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半導體（st）應用軟件
半導體（st）應用軟件 文章 進(jìn)入半導體（st）應用軟件技術(shù)社區
中國將在2024年領(lǐng)導半導體產(chǎn)業(yè)擴張，全球芯片制造能力將達到創(chuàng )紀錄水平
- 中國建設的新晶圓廠(chǎng)數量超過(guò)其他國家。SEMI《全球晶圓廠(chǎng)預測報告》預計，2024年產(chǎn)能將增長(cháng)6.4％，達到每月超過(guò)3000萬(wàn)個(gè)晶圓起動(dòng)（wpm）。在得到政府大力支持的推動(dòng)下，預計中國將在半導體生產(chǎn)擴張方面領(lǐng)先全球，2024年預計將有18個(gè)新的晶圓廠(chǎng)投入生產(chǎn)。相比2023年的2960萬(wàn)WSPM（每周晶圓起動(dòng)），這一相當可觀(guān)的6.4％增長(cháng)主要是由英特爾、臺積電和三星Foundry在先進(jìn)邏輯領(lǐng)域的發(fā)展推動(dòng)的，因為對人工智能（AI）和高性能計算（HPC）應用處理器的需求繼續迅速增長(cháng)。SEMI預計從2022年到20
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SEMI報告：2025年全球半導體設備總銷(xiāo)售額預計將達到創(chuàng )紀錄的1240億美元
- 東京時(shí)間2023年12月12日， SEMI在SEMICON Japan 2023上發(fā)布了《年終總半導體設備預測報告》（Year-End Total Semiconductor Equipment Forecast – OEM Perspective）。報告指出，原始設備制造商的半導體制造設備全球總銷(xiāo)售額預計將在2023年達到1000億美元，比2022年創(chuàng )下的1074億美元的行業(yè)記錄收縮6.1%。預計半導體制造設備將在2024年恢復增長(cháng)，在前端和后端市場(chǎng)的推動(dòng)下，2025年的銷(xiāo)售額預計將達到1240億美元的
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臺積電（TSMC）2納米技術(shù)成本飆升或影響人工智能芯片新興市場(chǎng)
- 隨著(zhù)2023年接近尾聲，臺灣半導體制造公司（TSMC）正準備看到其領(lǐng)先半導體制造工藝的成本增加。 TSMC目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是3納米半導體設計技術(shù)，一份在臺灣媒體引述的最新報告猜測，未來(lái)3納米和2納米節點(diǎn)將會(huì )看到顯著(zhù)的成本增加。這則新聞?wù)?023年度假季市場(chǎng)關(guān)閉之際，分析師報告稱(chēng)，這些潛在的成本增加可能會(huì )影響蘋(píng)果公司的高端和低端技術(shù)設備的利潤。據分析師稱(chēng)，TSMC的2納米晶圓可能每片高達3萬(wàn)美元 今天的報告非常有趣，因為它重復了2022年臺灣芯片制造商出售的3納米芯片的晶圓成本估算。3納米制造工藝是
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中國進(jìn)口問(wèn)題促使美國啟動(dòng)半導體供應鏈審查
- 華盛頓，12月21日 美國商務(wù)部周四表示，將啟動(dòng)一項調查，關(guān)注中國芯片對國家安全帶來(lái)的擔憂(yōu)，該調查將涵蓋美國半導體供應鏈和國防工業(yè)基地。這項調查旨在確定美國公司如何采購所謂的“傳統芯片” - 即當前世代和成熟節點(diǎn)的半導體，因為該部門(mén)計劃在半導體芯片制造方面撥款近400億美元。該部門(mén)表示，這項計劃將于明年一月開(kāi)始，旨在“減少由中國引起的國家安全風(fēng)險”，并將重點(diǎn)關(guān)注在關(guān)鍵美國產(chǎn)業(yè)供應鏈中使用和采購中國制造的傳統芯片的情況。該部門(mén)周四發(fā)布的一份報告稱(chēng)，過(guò)去十年里，中國向中國半導體行業(yè)提供了約1500億美元的補貼
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全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)
