芯片制造轉移，價(jià)格大變

7 月，處在 2024 年中，不僅是上下半年的過(guò)渡期，也是整個(gè)半導體產(chǎn)業(yè)由衰轉盛的過(guò)渡期，因為行業(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走，根據各大市場(chǎng)研究機構統計和預測，2024 上半年依然處于恢復期，下半年的行情會(huì )比上半年好很多。在這種情況下，處于年中過(guò)渡期的 6、7 月份，受多種因素影響，也成了多事之秋，特別是芯片制造，訂單和制造產(chǎn)線(xiàn)轉移輪番上演，芯片價(jià)格也隨之變化。

晶圓代工轉單加劇

臺積電最新財報顯示，2024 年第二季度以客戶(hù)總部所在地劃分，北美占比仍然最大，達到 65%，中國大陸市場(chǎng)則急速拉升至 16%，與第一季度 9%，以及 2023 年同期 12% 相比大增，并取代亞太區，成為第二大市場(chǎng)，亞太區域占比降至 9%，日本維持 6%。

受美國出口政策影響，不少尚未遭受出口管制的中國大陸企業(yè)提前下單囤貨，特別是 5nm 及以下先進(jìn)制程，產(chǎn)能吃緊，如果不盡快下定的話(huà)，再過(guò)幾個(gè)月恐怕就很難拿到產(chǎn)能了。特別是中國正在積極發(fā)展 AI，對先進(jìn)芯片的需求量很大，目前也只有臺積電和三星兩個(gè)選擇，臺積電是優(yōu)先選項。

不止中國大陸訂單，國際芯片大廠(chǎng)訂單也在向臺積電轉移。

很長(cháng)時(shí)間以來(lái)，高通一直是三星的五大客戶(hù)之一（包括但不限于晶圓代工業(yè)務(wù)），不過(guò)，近兩年高通將大量訂單轉移到臺積電。前一段時(shí)間，三星發(fā)布的報告顯示，前五大客戶(hù)分別是蘋(píng)果、德國電信、香港創(chuàng )科、至上電子和 Verizon，合計約占三星總營(yíng)收的 13%，高通不在其中，這是高通 3 年來(lái)首次跌出三星客戶(hù)的前五名。

此前，高通將大量驍龍系列處理器訂單交給三星代工生產(chǎn)，而現在很大部分已經(jīng)被臺積電取代了。不過(guò)，隨著(zhù)近期中國智能手機銷(xiāo)量的增長(cháng)，一些來(lái)自中國大陸和中國臺灣的公司訂單填補了高通的空白。

2023 年就有報道稱(chēng)，高通出于對臺積電產(chǎn)能有限的考慮，原打算在 2024 年開(kāi)始執行雙代工廠(chǎng)策略，第四代驍龍 8 一方面采用臺積電 N3E 制程工藝，另一方面，供應 Galaxy 系列智能手機的版本采用三星 3GAP（SF3）工藝。不過(guò)，由于三星 3nm 制程良率不穩定，產(chǎn)能有限，錯過(guò)了不少商機，高通就是其中的大戶(hù)。

據悉，高通仍打算在 2025 年轉向雙代工廠(chǎng)策略，已要求臺積電和三星提供 2nm 制程芯片樣品，以便做進(jìn)一步評估。高通希望通過(guò)新策略降低 SoC 的生產(chǎn)成本。

2023 年，三星晶圓代工業(yè)務(wù)贏(yíng)得了谷歌 Tensor G4 芯片訂單，之后，谷歌將 Tensor G4 的生產(chǎn)委托給三星的 4nm 代工產(chǎn)線(xiàn)，該芯片將搭載在定于 2024 下半年發(fā)布的 Pixel 9 系列手機上。

不過(guò)，7 月初，據業(yè)內人士透露，臺積電與谷歌近期已進(jìn)入第五代處理器 Tensor G5 量產(chǎn)前的流片階段，該處理器將搭載在定于 2025 年發(fā)布的 Pixel 10 系列手機上。

