內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產(chǎn)芯片

12 月 11 日消息，美國商務(wù)部周二表示，作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分，美光科技已獲得高達 61.65 億美元（當前約 448.07 億元人民幣）的撥款，用于在美國制造半導體。該機構表示，這筆資金將支持美光的“二十年愿景”，即在紐約投資約 1000 億美元、在愛(ài)達荷州投資 250 億美元用于新工廠(chǎng)，并創(chuàng )造約 20,000 個(gè)新工作崗位。美國商務(wù)部還表示，美光將根據某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外，美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達成初步協(xié)議，將額外提供 2.75 億美元資金，用于擴建
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芯片制造轉移，價(jià)格大變

7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過(guò)渡期，也是整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)由衰轉盛的過(guò)渡期，因為行業(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走，根據各大市場(chǎng)研究機構統計和預測，2024 上半年依然處于恢復期，下半年的行情會(huì )比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過(guò)渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線(xiàn)轉移輪番上演，芯片價(jià)格也隨之變化。晶圓代工轉單加劇臺積電最新財報顯示，2024 年第二季度以客戶(hù)總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達到 65%，中國大陸市場(chǎng)則急速拉升至 16
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三星否認自家 HBM 內存芯片未通過(guò)英偉達測試，“正改善質(zhì)量”

5 月 27 日消息，此前有消息稱(chēng)三星電子最新的高帶寬內存（HBM）芯片尚未通過(guò)英偉達測試，有“知情人士”表示，該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問(wèn)題而受到影響。不過(guò)據韓媒Business Korea 報道，三星電子發(fā)布聲明否認了相關(guān)報道，該公司聲稱(chēng)他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過(guò)程”，同時(shí)強調“他們正與其他商業(yè)伙伴持續合作，以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開(kāi)始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB（8-Hi）/ 36GB（12-Hi）的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
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消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內存芯片

2 月 5 日消息，據報道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會(huì )上推出多款尖端內存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內存（將在高密度內存和接口會(huì )議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開(kāi)發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒(méi)有提供太多關(guān)于將在峰會(huì )上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個(gè)引
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全球芯片供應持續過(guò)剩三星第三季度營(yíng)業(yè)利潤或下滑80%

10月10日消息，因受到全球芯片供應持續過(guò)剩的影響，三星電子的“搖錢(qián)樹(shù)”業(yè)務(wù)第三季度可能出現巨額虧損，營(yíng)業(yè)利潤預計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績(jì)。LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調查顯示，在第三季度，三星電子的營(yíng)業(yè)利潤可能降至2.1萬(wàn)億韓元（約合15.6億美元）。相比之下，去年第四季度的營(yíng)業(yè)利潤為10.85萬(wàn)億韓元（約合80億美元）。三星營(yíng)業(yè)利潤大幅下滑的原因是，由于內存芯片價(jià)格未能像部分人預期的那樣迅速回
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三星第二季度營(yíng)業(yè)利潤或暴跌96% 降至14年來(lái)最低水平

7月6日消息，據分析師預測，三星電子公司第二季度營(yíng)業(yè)利潤可能會(huì )較上年同期下滑96%，為14年來(lái)最低水平。理由是，盡管供應有所減少，但芯片供應過(guò)剩仍在繼續導致這家科技巨頭的“搖錢(qián)樹(shù)”出現巨額虧損。金融研究機構Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進(jìn)行的一項調查顯示，作為全球最大的內存芯片、智能手機和電視制造商，三星今年第二季度的營(yíng)業(yè)利潤可能降至5550億韓元（約合4.26億美元）。如果分析師們的預測準確，這將是三星自2008年第四季度以來(lái)的最低營(yíng)業(yè)利潤，當時(shí)三星電子公布了約7400億韓
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無(wú)需3nm工藝全球首顆商用存內計算SoC問(wèn)世：功耗低至1毫安

臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝，這是當前最先進(jìn)的半導體工藝，然而3nm這樣的工藝不僅成本極高，同時(shí)SRAM內存還有無(wú)法大幅微縮的挑戰，國產(chǎn)半導體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片，是全球首顆商用存內計算SoC。存內計算是一種新型架構的芯片，相比當前的計算芯片采用馮諾依曼架構不同，存內計算是計算與數據存儲一體，可以解決內存墻的問(wèn)題，該技術(shù)60年代就有提出，只是一直沒(méi)有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內計算SoC芯片，擁有高算力存內計算核，相對于NPU、DSP
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美光新技術(shù) 內存芯片無(wú)需再用昂貴的EUV光刻機