- 12月22日消息，據報道，Adroit Market Research預計，全球汽車(chē)半導體行業(yè)將以每年10%的速度增長(cháng)，到2032年將達到1530億美元，2023年至2032年復合年增長(cháng)率 (CAGR) 為10.3%。報告顯示，半導體器件市場(chǎng)將從2022年的$43B增長(cháng)到2028年的$84.3B，復合年增長(cháng)率高達11.9%。目前的市場(chǎng)表明，到2022年，每輛汽車(chē)的半導體器件價(jià)值約為540美元，在A(yíng)DAS、電氣化等汽車(chē)行業(yè)大趨勢下，到2028年，該數字將增長(cháng)至約912美元。電動(dòng)化和ADAS是技術(shù)變革的主要驅
- 關(guān)鍵字： 汽車(chē)電子 半導體 ADAS 碳化硅 DRAM MCU
美國搖搖欲墜的半導體霸權
- 中國和美國試圖奪取臺灣的半導體，這是戰爭的真正原因。與中國一樣，美國認為人工智能是21世紀軍事和經(jīng)濟實(shí)力的關(guān)鍵。在華盛頓特區，共和黨人和民主黨人都對中國的進(jìn)展速度感到擔憂(yōu)。事實(shí)上，國會(huì )山的一個(gè)流行笑話(huà)是他們唯一能達成一致的事情就是“中國威脅”。為此，國會(huì )最近通過(guò)了《芯片法案》，行政部門(mén)一直在實(shí)施貿易管制，以阻止他們認為對中國人工智能的發(fā)展至關(guān)重要的技術(shù)。盡管這種愿望是理性的，但在中長(cháng)期內不太可能奏效，而且只會(huì )加劇地緣政治緊張局勢。美國的技術(shù)戰略依賴(lài)于七個(gè)現實(shí)，盡管這些現實(shí)今天是真實(shí)的，但明天可能不再全部如
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意法半導體STM32F103RET7單片機的工作原理、優(yōu)缺點(diǎn)、應用、引腳
- ST(意法半導體)的型號STM32F103RET7屬于32位MCU微控制器，采用集成高性能Arm?Cortex?-M3 32位RISC核心，在72MHz頻率下工作，高速嵌入式存儲器(閃存高達512千字節，SRAM高達64千字節)，以及廣泛的增強I/ o和連接到兩個(gè)APB總線(xiàn)的外設。STM32F103RET7提供3個(gè)12位adc，4個(gè)通用16位定時(shí)器加上兩個(gè)PWM定時(shí)器，以及標準和高級通信接口：最多兩個(gè)i2c，三個(gè)spi，兩個(gè)I2Ss，一個(gè)SDIO, 5個(gè)usart，一個(gè)USB和一個(gè)CAN。STM32F10
- 關(guān)鍵字： ST 自動(dòng)化 存儲器
半導體工藝技術(shù)：它的歷史、趨勢和演變
- 半導體工藝技術(shù)：它的歷史、趨勢和演變半導體行業(yè)的數字、模擬、工具、制造和材料領(lǐng)域都有重大發(fā)展。芯片開(kāi)發(fā)需要從設計到制造的各個(gè)層面的先進(jìn)復雜工藝。為了應對目前正在蔓延的對半導體日益增長(cháng)的需求，需要從建筑設計到可持續材料采購和端到端制造進(jìn)行重大變革。因此，采用高效的最新技術(shù)，并解決先進(jìn)工藝節點(diǎn)的生產(chǎn)，是該行業(yè)的現狀。物聯(lián)網(wǎng)和半導體用于數字化轉型：最近，我們的互聯(lián)網(wǎng)、智能設備和5g都有了重大發(fā)展。我們需要從根本上了解將導致這一新創(chuàng )新的基本技術(shù)。隨著(zhù)半導體技術(shù)發(fā)展物聯(lián)網(wǎng)和5g，人工智能的進(jìn)化將盡早到來(lái)。在過(guò)去的3
- 關(guān)鍵字： 半導體，發(fā)展，歷史
意法半導體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價(jià)值
- 意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設計，實(shí)現最新的生態(tài)設計目標。意法半導體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅動(dòng)器、系統保護功能，以及在啟動(dòng)時(shí)為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設計者處理GaN晶體管柵極驅動(dòng)開(kāi)發(fā)難題。這兩款產(chǎn)品采用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡(jiǎn)化了電路布局。這兩款新器件內置兩個(gè)連接成半橋的Ga
- 關(guān)鍵字： 氮化鎵 電橋芯片 st 電源設計
?日本SBI、沙特阿美將探索Web3、半導體制造
