內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成

　　韓國內存廠(chǎng)商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設備，可在智能手機，平板電腦等移動(dòng)設備上使用，Hynix并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。　　這款內存芯片產(chǎn)品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。　　Hynix宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統帶寬可達4.26GB/s。另外，這
關(guān)鍵字： Hynix 44nm DDR2 內存芯片

力晶半導體稱(chēng)第四財季實(shí)現凈利潤

　　據國外媒體報道，臺灣力晶半導體近日表示，經(jīng)過(guò)連續十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩步上漲的推動(dòng)，第四財政季度公司實(shí)現凈利潤。　　力晶半導體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱(chēng)，已有大量現金流入公司，這將顯著(zhù)改善公司的財務(wù)結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。　　力晶半導體稱(chēng)，公司將通過(guò)增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。　　分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DD
關(guān)鍵字：力晶內存芯片 DDR3

2010年4大晶圓廠(chǎng)各有難題待解

　　與臺積電同于1987年成立的新加坡半導體即將走入歷史，被全球晶圓(Global Foundries)合并之后將在亞太區以新面貌見(jiàn)人。同樣成立將屆23年的臺積電、新加坡特許面對著(zhù)截然不同的命運，1個(gè)是產(chǎn)業(yè)龍頭，另1個(gè)則是被資金實(shí)力雄厚的對手收購，但面對多變詭譎的產(chǎn)業(yè)前景，卻都各自面臨不同的挑戰與難題。　　新加坡特許被收購之后，還是4大晶圓代工廠(chǎng)各據山頭，分別是臺積電、聯(lián)電、全球晶圓與中芯國際，2009年是4大晶圓廠(chǎng)極為特殊的1年，各自發(fā)生了影響未來(lái)命運的大事件，展望2010年未可知的將來(lái)，4大晶圓廠(chǎng)
關(guān)鍵字：臺積電晶圓內存芯片

臺積電部分晶圓制品因地震而損壞，公司生產(chǎn)線(xiàn)已恢復正常

　　據臺積電公司周一的聲明稱(chēng)，受上周臺灣地區發(fā)生6.4級地震事件的影響，臺積電公司半天內產(chǎn)出的晶圓制品均告報廢，受到影響的晶圓制品數量大約是臺積電每天芯片產(chǎn)能的59%。臺積電并稱(chēng)公司的生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)恢復正常工作，而這次地震對臺積電所造成的財政和業(yè)務(wù)影響將“非常有限”。　　于此同時(shí)，臺積電的對手聯(lián)電公司則在一份聲明中稱(chēng)公司的財政與業(yè)務(wù)并未受到這次地震的顯著(zhù)影響;而內存芯片廠(chǎng)商華亞，以及計算機廠(chǎng)商華碩公司則均聲明稱(chēng)未受到此次地震事件的顯著(zhù)影響。　　據路透社報道，當地時(shí)間上周六晚9：
關(guān)鍵字：臺積電晶圓內存芯片

海力士2010年半導體生產(chǎn)開(kāi)支將增加一倍

　　據《韓國時(shí)報》報道，內存芯片廠(chǎng)商海力士半導體計劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬(wàn)億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開(kāi)支增加一倍。　　這項開(kāi)支有1.5萬(wàn)億韓元(大約13億美元)用于DRAM內存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。　　這篇報道引述消息靈通人士的話(huà)說(shuō)，海力士看到了1GB DDR3內存的需求超過(guò)了預期。這篇報道還預計海力士在2010年將在全球DRAM市場(chǎng)擴大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
關(guān)鍵字：海力士 DRAM 內存芯片