業(yè)內人士表示，Tensor G5 將采用臺積電 3nm 制程工藝生產(chǎn)，預計性能將比 Tensor G4 大幅提升。

此前，業(yè)界只是猜測臺積電與谷歌在 Tensor G5 上合作的可能性，但最近兩家公司似乎正在進(jìn)行量產(chǎn)準備，這表明谷歌的晶圓代工合作伙伴關(guān)系發(fā)生了重大轉變。

據了解，三星的 3nm 制程產(chǎn)線(xiàn)尚未獲得任何明確的大規?？蛻?hù)訂單，因此，2024 年第一季度，三星晶圓代工的市場(chǎng)份額比上一季度（14%）下降了 1 個(gè)百分點(diǎn)，至 13%，同期，臺積電的市場(chǎng)份額從 61% 上升至 62%。

不止臺積電和三星掌控的最先進(jìn)制程晶圓代工市場(chǎng)在轉單，相對成熟（28nm 以下）和成熟制程（28nm 以上）市場(chǎng)轉單也在加劇，受惠的廠(chǎng)商主要包括聯(lián)電、力積電、世界先進(jìn)等。下半年，預估聯(lián)電的產(chǎn)能利用率將落在 70%~75% 之間，力積電 12 英寸廠(chǎng)產(chǎn)能利用率可達 85%~90%，世界先進(jìn)產(chǎn)能利用率將提升至 75% 以上，均優(yōu)于預期。

集邦研究分析，這波轉單潮，主要來(lái)自高通、芯源系統（MPS）等廠(chǎng)商，賽普拉斯（Cypress，已經(jīng)被英飛凌收購）、兆易創(chuàng )新等廠(chǎng)商也向力積電洽談編碼型閃存投產(chǎn)計劃，聯(lián)電憑借產(chǎn)地多元布局優(yōu)勢，吸引德州儀器（TI）、英飛凌、微芯（Microchip）等大廠(chǎng)洽談長(cháng)期合作計劃。

力積電表示，為順應供應鏈調整及中國大陸晶圓廠(chǎng)競爭，該公司正在調整產(chǎn)品線(xiàn)投資策略，試著(zhù)迎接有轉單需求的大客戶(hù)，積極開(kāi)發(fā)先進(jìn) BCD 制程，用于電源管理 IC 生產(chǎn)，希望爭取物聯(lián)網(wǎng)及重要的 AI、高性能計算（HPC）、電動(dòng)車(chē)等高增長(cháng)市場(chǎng)商機。

TechInsights 預計，受益于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，以及 AI 數據中心對 NAND 閃存使用量的增長(cháng)，2024 下半年，全球晶圓廠(chǎng)（包括邏輯和存儲芯片）產(chǎn)能利用率有望達到 80% 左右。

存儲市場(chǎng)的強勁復蘇也為晶圓代工市場(chǎng)提供了穩定的訂單來(lái)源，Omdia 預測，2024 年全球純晶圓代工行業(yè)收入將增長(cháng) 16.4%。此外，AI 加速器領(lǐng)域的市場(chǎng)規模將在 2025 年超過(guò) 1500 億美元。

晶圓代工價(jià)格走向

由于消費電子、新能源車(chē)、通信等應用需求強勁，群智咨詢(xún)（Sigmaintell）預計，2024 年第二季度，全球 28nm、40nm 制程晶圓代工產(chǎn)能利用率約 90%，28nm 代工價(jià)格微漲，40nm 價(jià)格基本持平。相對而言，28nm 需求增長(cháng)動(dòng)力更明顯，預計第三季度仍有個(gè)位數百分比環(huán)比上漲空間。

55nm、90nm 制程芯片的下游應用主要為消費類(lèi)電子。由于中國大陸晶圓廠(chǎng)在 55nm、90nm 制程上積極擴產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)能利用率提升并不顯著(zhù)，群智咨詢(xún)預計，2024 年第三季度仍在 75%-80% 之間。由于過(guò)去 3~4 個(gè)季度該制程價(jià)格降幅較大，從 2024 年第二季度起，多數晶圓廠(chǎng)在該制程范圍的價(jià)格策略以收窄降幅為主，目標是在 2024 年底止跌。預計第三季度整體價(jià)格環(huán)比降幅為 2%~3%。

