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mosfet 文章 進(jìn)入 mosfet技術(shù)社區
貿澤與Vishay攜手推出全新電子書(shū)介紹汽車(chē)級電子元件的新應用
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日宣布與Vishay Intertechnology, Inc.合作推出全新電子書(shū)An Automotive Grade Above（推動(dòng)汽車(chē)電子進(jìn)一步發(fā)展），探討支持電動(dòng)汽車(chē) (EV) 充電、車(chē)載信息娛樂(lè )系統等各種汽車(chē)應用所需的高性能解決方案。在這本電子書(shū)中，來(lái)自貿澤和Vishay的行業(yè)專(zhuān)家就現代汽車(chē)設計中一些富有創(chuàng )新性的技術(shù)提出了深入的見(jiàn)解，這些技術(shù)包括用于人機交互的光電傳感器和用于電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)設計的光
- 關(guān)鍵字： MOSFET
儲能領(lǐng)域蘊藏節能機會(huì ) ADI積極推動(dòng)節能減排
- ADI 公司的檢測、信號轉換和信號處理技術(shù)為全球的能源基礎設施提供支持。從發(fā)電端的發(fā)電機電流電壓監測/ 風(fēng)機振動(dòng)監測、輸電環(huán)節的導線(xiàn)舞動(dòng)監測/ 導線(xiàn)覆冰監測/ 地質(zhì)災害監測、變電環(huán)節的變壓器振動(dòng)監測到配電環(huán)節故障指示以及用電環(huán)節的電力計量，從微電網(wǎng)和公用事業(yè)到數據中心和工廠(chǎng)，再到最大限度提高可再生能源利用率及支持電動(dòng)汽車(chē)充電樁的大規模部署，ADI的高性能半導體解決方案可幫助合作伙伴設計智能、靈活、高效的電力與能源系統。ADI中國汽車(chē)技術(shù)市場(chǎng)?高級經(jīng)理 王星煒1? ?儲能系統B
- 關(guān)鍵字： 202107 MOSFET 儲能
超結高壓MOSFET驅動(dòng)電路及EMI設計
- 分析了超結結構功率MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線(xiàn)性產(chǎn)生更快開(kāi)關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅動(dòng)參數對開(kāi)關(guān)過(guò)程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅動(dòng)電路開(kāi)關(guān)波形及開(kāi)關(guān)性能的變化。最后，設計了優(yōu)化驅動(dòng)電路，實(shí)現優(yōu)化的EMI結果，并給出了相應驅動(dòng)電路的EMI測試結果。
- 關(guān)鍵字： 202106 超結 驅動(dòng) EMI 非線(xiàn)性 MOSFET
ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出內置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設備和基站（冷卻風(fēng)扇）的電機驅動(dòng)。近年來(lái)，為了支持工業(yè)設備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅動(dòng)的器件，需要具備考慮到電壓穩定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進(jìn)一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開(kāi)關(guān)工作的要求。在這種背景下，
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia新8英寸晶圓線(xiàn)啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數80 V/100 V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質(zhì)因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
安森美半導體推出創(chuàng )新的超高密度離線(xiàn)電源方案
- 推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專(zhuān)用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線(xiàn)電源方案集的新成員。在傳統的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實(shí)現類(lèi)似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開(kāi)關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著(zhù)提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開(kāi)關(guān)類(lèi)型，無(wú)論是超級結
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率器件的演變
- 隨著(zhù)世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車(chē)、暖通空調（HVAC）和工業(yè)驅動(dòng)更加電氣化，電力需求只會(huì )增加。在每個(gè)功率級（發(fā)電、配電、轉換和消耗）所能達到的能效將決定整個(gè)電力基礎設施的負擔增加程度。在每個(gè)功率級，能效低會(huì )導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。更高能效的半導體意味著(zhù)更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
- 關(guān)鍵字： 202105 MOSFET
ROHM推出內置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調、路燈等工業(yè)設備，開(kāi)發(fā)出內置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來(lái)，隨著(zhù)節能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節能、更小型的SiC功率半導體的應用越來(lái)越廣。而另一方面，在工業(yè)設備中，除了主電源電路之外，還內置有為各種控制系統提供電源電壓的輔助電源，但出于設計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
東芝為電動(dòng)助力轉向打造電機驅動(dòng)系統核心
- 隨著(zhù)汽車(chē)電氣和電子系統設計日趨復雜化，汽車(chē)電子系統的安全性逐漸成為消費者與廠(chǎng)商衡量新一代汽車(chē)產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車(chē)功能是否安全，如何減少、規避駕駛過(guò)程中遇到的各類(lèi)風(fēng)險，如何做到汽車(chē)功能安全等問(wèn)題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車(chē)功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統故障而導致的不合理風(fēng)險。由于電子控制器失效的可預見(jiàn)性非常低，為了保證即使出現部分電子器件故障，汽車(chē)系統也能在短期（故障容錯時(shí)間內）內安全運行，需要進(jìn)行功能安全防護。
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET
碳化硅用于電機驅動(dòng)
- 0? ?引言近年來(lái)，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實(shí)現更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽(yáng)能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進(jìn)入市場(chǎng)的時(shí)間比氮化鎵長(cháng)，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅動(dòng)的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來(lái)越多的應用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進(jìn)行了輸出功率和開(kāi)關(guān)頻率比較。前言隨著(zhù)汽車(chē)電動(dòng)化推進(jìn)，智能充電基礎設施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內部的V2G車(chē)輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
貿澤電子與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議
- 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿澤開(kāi)始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線(xiàn)包括高度可靠的汽車(chē)級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽(yáng)能系統和ESS應用的快速開(kāi)關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結構，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統（ESS）這樣的快速開(kāi)關(guān)應用，還有助于提高太陽(yáng)能系統的額定功率和能效，并可滿(mǎn)足對1500 V DC-link太陽(yáng)能系統與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專(zhuān)為在整個(gè)功率因數（cos φ）范
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛星及航空電源解決方案認證
- 空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽(yáng)和電磁事件的影響，因為這類(lèi)事件會(huì )降低空間系統的性能并干擾運行。為滿(mǎn)足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉換電路提供了主要的開(kāi)關(guān)元件，包括負載點(diǎn)轉換器、DC-DC轉換器、電
- 關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對 mosfet的理解，并與今后在此搜索 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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