iSuppli：今年芯片市場(chǎng)將跌12%但好于預期

　　北京時(shí)間11月24日早間消息，據國外媒體今日報道，市場(chǎng)研究公司iSuppli表示，今年全球芯片業(yè)營(yíng)收將下跌12%，遠低于之前預期的20%。　　iSuppli高級副總裁德?tīng)枴じＬ?Dale Ford)說(shuō)，第二季度芯片銷(xiāo)售復蘇“意味著(zhù)2009年的情況將好于預期”。今年芯片業(yè)境況好于預期的原因是內存芯片以及消費電子和無(wú)線(xiàn)產(chǎn)品用芯片的強勁表現。　　iSuppli預計，在全球十大芯片廠(chǎng)商中，今年只有三星芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收將出現增長(cháng)。預計今年三星芯片業(yè)務(wù)營(yíng)收將增長(cháng)1.4%;
關(guān)鍵字：消費電子內存芯片無(wú)線(xiàn)

內存廠(chǎng)商積極轉向新制程，明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降

　　據臺灣內存業(yè)者透露，由于越來(lái)越多的內存芯片廠(chǎng)商都在積極轉向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內將出現較大幅度的下降。　　目前，韓國三星電子的內存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開(kāi)始小批導入40nm制程。預計到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據業(yè)內領(lǐng)先的地位。　　日本爾必達公司則很快會(huì )開(kāi)始啟用其改進(jìn)版65nm制程，爾必達將這種制程稱(chēng)為Extra 65nm。并將隨后于明年轉移到
關(guān)鍵字：三星電子 40nm 56nm 內存芯片

2012年前內存芯片廠(chǎng)商的重點(diǎn)將不會(huì )放在產(chǎn)能拓展方面

　　據iSuppli公司分析，由于全球內存芯片廠(chǎng)商在2005-2007年間已經(jīng)耗費了大量資本進(jìn)行設備投資和產(chǎn)能擴展,因此現有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿(mǎn)足2012年的市場(chǎng)需求，這便意味著(zhù)在未來(lái)兩年之內全球內存芯片廠(chǎng)商的主要精力將不會(huì )放在產(chǎn)能拓展方面。　　”2005-2007年間，內存芯片廠(chǎng)商共花費了500億美元的資金來(lái)采購新的制造設備和建設新的芯片廠(chǎng)，這筆花費已經(jīng)占到同期整個(gè)內存產(chǎn)業(yè)營(yíng)收的55%左右。“iSuppli公司的高級內存分析師Mike Howard表示：”由于向這
關(guān)鍵字：內存芯片光刻制造設備

三星加大半導體制程技術(shù)研發(fā)力度

　　韓國三星公司最近顯著(zhù)加大了邏輯芯片制造技術(shù)的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導體研發(fā)中心，該中心將與三星現有的內存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊一起合作，進(jìn)行新半導體材料，晶體管結構以及高性能低功耗半導體技術(shù)的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠(chǎng)除了正在積極準備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時(shí)作為IBM技術(shù)聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術(shù). 　　三星表示，新研發(fā)中心與現有的內存芯片制程技術(shù)研發(fā)團隊的強強組合，將極大推動(dòng)三星半導體制程技術(shù)的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
關(guān)鍵字：三星內存芯片

福布斯:亞洲芯片商前景樂(lè )觀(guān) 下滑趨勢將結束

　　據國外媒體報道，數家亞洲大型芯片廠(chǎng)商財報預期顯示，本季度有望實(shí)現數年來(lái)的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或將結束。　　三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場(chǎng)預期，分析師對其預期為每股收益1.98萬(wàn)韓元(約合16.83美元)。　　投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現突出”(outperform)，將三星目標股價(jià)由84萬(wàn)韓元調高至90萬(wàn)韓元。該投行在研究報告中稱(chēng)，因三星上半年收益強勁，預計其股價(jià)將持續上漲。周一，三星股價(jià)在首爾股票交易所收盤(pán)于75.3萬(wàn)韓元(
關(guān)鍵字：海力士 DRAM 內存芯片

