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安森美半導體在A(yíng)PEC 2021發(fā)布新的用于電動(dòng)車(chē)充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案

推動(dòng)高能效創(chuàng )新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進(jìn)一步增強其用于充滿(mǎn)挑戰的電動(dòng)車(chē) (EV) 市場(chǎng)的產(chǎn)品系列。隨著(zhù)電動(dòng)車(chē)銷(xiāo)售不斷增長(cháng)，必須推出滿(mǎn)足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò )，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設計人員面
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三星首款MOSFET冰箱變頻器采用英飛凌600V功率產(chǎn)品

英飛凌科技向三星電子供應具有最高能源效率及最低噪音的功率產(chǎn)品。這些功率裝置已整合在三星最新款的單門(mén)式(RR23A2J3XWX、RR23A2G3WDX)與FDR(對開(kāi)式：RF18A5101SR)變頻式冰箱。變頻是當代變頻器設計中，采用直流轉交流的新興轉換趨勢。與傳統的開(kāi)/關(guān)控制相比，能讓產(chǎn)品應用更安靜平穩地運轉，同時(shí)也減少平均耗電量。三星首款在壓縮機中使用分立式裝置設計的冰箱，采用英飛凌多款電源解決方案：EiceDRIVER、CoolSET Gen 5，以及壓縮機馬達用的 600V CoolMO
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東芝推出用于隔離式固態(tài)繼電器的光伏輸出光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出采用薄型S06L封裝的新款光伏輸出光耦（“光伏耦合器”）---“TLP3910”，適用于驅動(dòng)高壓功率MOSFET的柵極，這類(lèi)MOSFET用于實(shí)現隔離式固態(tài)繼電器（SSR）[1]功能。今日開(kāi)始批量出貨。SSR是以光電可控硅、光電晶體管或光電晶閘管為輸出器件的半導體繼電器，它適用于對大電流執行開(kāi)／關(guān)控制的應用。光伏耦合器是一種內置光學(xué)器件但不具有用于執行開(kāi)關(guān)功能的MOSFET的光繼電器。在配置隔離式SSR設計時(shí)，通過(guò)將光伏耦合器與MOSFET結合使用，便
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應用實(shí)現更高功率密度

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
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電子工程師必備！40個(gè)模擬電路小常識

隨著(zhù)半導體技術(shù)和工藝的飛速發(fā)展，電子設備得到了廣泛應用，而作為一名電力工程師，模擬電路是一門(mén)很基礎的課，對于學(xué)生來(lái)說(shuō)，獲得電子線(xiàn)路基本知識、基本理論和基本技能,能為深入學(xué)習電子技術(shù)打下基礎。1. 電接口設計中，反射衰減通常在高頻情況下變差，這是因為帶損耗的傳輸線(xiàn)反射同頻率相關(guān)，這種情況下，盡量縮短PCB走線(xiàn)就顯得異常重要。2. 穩壓二極管就是一種穩定電路工作電壓的二極管，由于特殊的內部結構特點(diǎn)，適用反向擊穿的工作狀態(tài)，只要限制電流的大小，這種擊穿是非破壞性的。3. PN結具有
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晶體管分類(lèi)有哪些？收藏這一張圖就夠了！

本文來(lái)自公眾號：8號線(xiàn)攻城獅，主要介紹了晶體管分類(lèi)，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數和特性。
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制

溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來(lái)監控溫度。半導體硅PTC熱敏電阻可以很好進(jìn)行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線(xiàn)性度。無(wú)論傳感器采用表面貼裝器件、引線(xiàn)鍵合裸片還是燒結裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過(guò)熱或外部溫度過(guò)高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點(diǎn)，采用模擬電路仿真的方法說(shuō)明功率模
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集中供電電源的設計與實(shí)現*

用于消防控制系統的集中供電電源應具備不間斷供電的特性，能夠進(jìn)行電池充電及智能顯示。本文通過(guò)半橋拓撲設計主電電路，以STM8S003F3P作為電源的控制單片機，使用繼電器控制電路實(shí)現主備電無(wú)縫切換，使用電池充電電路對蓄電池進(jìn)行智能充電管理，最后搭建實(shí)際電路進(jìn)行驗證。驗證結果表明：設計的集中供電電源輸出性能指標較高，且能夠實(shí)現不間斷供電及電池充電功能，滿(mǎn)足消防控制系統供電要求。
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通過(guò)節省時(shí)間和成本的創(chuàng )新技術(shù)降低電源中的EMI

