的結構和控制，然后介紹三種換向方法：● 梯形換向● 磁場(chǎng)定向控制● 直接扭矩和磁通控制最后，我們會(huì )介紹一種創(chuàng )新的BLDC換向方法，可以以單個(gè)電機控制集成電路(IC)實(shí)施三種換向方法中的任何一種。BLDC結構BLDC
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約29.35億元，全球半導體再現12英寸廠(chǎng)出售案
- 近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區的300mm晶圓廠(chǎng)，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術(shù)專(zhuān)家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達成協(xié)議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價(jià)格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時(shí)支付，3.3億美元在2022年底支付。根據協(xié)議，安森美幾年內可在該廠(chǎng)增
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安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠(chǎng)所有權轉讓完成
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠(chǎng)的收購。該交易為安森美團隊帶來(lái)了1000多名世界一流的技術(shù)專(zhuān)家和工程師人才。在過(guò)去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠(chǎng)及其員工的長(cháng)遠發(fā)展，大力投資于300毫米的生產(chǎn)能力，以加快公司在電源、模擬和感知產(chǎn)品的增長(cháng)，并優(yōu)化制造成本結構。東菲什基爾（EFK）工廠(chǎng)為安森美帶來(lái)了先進(jìn)的CMOS制造能力--包括生產(chǎn)圖像傳感
- 關(guān)鍵字： 安森美 格芯紐約東菲什基爾工廠(chǎng)
使用隔離式柵極驅動(dòng)器的設計指南（二）：電源、濾波設計與死區時(shí)間
- 本設計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應用中的功率開(kāi)關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅動(dòng)器，并介紹實(shí)戰經(jīng)驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅動(dòng)器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅動(dòng)器的電源、濾波設計以及死區時(shí)間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅動(dòng)器電源時(shí)應注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實(shí)現可靠的隔離式柵極驅動(dòng)器性能至關(guān)重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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安森美第四季度業(yè)績(jì)超預期,宣布30億美元股票回購計劃
- 安森美(onsemi)近日公布其2022年第4季度及全年業(yè)績(jì)，亮點(diǎn)如下：●? ?第4季度收入21.036億美元，同比增長(cháng)14%●? ?第4季度公認會(huì )計原則(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GAAP”) 毛利率分別48.5%，同比增長(cháng)343基點(diǎn)，非公認會(huì )計原則(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“non-GAAP”)毛利率48.4%，同比增長(cháng)321基點(diǎn)●? ?第4季度破紀錄汽車(chē)行業(yè)收入9.89億美元，同比增長(cháng)54%●? ?第4季度GAAP和non-GAAP每股攤薄盈利分別為1
- 關(guān)鍵字： 安森美 業(yè)績(jì)
安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò )和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車(chē)、醫療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶(hù)之首選高能效半導體技術(shù)供應商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區等關(guān)鍵市場(chǎng)運營(yíng)包括制造廠(chǎng)、銷(xiāo)售辦事處和設計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]
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