今年第二三季度DRAM內存芯片業(yè)強勁復蘇

　　市場(chǎng)研究公司iSuppli稱(chēng)，今年第二、三季度DRAM內存芯片銷(xiāo)售額和價(jià)格環(huán)比增幅創(chuàng )下過(guò)去5年來(lái)的最高記錄，這表明市場(chǎng)正在復蘇，這一趨勢將至少持續到明年。　　據國外媒體報道稱(chēng)，iSuppli發(fā)布的初步統計數字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷(xiāo)售額環(huán)比增長(cháng)了35%，第二季度環(huán)比增長(cháng)了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱(chēng)，這些數字表明DRAM市場(chǎng)確實(shí)在復蘇中，價(jià)格的持續增長(cháng)是DRAM內存芯片走出低迷的又一個(gè)跡象。　　iSuppli表示，過(guò)去兩個(gè)季度終結了DRAM內存芯片銷(xiāo)
關(guān)鍵字：內存芯片 DRAM

北卡羅萊納州立大學(xué)開(kāi)發(fā)出1TB小型內存技術(shù)

　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱(chēng)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內存芯片的容量50倍，理論上可以實(shí)現一個(gè)指甲大小的芯片寸1TB數據。　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過(guò)添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來(lái)完成了數據存儲容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰就是精確的納米點(diǎn)和讀取方式，目前通過(guò)使用脈沖層，研究人員就能夠實(shí)現對過(guò)程的控制。　　Jagdish Narayan認為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現，而且價(jià)格并不比
關(guān)鍵字：內存芯片 DRAM

海力士稱(chēng)微軟Win 7系統將拉動(dòng)內存芯片需求

10月14日消息，據國外媒體報道，韓國芯片制造商海力士半導體CEO周二表示，全球經(jīng)濟轉暖加上微軟Windows 7操作系統的發(fā)布，將在2010年上半年拉動(dòng)內存芯片的需求。海力士首席執行官金鐘甲在韓國當地一個(gè)科技論壇上表示，“只要經(jīng)濟不出現二次探底的情況，需求就會(huì )好轉。” 金同時(shí)表示，海力士將在2010年加大資本投資力度，公司今年在該項目上的開(kāi)支為1萬(wàn)億韓元，約合8.555億美元，但他拒絕透露詳情。
關(guān)鍵字：海力士內存芯片

海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內存芯片

　　據報道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì )在本月開(kāi)始投入量產(chǎn)。　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱(chēng)是目前主流1Gb DDR3市場(chǎng)上性能最高的內存芯片。根據iSuppli的統計，1Gb DDR3內存芯片的市場(chǎng)份額已經(jīng)達到了87%，更高密度的內存芯片將在2011年成為市場(chǎng)上的主流。　　根據海力士的介紹，數據中心、服務(wù)器、超級計算機或
關(guān)鍵字：海力士內存芯片 54nm DDR3

留給DDR2芯片的“蜜月期”只剩6個(gè)月

　　據摩根斯坦利公司的分析師Frank Wang稱(chēng)，DDR2芯片的價(jià)格未來(lái)將繼續上漲，并很有可能會(huì )超過(guò)DDR3芯片的售價(jià)，不過(guò)漲價(jià)期應該不會(huì )超過(guò)6個(gè)月，而DDR3芯片則將在這段時(shí)間內漸成市場(chǎng)主流。據Wang分析，驅動(dòng)最近DDR2芯片價(jià)格上漲的主要因素是各大內存芯片廠(chǎng)商紛紛將產(chǎn)能轉而投放到DDR3芯片的生產(chǎn)上。三星，海力士，爾必達以及鎂光幾家大廠(chǎng)均在積極抬高DDR3芯片的產(chǎn)能，同時(shí)壓低DDR2芯片的產(chǎn)能。　　盡管如此，如果中國大陸國慶節期間DDR2芯片的市場(chǎng)需求不如預期的強勢，那么DDR2芯片的價(jià)格仍有
關(guān)鍵字： DDR2 內存芯片 DDR3

共133條 6/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »

內存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說(shuō):內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片! 　　根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋?zhuān)? 　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。　　第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

內存芯片 文章 進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

內存芯片介紹

熱門(mén)主題

內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區