隨著(zhù)電子系統變得越來(lái)越密集并且互連程度越來(lái)越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統設計考慮因素。鑒于 EMI 可能在后期嚴重阻礙設計進(jìn)度，浪費大量時(shí)間和資金，因此必須在設計之初就考慮 EMI 問(wèn)題。開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 是現代技術(shù)中普遍使用的電路之一，在大多數應用中，該電路可提供比線(xiàn)性穩壓器更大的效率。但這種效率提高是有代價(jià)的，因為 SMPS 中功率金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管(MOSFET) 的開(kāi)關(guān)會(huì )產(chǎn)生大量 EMI，進(jìn)而影響電路可靠性。EMI 主要來(lái)自不連續的輸入電流、開(kāi)關(guān)節
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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安森美半導體高能效方案賦能機器人創(chuàng )新，助力工業(yè)自動(dòng)化升級

工業(yè)自動(dòng)化簡(jiǎn)單說(shuō)來(lái)指從人力制造轉向機器人制造，涉及信息物理系統(CPS)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)/工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)(IIoT)、云計算(Cloud Computing)和人工智能(AI)等多種技術(shù)，可實(shí)現經(jīng)濟增長(cháng)和利潤最大化，提高生產(chǎn)效率，并避免人力在執行某些任務(wù)時(shí)的安全隱患。安森美半導體為工業(yè)自動(dòng)化提供全面的高能效創(chuàng )新的半導體方案。其中，機器人半導體方案構建框圖如圖1所示。圖1?工業(yè)自動(dòng)化-機器人半導體方案構建框圖電機控制設計人員可采用安森美半導體的無(wú)刷直流電機(BLDC)控制器實(shí)現BLDC電機控制，如高
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功率半導體－馬達變頻器內的關(guān)鍵組件

全球有約 30% 的發(fā)電量用于驅動(dòng)工業(yè)應用中的馬達，而全球工業(yè)產(chǎn)業(yè)消耗的能源量預期到 2040 年將成長(cháng)一倍。隨著(zhù)對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來(lái)提升驅動(dòng)馬達用電效率的需求將會(huì )越來(lái)越顯著(zhù)。
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功率器件和被動(dòng)元件點(diǎn)亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見(jiàn)

2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會(huì )展中心圓滿(mǎn)落幕，展會(huì )與第九屆中國電子信息博覽會(huì )（CITE2021）同期舉辦，現場(chǎng)有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬(wàn)件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時(shí)，博覽會(huì )期間還舉辦了近100場(chǎng)同期活動(dòng)，吸引了超過(guò)10萬(wàn)名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)，500余萬(wàn)觀(guān)眾線(xiàn)上觀(guān)展。據主辦方介紹，展會(huì )以“創(chuàng )新驅動(dòng) 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會(huì )議和現場(chǎng)活動(dòng)三大板塊聯(lián)動(dòng)，三位一體，亮點(diǎn)紛呈。亮點(diǎn)一展覽：展示最新產(chǎn)品?9號館——基礎
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碳化硅技術(shù)如何變革汽車(chē)車(chē)載充電

日趨嚴格的CO2排放標準以及不斷變化的公眾和企業(yè)意見(jiàn)在加速全球電動(dòng)汽車(chē)(EV)的發(fā)展。這為車(chē)載充電器(OBC)帶來(lái)在未來(lái)幾年巨大的增長(cháng)空間，根據最近的趨勢，到2024年的復合年增長(cháng)率(CAGR(TAM))估計將達到37.6%或更高。對于全球OBC模塊正在設計中的汽車(chē)，提高系統能效或定義一種高度可靠的新拓撲結構已成為迫在眉睫的挑戰。用于單相輸入交流系統的簡(jiǎn)單功率因數校正(PFC)拓撲結構(圖1)是個(gè)傳統的單通道升壓轉換器。該方案包含一個(gè)用于輸入交流整流的二極管全橋和一個(gè)PFC控制器，以增加負載的功率因數，從
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Vishay推出全球領(lǐng)先的汽車(chē)級80 V P溝道MOSFET，以提高系統能效和功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日推出通過(guò)AEC-Q101認證、全球先進(jìn)的p溝道80 V TrenchFET? MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP導通電阻達到80 V p溝道器件優(yōu)異水平，可提高汽車(chē)應用功率密度和能效。SQJA81EP采用歐翼引線(xiàn)結構5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK? SO-8L小型單體封裝，10 V條件下最大導通電阻僅為17.3 mW /典型值為14.3 mW。日前發(fā)布的汽車(chē)級M
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