內存工藝進(jìn)入20nm節點(diǎn)之后，廠(chǎng)商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化，都被稱(chēng)為10nm級內存，但有更細節的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，后面是1α，1β，1γ。在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開(kāi)始用EUV光刻工藝，但是代價(jià)就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內存芯片則沒(méi)有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。不使用EUV光刻，美光在1β內存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實(shí)現了35%的存儲密度提升，同時(shí)省電15%。
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證，并做好了量產(chǎn)準備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達16Gb(2GB)?！　∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱(chēng)，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著(zhù)相較于三星、SK海力士，美光需要更復雜的設計方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導體的能力，各公司目
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消息稱(chēng)Intel欲出售內存芯片業(yè)務(wù)：SK海力士100億美元接手

據外媒最新消息稱(chēng)，Intel可能出售內存芯片業(yè)務(wù)，而接盤(pán)者是SK海力士，價(jià)格是100億美元。報道中提到，這家半導體巨頭將對自己進(jìn)行重新定位，遠離一個(gè)具有歷史重要性、但正日益受到挑戰的領(lǐng)域。消息人士稱(chēng)，這兩家公司正就上述交易展開(kāi)討論，最快可能會(huì )在周一宣布，前提是雙方之間的談判不會(huì )在最后時(shí)刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細節信息，如SK海力士具體將收購什么業(yè)務(wù)等。Intel旗下內存芯片部門(mén)生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品，主要用于硬盤(pán)、拇指驅動(dòng)器和相機等設備。由于閃存價(jià)格下跌的緣故，Intel一直都在考慮退出這項業(yè)務(wù)。雖然
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疫情刺激內存芯片需求三星第一季度利潤或保持不變

據外媒報道，新冠病毒的全球大流行推動(dòng)了在家辦公的浪潮，這種轉變勢必會(huì )提振筆記本電腦制造商以及數據中心對三星電子內存芯片的需求。但與此同時(shí)，由于疫情削弱了消費電子產(chǎn)品的銷(xiāo)售，三星電子第一季度的利潤可能會(huì )保持不變。
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加州理工開(kāi)發(fā)出可瞬間存儲數據的光量子內存芯片

　　據外媒報道，加州理工大學(xué)的研究人員們，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了一款能夠以“光的形式”、“納米級速度”存儲量子信息的計算機芯片。這標志著(zhù)量子計算機和網(wǎng)絡(luò )的一項最新突破，在更小的設備上實(shí)現更快的信息處理和數據傳輸。傳統計算機系統中的內存部件，只能將信息以“0”或“1”的形式存儲。盡管仍處于實(shí)驗階段，但量子計算機的基本原理還是一樣的，即以“量子比特”來(lái)存儲數據 —— 除了&ld
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2013年全球半導體總收入3181億美元

　　2014年4月25日市場(chǎng)研究機構IHS稱(chēng)，2013年的全球半導體收入增長(cháng)了5%，其中表現最好的是內存芯片產(chǎn)品。　　2013年半導體總收入達到3181億美元，較2012年的3031億美元增長(cháng)5%，有效扭轉了這個(gè)行業(yè)的發(fā)展趨勢。2012年的半導體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。　　規模最大的25家芯片廠(chǎng)商的營(yíng)收總和達到2253億美元，占整個(gè)行業(yè)總收入的71%。營(yíng)收最高的芯片廠(chǎng)商是英特爾，其2013年的營(yíng)收為470億美元，對應的市場(chǎng)份額為15%。　　IHS的副總裁戴爾福特(Dale
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內存芯片商揚眉吐氣靠中國企業(yè)賺錢(qián)了

　　7月5日消息，由于中國廉價(jià)平板、智能手機需求增長(cháng)，由于中國移動(dòng)設備商的出現，東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運，開(kāi)始收獲金錢(qián)了。　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場(chǎng)增速沒(méi)過(guò)去那么快了，但是，這些設備渴望裝上更大的內存，也會(huì )刺激內存銷(xiāo)售的增長(cháng)。　　兩種趨勢之下，加上2011年以來(lái)內存商縮減投資，DRAM(動(dòng)態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)和NAND內存芯片價(jià)格已經(jīng)開(kāi)始回升，在廠(chǎng)商面前，內存制造商抬起頭來(lái)，它們有了更高的議價(jià)能力。　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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內存芯片工廠(chǎng)營(yíng)收排名新美光追三星

臺系廠(chǎng)商部分，力晶(5346)營(yíng)收季成長(cháng)有38%，主要受益標準型記憶體價(jià)格回升，加上代工業(yè)務(wù)穩定成長(cháng)，同時(shí)出售子公司瑞晶的股份，對力晶的財務(wù)狀況有明顯的挹注;南科(2408)、華亞科(3474)則拉高非標準型記憶體的產(chǎn)出量;華邦電(2344)投片的比例也逐漸轉往Flash產(chǎn)品，未來(lái)預計將持續減少DRAM投片。
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內存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說(shuō):內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片! 　　根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋?zhuān)? 　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。　　第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

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