內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

未來(lái)三年內存價(jià)格將持續攀升

　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內將持續走高。這家市場(chǎng)分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表示，2001-2003年，內存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們預計從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。　　不過(guò)內存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則一般
關(guān)鍵字：半導體內存芯片

三星電子預期上半年芯片業(yè)務(wù)利潤超35億美元

　　據國外媒體報道，韓國三星電子預期今年其芯片業(yè)務(wù)今年上半年營(yíng)運利潤將超過(guò)4萬(wàn)億韓元(35億美元)。　　三星電子是全球最大的內存芯片制造商，據消息人士透露，此前該公司預期全年芯片業(yè)務(wù)僅會(huì )產(chǎn)生4.4萬(wàn)億韓元(約合39億美元)營(yíng)運利潤。三星電子發(fā)言人拒絕就此作出評論。　　電腦內存芯片價(jià)格走高以及個(gè)人電腦需求的復蘇共同促進(jìn)了三星公司增長(cháng)的恢復，該公司日前表示正考慮提高今年在內存芯片方面的資本投入。　　預計三星公司下周將公布其第一季度收入預期。　　周二收盤(pán)時(shí)，三星公司股價(jià)報81.4萬(wàn)韓元(約合72
關(guān)鍵字：三星內存芯片

DRAMeXchange：未來(lái)三年內存價(jià)格將持續攀升

　　DRAMeXchange傳來(lái)噩耗稱(chēng)內存芯片的價(jià)格在未來(lái)三年內將持續走高。這家市場(chǎng)分析公司將內存產(chǎn)業(yè)的興衰周期定為3年左右，據該公司的分析師表示，2001-2003年，內存業(yè)者一直處在虧損期，而2004-2006年則恢復為持續盈利的狀態(tài)，2007-2009年間則再度出現虧損期，因此他們預計從2010年開(kāi)始，在全球經(jīng)濟危機緩和，Windows7日漸流行等因素的影響下，內存業(yè)者將再度扭虧為盈，進(jìn)入新的一輪三年盈利期。　　不過(guò)內存業(yè)者仍然面臨另外一個(gè)重要的難題，他們要將制程水品提升到50nm以上級別則
關(guān)鍵字：內存芯片光刻

鎂光表示年內沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃將專(zhuān)注于制程提升

　　繼三星，力晶等內存芯片大廠(chǎng)對內存芯片產(chǎn)能提升事宜公開(kāi)發(fā)表意見(jiàn)之后，鎂光公司近日也表態(tài)稱(chēng)他們今年沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃，鎂光表示他們將專(zhuān)注與縮減內存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，三星公司芯片部門(mén)的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開(kāi)表態(tài)稱(chēng)內存芯片業(yè)者不應盲目表態(tài)將增加內存芯片的產(chǎn)量，而是應當把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹慎，以避免犯下和過(guò)去一樣的錯誤。　　2005年，全球多家內存芯片廠(chǎng)為了擴增
關(guān)鍵字：鎂光內存芯片

東芝重啟產(chǎn)能擴展計劃新閃存生產(chǎn)廠(chǎng)7月開(kāi)工

　　日本最大的內存芯片廠(chǎng)商東芝將重啟因經(jīng)濟衰退而擱置的產(chǎn)能擴展計劃，它將從7月開(kāi)始建設新的閃存生產(chǎn)廠(chǎng)。　　東芝表示，新生產(chǎn)廠(chǎng)位于日本中部四日市，是公司第五條生產(chǎn)線(xiàn)，預計在2011年春季完建。東芝沒(méi)有透露該生產(chǎn)廠(chǎng)的建設成本。　　包括蘋(píng)果iPhone在內的智能手機銷(xiāo)售的增長(cháng)，推動(dòng)了NAND內存需求的增長(cháng)。據市場(chǎng)調研公司 iSuppli預計，NAND閃存市場(chǎng)今年的總收入將增長(cháng)34%達到181億美元。　　東芝發(fā)言人Hiroki Yamazaki稱(chēng)，雖然東芝尚未決定四日市芯片生產(chǎn)廠(chǎng)的投資規模，但是建立新
關(guān)鍵字：東芝內存芯片 NAND