得益于消費類(lèi)電子庫存調整完成，自 2024 年第一季度起，8 英寸晶圓代工廠(chǎng)迎來(lái)更多訂單，整體產(chǎn)能利用率平穩回升，但是，第二季度整體產(chǎn)能利用率仍較低，約為 60%-65%，預計第三季度可恢復至 70%。部分客戶(hù)將一部分模擬芯片訂單從中國大陸轉移至其它地區的晶圓代工廠(chǎng)，群智咨詢(xún)預計，第三季度中國大陸 8 英寸晶圓代工廠(chǎng)價(jià)格環(huán)比降幅在 5% 左右，中國臺灣地區 8 英寸晶圓代工價(jià)格環(huán)比降幅預計為 1%-3%。

三星晶圓代工調整了 2024 年第一季度定價(jià)，不僅提供了 5%-15% 的折扣，還明確表示，可根據訂單量提供更優(yōu)惠的價(jià)格。業(yè)界人士分析，三星這波降價(jià)，主要是因為當下市場(chǎng)需求沒(méi)預期好，另外，就是要靠降價(jià)搶臺積電的客戶(hù)訂單。

中芯國際預計，隨著(zhù)芯片制造商提高產(chǎn)能，芯片價(jià)格將繼續下降。

中芯國際聯(lián)席 CEO 趙海軍在 5 月的業(yè)績(jì)說(shuō)明會(huì )上表示，中芯國際面臨低價(jià)競爭，可能導致價(jià)值數千萬(wàn)美元的訂單流失。他表示，芯片平均單價(jià)（ASP）每個(gè)季度會(huì )下降，但不會(huì )那么快。他說(shuō)，12 英寸晶圓產(chǎn)能滿(mǎn)載的部分訂單，價(jià)格會(huì )相對穩定，但標準產(chǎn)品遇到競爭時(shí)，中芯國際會(huì )順應市場(chǎng)，隨行就市，與客戶(hù)一同面對競爭，后續標準產(chǎn)品價(jià)格可能會(huì )進(jìn)一步下降。

不同于成熟制程的降價(jià)競爭，最先進(jìn)制程（5nm 及以下）產(chǎn)能則供不應求，漲價(jià)聲四起。

此前有報道稱(chēng)，臺積電打算提高 2025 年先進(jìn)制程及先進(jìn)封裝的訂單報價(jià)，其中，3nm 制程的報價(jià)將提高 5% 以上，CoWoS 封裝的報價(jià)也將提高 10%~20%。傳聞臺積電的 3nm 漲價(jià)方案已得到客戶(hù)同意，雙方達成了新協(xié)議，以確保穩定的供應。

有業(yè)內人士透露，面向人工智能和高性能計算客戶(hù)的 4nm、5nm 制程可能會(huì )漲價(jià) 11%，也就是說(shuō)，4nm 晶圓的價(jià)格從 18000 美元提高到 20000 美元，這意味著(zhù)相比 2021 年的報價(jià)漲了至少 25%。有分析師預計，2025 年，3nm 制程的價(jià)格將平均上漲 4%，主要取決于訂單的數量和具體協(xié)議條款，目前的晶圓報價(jià)在 20000 美元以上。

不過(guò)，像 16nm 這樣相對成熟的制程產(chǎn)能充裕，不太可能漲價(jià)。有消息稱(chēng)，目前，臺積電 6nm、7nm 產(chǎn)能利用率已經(jīng)跌至 60%，明年不但不漲價(jià)，甚至還會(huì )降價(jià)，幅度在 10% 左右。

內存芯片產(chǎn)能大挪移

在過(guò)去半年多時(shí)間內，爭奪英偉達 HBM 內存訂單成為國際存儲芯片三巨頭的大事，由于 SK 海力士早早布局，因此在競爭中處于明顯優(yōu)勢地位，這給三星帶來(lái)了很大壓力，為了拿到相關(guān)訂單，三星甚至更換了業(yè)務(wù)高層負責人。

