內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

內存芯片放顯屏上？透明柔性3D內存芯片制成顯示屏

　　據麻省理工新發(fā)明的透明柔性3D存儲芯片會(huì )成為小存設備中的一件大事。這種新的內存芯片透明柔韌，可以像紙一樣折疊，而且可以耐受1000華氏度的溫度，是廚房烤箱最高溫度的兩倍，而且可以耐受其他有害條件，有助于開(kāi)發(fā)下一代內存，可與閃存競爭，用于明天的隨身碟，手機和電腦，這是科學(xué)家在3月27日報道的。　　在美國化學(xué)學(xué)會(huì )(American Chemical Society)第243屆全國會(huì )議暨博覽會(huì )(243rd National Meeting & Exposition)上，發(fā)明者說(shuō)，一些設備使用這
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爾必達突然破產(chǎn) 內存芯片行業(yè)面臨調整

　　近日，全球第三大內存芯片廠(chǎng)商日本爾必達公司無(wú)預警地向東京地方法院提出破產(chǎn)保護申請。目前，該公司債務(wù)達到4480億日元(約合55億美元)，也成為日本制造業(yè)歷史上負債規模最大的破產(chǎn)案。　　眼下，這家日本芯片制造商市值幾乎蒸發(fā)殆盡。從2008年第四季度到2011年第四季度里，爾必達只有兩個(gè)季度實(shí)現贏(yíng)利。業(yè)界分析普遍認為，日元匯率的持續走強、產(chǎn)品價(jià)格下滑以及泰國洪災是造成PC供貨低迷的多重壓力下。　　不過(guò)，曾數次在資金緊缺的情況下仍然讓爾必達起死回生的公司CEO坂本幸雄也承認，自己的確在過(guò)去的某個(gè)時(shí)間
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內存芯片識別方法

內存芯片識別方法1．LGS：LGS的SDRAM芯片上的標識； GM72V*****1**T** GM為L(cháng)GS產(chǎn)品； 72為SDRAM；第1，2個(gè)*代表容量，16 ...
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現代內存芯片的編號識別

現代內存芯片的編號識別一、現代(HYUNDAI)公司的SDRAM內存芯片上的標識格式如下（這里說(shuō)的是2000年9月30日后 ...
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日股爾必達一天大跌97%

　　日本內存芯片廠(chǎng)商爾必達已申請破產(chǎn)保護，該公司股價(jià)在昨日東京股市的交易中大跌97%，創(chuàng )下東京股票交易所取消單日漲跌幅限制以來(lái)的最大跌幅。爾必達的破產(chǎn)是日本兩年來(lái)規模最大的公司破產(chǎn)案。在東京股市昨日的交易中，爾必達股價(jià)一度跌至4日元，遠低于周二收盤(pán)時(shí)的254日元。將于2015年到期、面值100日元的爾必達可轉債價(jià)格則較2月27日下跌60日元，至14日元。　　爾必達是日本最后一家計算機內存芯片廠(chǎng)商，該公司此前已連續5個(gè)季度虧損。爾必達于2月27日向東京地區法院提交了破產(chǎn)保護申請，其債務(wù)達到4480億日元
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(HybridMemoryCube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。　　美光將會(huì )開(kāi)始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-siliconvias;TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì )在IBM位于紐約的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。　　IBM將會(huì )在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE國際電子裝置會(huì )議上展示它的TSV制程技術(shù)。　　對于美光而言，混合式記憶體立方(HMC)
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美光將利用IBM 3D制程制造首顆商用內存芯片

　　近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。　　美光將會(huì )開(kāi)始生產(chǎn)利用IBM的3D芯片制程硅穿孔(through-silicon vias; TSVs)所打造的第一顆芯片。硅穿孔制程將運用在美光的混合式記憶體立方之中。美光芯片的部分零件將會(huì )在IBM位于紐約的晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)。　　IBM將會(huì )在12月5日于美國華盛頓舉行的IEEE 國際電子裝置會(huì )議上展示它的TSV制程技術(shù)。　　對于美光而言，混合式記憶體立方
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爾必達25nm制程4GB內存芯片樣品出貨

　　爾必達日前表示，該公司已成功生產(chǎn)出25nm制程、4GB大小的SDRAM內存芯片樣品，即將出貨。早前，爾必達就宣稱(chēng)從7月開(kāi)始發(fā)售限量版的25nm制程2GB內存芯片，而新款4G的25nm內存芯片將取代現在的30nm制程的4GB DDR3內存芯片產(chǎn)線(xiàn)，產(chǎn)品生產(chǎn)效率也將提高45%。除此之外，新款25nm芯片性能更強勁，可以有效降低待機電流。　　
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蘋(píng)果采購日本內存芯片減少對三星依賴(lài)