美光表示年內沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃將專(zhuān)注于制程提升

　　繼三星，力晶等內存芯片大廠(chǎng)對內存芯片產(chǎn)能提升事宜公開(kāi)發(fā)表意見(jiàn)之后，美光公司近日也表態(tài)稱(chēng)他們今年沒(méi)有提升內存芯片產(chǎn)能的計劃，美光表示他們將專(zhuān)注與縮減內存芯片的制程尺寸，以便提升自己的產(chǎn)品競爭力。不久前，三星公司芯片部門(mén)的首腦人物Oh-Hyun Kwon同樣曾公開(kāi)表態(tài)稱(chēng)內存芯片業(yè)者不應盲目表態(tài)將增加內存芯片的產(chǎn)量，而是應當把注意力放在提升產(chǎn)品制程工藝方面。而力晶公司主席Frank Huang也呼吁內存業(yè)者提升芯片產(chǎn)能時(shí)要非常謹慎，以避免犯下和過(guò)去一樣的錯誤。　　2005年，全球多家內存芯片廠(chǎng)為了擴增
關(guān)鍵字：三星內存芯片

壞消息：DDR2/DDR3芯片價(jià)格仍保持漲勢

　　1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現貨價(jià)格最近雙雙上漲到了接近3美元的價(jià)位，顯示目前內存芯片市場(chǎng)仍處于供不應求的緊張局面。據消息來(lái)源表示，造成這種局面的原因主要是內存芯片廠(chǎng)商目前都在實(shí)施轉產(chǎn)DDR3芯片的動(dòng)作;另外一方面，由于PC廠(chǎng)商事先預計到了這種狀況，因此這些廠(chǎng)商事先都采取了較大量訂貨的策略，而這則進(jìn)一步加劇了這種危機。　　據DRAMeXchange統計，3月18日，打標和eTT(即經(jīng)過(guò)芯片廠(chǎng)商完全測試，但沒(méi)有打上原廠(chǎng)激光標記的芯片)1Gb DDR2芯片的價(jià)格分別上升了3.97%和4.3
關(guān)鍵字：內存芯片 DDR3

iSuppli預計今年全球DRAM內存芯片市場(chǎng)將增40%

　　2月24日消息，市場(chǎng)研究公司iSuppli預計，今年全球DRAM內存芯片市場(chǎng)增幅將超過(guò)40%，也是3年來(lái)的首次增長(cháng)。　　據國外媒體報道稱(chēng)，iSuppli表示，今年全球DRAM內存芯片銷(xiāo)售額將增長(cháng)至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內存芯片銷(xiāo)售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。　　iSuppli分析師邁克·霍華德當地時(shí)間上周四說(shuō)，“今年DRAM內存市場(chǎng)將繼續去年第四季度的增長(cháng)趨勢，增長(cháng)40%。” 　　推動(dòng)去年第四季度DRAM
關(guān)鍵字： DRAM 內存芯片

力晶將重啟在徐州地區建造8英寸內存芯片廠(chǎng)的計劃

　　據臺灣《經(jīng)濟日報》報道，臺系內存廠(chǎng)商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內存芯片廠(chǎng)的計劃，報道稱(chēng)力晶公司計劃向這間新廠(chǎng)房投資2.93億美元，并將與當地政府部門(mén)和大陸當地企業(yè)合作經(jīng)營(yíng)這間芯片廠(chǎng)。　　與臺積電以及茂德公司類(lèi)似，力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺灣當局的許可，可以在大陸地區建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠(chǎng)，不過(guò)目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實(shí)際行動(dòng)。
關(guān)鍵字：力晶內存芯片

鎂光南亞合作開(kāi)發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內存芯片

　　鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開(kāi)展示了其合作開(kāi)發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱(chēng)下一代30nm制程級別的同類(lèi)產(chǎn)品已經(jīng)在鎂光設在Boise的研發(fā)中心開(kāi)始研制。　　兩家廠(chǎng)商預計將于今年第二季度開(kāi)始42nm 2Gb DDR3內存芯片的試樣生產(chǎn)，并將于今年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這種產(chǎn)品。　　兩家廠(chǎng)商宣稱(chēng)其42nm制程DDR3內存芯片產(chǎn)品的工作電壓僅1.35V左右，比前代產(chǎn)品的1.5V工作電壓低了不少，可節省30%電能。　　這款42nm 2Gb
關(guān)鍵字：鎂光內存芯片 DDR3

