SK海力士與東芝和解 提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力

東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開(kāi)發(fā)下一代半導體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷(xiāo)對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導權，取代相互耗損的專(zhuān)利訴訟。

據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長(cháng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結專(zhuān)利授權合約，并自2011年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)下一代存儲器STT-MRAM。 2014年3月因存儲器半導體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。

最后SK海力士以支付2.8億美元，相當訴訟規模27%的和解金與東芝達成協(xié)議，撤銷(xiāo)訴松。SK海力士半導體部門(mén)的專(zhuān)利相互授權合約，與產(chǎn)品供應契約也獲得延長(cháng)。通過(guò)這次的全方位合作宣言，雙方總算重修舊好。

SK海力士有關(guān)人士表示，與東芝進(jìn)行全方位的合作，不但提升技術(shù)競爭力也獲得穩定的訂單，同時(shí)解除潛在經(jīng)營(yíng)不確定性。

SK海力士最近存儲器業(yè)績(jì)亮眼，對未來(lái)新技術(shù)的主導權也顯得越來(lái)越有興趣。目前與東芝共同開(kāi)發(fā)的次世代納米壓印(Nanoimprint Lithography;NIL)技術(shù)，是在國際半導體科技藍圖(ITRS)中，被喻為能實(shí)現32納米以下微細制程的新方法。

半導體制程日趨微細化，而NIL正是實(shí)現微細圖案所必要的次世代制程技術(shù)。NIL制程與印章的原理類(lèi)似，將液態(tài)紫外線(xiàn)(UV)感光性樹(shù)脂涂布在基板之后，以透明模具加壓形成圖案，再用光源照射將圖案固定。

因為沒(méi)有使用鏡片而采用便宜的UV光源，價(jià)格競爭力遠勝極紫外光(EUV)曝光設備。與目前需耗費鉅額投資的制程技術(shù)相比，可望實(shí)現更經(jīng)濟的量產(chǎn)方式。而SK海力士與東芝若能成功開(kāi)發(fā)NIL技術(shù)，商用化后也可望進(jìn)一步強化存儲器產(chǎn)品的成本競爭力。