- 日本金融服務(wù)公司SBI和沙特阿美石油公司簽署了一份諒解備忘錄，以探索數字資產(chǎn)和半導體，雙方可以利用其投資組合。根據公告，此次合作將支持日本數字資產(chǎn)服務(wù)提供商向沙特阿拉伯的擴張，其安排旨在提供技術(shù)和監管支持。兩家公司表示，諒解備忘錄將涉及“數字資產(chǎn)合作”，各方將共同尋找投資機會(huì )。這一安排將擴大到啟動(dòng)幾項與半導體有關(guān)的舉措，包括在日本和沙特阿拉伯建立制造廠(chǎng)。諒解備忘錄中寫(xiě)道：“通過(guò)與阿美石油公司的合作，雙方將共同利用彼此的知識和資源，討論半導體、數字資產(chǎn)等先進(jìn)技術(shù)領(lǐng)域的進(jìn)一步商機，并為日本和沙特阿拉伯之間的經(jīng)
- 關(guān)鍵字： 日本 沙特 SBI 半導體
半導體巨頭爭相推進(jìn)下一代尖端芯片
- 臺積電、三星和英特爾爭奪“2納米”芯片，這將塑造5000億美元產(chǎn)業(yè)的未來(lái)數十年來(lái)，芯片制造商一直在努力制造越來(lái)越緊湊的產(chǎn)品——芯片上的晶體管越小，能耗就越低，速度就越高。 全球領(lǐng)先的半導體公司正在競相推出所謂的“2納米”處理器芯片，這將為下一代智能手機、數據中心和人工智能提供動(dòng)力。臺積電（TSMC）仍然是分析師們認為能夠保持其全球行業(yè)領(lǐng)先地位的公司，但三星電子和英特爾已經(jīng)確定了這一行業(yè)的下一個(gè)飛躍，看作是縮小差距的機會(huì )。數十年來(lái)，芯片制造商一直在努力制造越來(lái)越緊湊的產(chǎn)品。芯片上的晶體管越小，能耗就越低，
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SiC是否會(huì )成為下一代液晶
- 碳化硅作為下一代功率半導體的本命，進(jìn)入了全面的市場(chǎng)拓展階段。加上面向再生能源的市場(chǎng)，汽車(chē)使用市場(chǎng)的增長(cháng)比最初的預想早了一年多，功率半導體的投資增長(cháng)也顯示出SiC的一方面。不久前，行業(yè)也有研究在300mm的SIC增產(chǎn)的動(dòng)向。然而，解決SiC容量增強問(wèn)題現在成為主流。這一趨勢不僅限于日本和歐洲的功率半導體制造商。美國和中國之間的摩擦導致了SiC的國產(chǎn)化和量產(chǎn)化，這也是影響SIC的一方面。據電子器件行業(yè)報道，2023年9月7日，該公司表示，“中國SiC市場(chǎng)全方位戰略已擴大工業(yè)化加速進(jìn)入公司約100家?！敝袊鳶i
- 關(guān)鍵字： SIC，液晶，半導體
ASML：美國對中國的技術(shù)制裁正在適得其反
- 美國對中國公司的制裁導致了華為和中芯國際技術(shù)實(shí)力的進(jìn)步，以及對非中國半導體和設備公司的影響。中國設備公司經(jīng)歷了顯著(zhù)的收入增長(cháng)，而非中國公司則難以保持增長(cháng)。 美國制裁的漏洞使中國半導體公司得以囤積非中國設備，并達到先進(jìn)的芯片節點(diǎn)。美國政府削減可能被中國軍方使用的芯片或設備運輸的意圖，已經(jīng)導致了一系列損害非中國公司的失誤。特朗普政府對華為和中芯國際（半導體制造國際公司）的初步制裁阻礙了這兩家公司的前進(jìn)。但拜登政府的失誤導致了華為和中芯國際技術(shù)實(shí)力的復蘇，以及非中國半導體和設備公司的后果。本文將討論這些內容。圖
- 關(guān)鍵字： 芯片法案 半導體 芯片 市場(chǎng)分析
?中國芯片相關(guān)公司以創(chuàng )紀錄的速度倒閉
- 自2019-2020年美國開(kāi)始對半導體行業(yè)實(shí)施制裁以來(lái)，中國的芯片公司數量一直在下降。隨著(zhù)芯片需求放緩，2022-2023年情況變得更糟。自2019年以來(lái)，已有超過(guò)22,000家與芯片相關(guān)的公司消失，而2023年出現了創(chuàng )紀錄的消失。報告顯示，截至2023年，已有創(chuàng )紀錄的10900家芯片相關(guān)公司注銷(xiāo)，比2022年注銷(xiāo)的5746家公司大幅增加。這意味著(zhù)2023年中國平均每天有30家芯片相關(guān)公司關(guān)門(mén)。這是五年趨勢的一部分，2021-2022年期間，超過(guò)10000家中國芯片相關(guān)公司倒閉。2023年的激增凸顯了芯片
- 關(guān)鍵字： 倒閉 半導體 芯片
半導體（st）應用軟件介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條半導體（st）應用軟件!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對半導體（st）應用軟件的理解，并與今后在此搜索半導體（st）應用軟件的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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