　　據科技網(wǎng)站DigiTimes報道，業(yè)內人士稱(chēng)，蘋(píng)果公司從日本購買(mǎi)的DRAM和NAND閃存量大幅增加，主要來(lái)源為東芝和Elpida Memory公司。　　消息稱(chēng)，蘋(píng)果和三星之間的專(zhuān)利訴訟促使蘋(píng)果分散其訂單。三星一直是蘋(píng)果公司最大的零部件供應商。蘋(píng)果目前正在從Elpida和東芝公司采購NAND和RAM芯片，以減少其對三星電子的內存供應的依賴(lài)。　
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全球8大內存芯片廠(chǎng)商虧損連連僅3家盈利

　　北京時(shí)間9月1日消息，彭博社發(fā)文稱(chēng)，由于PC市場(chǎng)低迷等因素，內存芯片制造業(yè)處境艱難，全球八大廠(chǎng)商僅三家盈利，部分較小廠(chǎng)商選擇轉行或謀求并購，而分析人士認為該行業(yè)最終或將合并入幾個(gè)大型廠(chǎng)商手中。原文如下：　　債務(wù)、虧損與價(jià)格下跌造成的沉重負擔，使內存芯片廠(chǎng)商茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)、力晶科技(Powerchip Technology Corp.)和爾必達(Elpida Memory Inc.)承受的壓力越來(lái)越大，或將尋求合并或退出該產(chǎn)業(yè)。　
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內存芯片制造商承受壓力加大：尋求合并或退出

　　北京時(shí)間8月31日下午消息，由于負債累累、不斷虧損、內存芯片價(jià)格持續下滑，內存芯片制造商爾必達、茂德和力晶科技承受的壓力越來(lái)越大，他們或因此尋求合并或退出業(yè)界。　　
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三星第2季內存營(yíng)收同比減12%

　　三星電子日前公布，今年第2季(4-6月)半導體部門(mén)合并營(yíng)收年減4%至9.16兆億韓圜，略低于前季的9.18兆億韓圜;合并營(yíng)益年減11.3%至1.79兆億韓圜，高于前季的營(yíng)益1.64兆億韓圜;營(yíng)益率達19.6%，高于前季的17.9%，但低于去年同期的30.9%。三星指出，4-6月內存營(yíng)收年減12%至5.89兆億韓圜。　　三星電子曾在1月28日預期，今年半導體部門(mén)資本支出將由去年的12.7兆億韓圜下降至10.3兆億韓圜，其中內存相關(guān)資本支出將由去年的9兆億韓圜下滑36%至5.8兆億韓圜。Thomson
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業(yè)界看淡今年下半年芯片市場(chǎng)

　　南韓三星電子(Samsung Electronics) DS(Device Solution)事業(yè)總括部門(mén)社長(cháng)權五鉉，及海力士(Hynix)社長(cháng)權五哲等南韓半導體業(yè)界大老近期均異口同聲表示，2011年下半內存芯片市況將不透明。權五鉉表示，一般來(lái)說(shuō)，下半年內存芯片市況應會(huì )比上半年好，然而近來(lái)變量相當多。2011年下半可能會(huì )與上半相同，半導體價(jià)格可能會(huì )大幅攀升，也可能沒(méi)有任何表現。
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海力士一季度凈利潤2.54億美元

　　據國外媒體報道，全球第二大電腦內存芯片生產(chǎn)商海力士周四發(fā)布了2011年第一季度財報。財報顯示，今年第一季度海力士實(shí)現凈利潤2735.4億韓元(約合2.538億美元)，比去年同期大幅下降66%，這主要是受到個(gè)人電腦需求低迷導致芯片價(jià)格下滑影響。　　
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技術(shù)落后導致臺灣內存芯片廠(chǎng)商陷入被動(dòng)局面

　　據美臺商會(huì )(US-Taiwan Business Council)的一份報告稱(chēng)，鎂光公司可能會(huì )收購其參與合資的臺灣內存公司華亞的剩余股份，使之成為自己的全資控股子公司。報告稱(chēng)：“美國內存芯片廠(chǎng)商鎂光與南亞和華亞兩家內存芯片公司的關(guān)系一直非常密切。而且鎂光有可能會(huì )采取措施加強其與臺灣內存廠(chǎng)商的聯(lián)盟關(guān)系，因為近期有傳言稱(chēng)臺灣第二大內存芯片廠(chǎng) 商南亞很可能會(huì )將其所持有的華亞公司股份出售給鎂光公司?！? 　　
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內存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說(shuō):內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片! 　　根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋?zhuān)? 　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。　　第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

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