三星的努力似乎得到了回報，據悉，其 HBM3e 內存已經(jīng)通過(guò)了英偉達認證，預計第三季度開(kāi)始供貨。為了保障供貨，三星采取了大動(dòng)作，將現有 DRAM 總產(chǎn)能的 30% 劃撥給了 HBM3e。

7 月 16 日，有消息稱(chēng)，三星平澤 P4 廠(chǎng)第二期 (PH2) 產(chǎn)線(xiàn)建設將暫停，P4 廠(chǎng)主要包括 DRAM 和晶圓代工產(chǎn)線(xiàn)。按照原計劃，三星將先建設 PH1 內存產(chǎn)線(xiàn)，然后建設 PH2 代工產(chǎn)線(xiàn)，之后依次建設用于生產(chǎn) DRAM 產(chǎn)品的 PH3 內存線(xiàn)和 PH4 代工線(xiàn)?，F在，三星決定暫時(shí)停工 PH2，優(yōu)先建設 PH3 產(chǎn)線(xiàn)。

三星是全球存儲芯片龍頭，將 30% 內存產(chǎn)能劃撥給 HBM3e，算下來(lái)，全球現有 13% 的 DRAM 產(chǎn)能不再生產(chǎn) DDR4 或 DDR5 等，很可能會(huì )引發(fā)連鎖反應，特別是在消費類(lèi)電子產(chǎn)品旺季來(lái)臨之際，在供給銳減、需求大增的情況下，相關(guān) DRAM 芯片有望漲價(jià)。

作為全球 DDR4、DDR5 生產(chǎn)商中的主要企業(yè)，南亞科有望在這一波變化中受惠，該公司總座李培瑛指出，HBM、DDR5 供不應求，有望抬升 DRAM 市況，預計南亞科下半年的產(chǎn)能利用率將上升，以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。李培瑛認為，在三大原廠(chǎng)都忙于生產(chǎn) HBM 的情況下，將減少全球 DDR4 產(chǎn)出，那時(shí)，南亞科有把握調漲 DDR4 價(jià)格，在供不應求的大背景下，南亞科會(huì )有較大的議價(jià)能力。

威剛董事長(cháng)陳立白表示，目前，存儲芯片大廠(chǎng)的產(chǎn)能配置以毛利率最高的 HBM 為優(yōu)先項，之后才是一般用途的 DDR5 和 DDR4，這樣，DDR5 價(jià)格大概率會(huì )繼續上漲，DDR4 去庫存也將告一段落，價(jià)格將從 8 月開(kāi)始進(jìn)入第二波上漲周期，漲幅至少 30%。

十銓公司表示，由于 DDR5 原廠(chǎng)的供給量不足，價(jià)格仍會(huì )上漲。

在所有芯片細分領(lǐng)域，存儲器周期波動(dòng)最大，在上行周期的頂部，2010 年、2017 年存儲器銷(xiāo)售額同比增長(cháng)分別為 55%、61%，在下行周期的底部，2002 年、2019 年存儲器銷(xiāo)售額同比下降了 30%、33%。DRAM 的上一輪周期在 2017 年 12 月左右見(jiàn)頂，在 2019 年 12 月觸底，下行周期持續時(shí)間在兩年左右，隨后經(jīng)歷了一年半左右的上行周期，上一輪周期持續了 3-4 年。本輪 DRAM 周期在 2021 年 4 月見(jiàn)頂，在 2023 年 9 月觸底，10 月價(jià)格反彈。本輪下行周期持續時(shí)間已達兩年半，新一輪的 DRAM 上行周期已經(jīng)開(kāi)始。

從 2024 全年的發(fā)展趨勢來(lái)看，全球內存市場(chǎng)一直在向上走，價(jià)格也在上漲，這方面，各大市場(chǎng)研究機構都給出了統計和預測數據，各家之間沒(méi)有實(shí)質(zhì)性差異。在這樣的背景下，三星將很大一部分產(chǎn)能劃撥給 HBM 內存，是對全球存儲芯片市場(chǎng)的再一次攪動(dòng)，會(huì )起到推波助瀾的作用，它會(huì )進(jìn)一步強化全球存儲芯片市場(chǎng)自 2022~2023 年表現低迷以來(lái)，觸底反彈的增長(cháng)態(tài)勢。