傳歐盟將起訴三星等內存芯片廠(chǎng)商操縱價(jià)格

　　消息人士透露，歐盟監管機構計劃對三星電子、英飛凌、海力士等十家內存芯片廠(chǎng)商提供訴訟，指責這些廠(chǎng)商操控價(jià)格，違背歐盟反壟斷法規。　　消息人士稱(chēng)，歐盟委員會(huì )的指控有可能在本周或下周做出。三星電子和海力士分別是全球最大和第二大的內存芯片廠(chǎng)商。歐盟將起訴的公司還包括美光、爾必達、NEC電子、日立、東芝、三菱電機和南亞科技。　　去年12月份英飛凌就曾透露，歐盟反壟斷機構從2009年2月就開(kāi)始對英飛凌進(jìn)行正式調查，懷疑英飛凌在歐洲DRAM產(chǎn)品市場(chǎng)存在反競爭行為。DRAM(動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器)芯片被廣泛應用
關(guān)鍵字：三星電子內存芯片

臺內存芯片廠(chǎng)商制程轉換計劃傳因設備交貨期拖延而更變

　　據內存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設備的交貨日程有所延長(cháng)，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠(chǎng))兩家內存芯片制造商今年轉向50nm級別制程節點(diǎn)的計劃有可能會(huì )后延.而另一家臺系內存芯片廠(chǎng)商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠(chǎng))計劃于今年二月份開(kāi)始的光刻設備導入計劃也有可能會(huì )后延兩個(gè)月左右的時(shí)間。　　而南亞和華亞則澄清稱(chēng)其購買(mǎi)的沉浸式光刻設備將以分期到貨的形式進(jìn)場(chǎng)，并宣稱(chēng)此前進(jìn)場(chǎng)的設備已經(jīng)按原計劃完成了進(jìn)貨。　　按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉換工作，并將于下半年開(kāi)始試產(chǎn)40nm
關(guān)鍵字：華亞光刻設備內存芯片

三星將加大內存芯片資本支出并建新生產(chǎn)線(xiàn)

　　據韓國媒體報道，全球最大內存芯片生產(chǎn)商三星電子今年可能加大對內存芯片的投資，并建立一條新生產(chǎn)線(xiàn)。　　報道援引不具名業(yè)內人士的話(huà)稱(chēng)，三星電子今年半導體業(yè)務(wù)的資本支出約為7兆(萬(wàn)億)韓元(61億美元)。　　三星10月曾表示，今年計劃在內存芯片上支出5.5萬(wàn)億韓元，占半導體業(yè)務(wù)資本支出的大部分。　　報道稱(chēng)，三星還計劃在國內工廠(chǎng)建立一條新的芯片生產(chǎn)線(xiàn)，這將是該公司多年來(lái)首次增設新生產(chǎn)線(xiàn)。　　三星發(fā)言人拒絕就2010年投資計劃置評，并稱(chēng)尚未決定是否新增生產(chǎn)線(xiàn)。三星在1月29日公布季報時(shí)，預計將就
關(guān)鍵字：三星電子內存芯片

南亞科增加今年支出預算計劃提升芯片產(chǎn)能

　　據透露，臺灣內存芯片廠(chǎng)商南亞計劃增加2010年的資本支出預算，將其由原計劃的190億新臺幣提升到200億新臺幣(6.27億美元)，據悉這筆增加的預算將用于改進(jìn)制程和擴展產(chǎn)能之用。南亞計劃將其12英寸廠(chǎng)產(chǎn)能由目前的每月3萬(wàn)片提升到5-6萬(wàn)片。如果將其合資公司華亞(由鎂光和南亞合資成立)的產(chǎn)能計算在內，那么南亞12英寸總產(chǎn)能將達到每月11.5-12.5萬(wàn)片，這個(gè)數字已達到了全球內存芯片廠(chǎng)總產(chǎn)能的10%左右。　　目前華亞12英寸廠(chǎng)的產(chǎn)能有一半是向南亞供貨，另一半則為鎂光公司供貨，這家合資公司的月產(chǎn)能大
關(guān)鍵字：南亞科內存芯片 50nm

海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

　　據國外媒體報道，由于計算機內存芯片供不應求可能有助于利潤創(chuàng )下4年來(lái)新高，全球第二大內存芯片廠(chǎng)商海力士計劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。　　海力士首席執行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，“我們的目標是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱(chēng)，由于PC需求增長(cháng)，今年
關(guān)鍵字： DRAM 內存芯片 DDR3

共133條 5/9 |‹ « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 »

內存芯片介紹

　　簡(jiǎn)單地說(shuō):內存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片! 　　根據品牌的不同,所采用的芯片亦有所區別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋?zhuān)? 　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內存芯片。　　第2位——芯片類(lèi)型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類(lèi)型說(shuō)明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細 ]

內存芯片 文章 進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區

內存芯片介紹

熱門(mén)主題

內存芯片文章進(jìn)入內存芯片技術(shù)社區