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ROHM開(kāi)發(fā)出實(shí)現超低導通電阻的第五代Pch MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓?jiǎn)螛O型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場(chǎng)業(yè)績(jì)的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實(shí)現了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
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Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個(gè)周期測試的 可靠重復雪崩性能
- 半導體基礎元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專(zhuān)用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點(diǎn)關(guān)注動(dòng)力系統應用。該技術(shù)已通過(guò)十億個(gè)雪崩周期測試，可用于汽車(chē)感性負載控制，例如電磁閥和執行器。除了提供更快的關(guān)斷時(shí)間（高達4倍）外，該技術(shù)還能通過(guò)減少BOM數量簡(jiǎn)化設計。 在汽車(chē)動(dòng)力總成中的電磁閥和執行器控制領(lǐng)域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著(zhù)升壓、續流二極管或主動(dòng)鉗位拓撲結構進(jìn)行構建。第四個(gè)選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來(lái)泄放在其關(guān)
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簡(jiǎn)化汽車(chē)車(chē)身電機控制器設計，快速實(shí)現輕量化
- 無(wú)論是調整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開(kāi)行李箱，車(chē)身電子設備系統都可使用電機來(lái)提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動(dòng)裝置。但將MOSFET用作開(kāi)關(guān)給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動(dòng)以及診斷與保護）帶來(lái)了新的技術(shù)性挑戰。德州儀器開(kāi)發(fā)的集成電路（IC）電機驅動(dòng)器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰，同時(shí)減小解決方案尺寸并縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰、集成到電機驅動(dòng)集成電路中
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照明的光明未來(lái)
- 要有（電）燈！但誰(shuí)負責點(diǎn)亮呢？有許多人聲稱(chēng)自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點(diǎn)鋪平了道路。我們可能無(wú)法查明確切的“發(fā)現”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛(ài)迪生（Thomas Edison）申請了第一個(gè)商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專(zhuān)利[[1]]。除了細絲材料的微小改進(jìn)，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時(shí)起直到最近基本上一直在使用愛(ài)迪生的古老技術(shù)。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過(guò)去的一二十年中，照明技術(shù)發(fā)生了根本性的變化，在大多數住宅和商業(yè)設施中
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三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線(xiàn)
- 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 -- 三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過(guò)一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅動(dòng)等應用領(lǐng)域，有助于減小系統體積，降低系統功耗，提升電源系統功率密度。目前多家客戶(hù)處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著(zhù)中
- 關(guān)鍵字： 三安集成 碳化硅 MOSFET
占空比的上限
- 開(kāi)關(guān)穩壓器使用占空比來(lái)實(shí)現電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時(shí)間(TON)與整個(gè)周期時(shí)長(cháng)（關(guān)斷時(shí)間(TOFF)加上導通時(shí)間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡(jiǎn)單關(guān)系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說(shuō)明中，這些并不是決定性因素。開(kāi)關(guān)穩壓器的占空比由各自的開(kāi)關(guān)穩壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關(guān)系僅適用于連續導通模式(CCM)。在這個(gè)模式下，電感電流在時(shí)間段T
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iCoupler技術(shù)為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來(lái)諸多優(yōu)勢
- 大規模數據中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(cháng)，因此高效AC/DC電源對于電信和數據通信基礎設施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開(kāi)關(guān)損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實(shí)現更高的電流操作，從
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應用筆記140 - 第3/3部分：開(kāi)關(guān)電源組件的設計考慮因素
- 開(kāi)關(guān)頻率優(yōu)化一般來(lái)講，開(kāi)關(guān)頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進(jìn)負載瞬態(tài)響應。但是，開(kāi)關(guān)頻率更高也意味著(zhù)與交流相關(guān)的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來(lái)限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開(kāi)關(guān)頻率可高達幾MHz。每個(gè)設計的最優(yōu)頻率都是通過(guò)仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數實(shí)現的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
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宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹(shù)立全新性能基準
- 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導廠(chǎng)商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進(jìn)氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類(lèi)音頻放大器、汽車(chē)信息娛樂(lè )系統、DC/DC轉換器（硬開(kāi)關(guān)和諧振式）和面向全自動(dòng)駕駛汽車(chē)、機械人及無(wú)人機的激光雷達系統。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
- 關(guān)鍵字： MOSFET QRR QG
應用筆記140 第2/3部分 - 開(kāi)關(guān)模式電源基礎知識
- 為何使用開(kāi)關(guān)模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開(kāi)關(guān)模式而非線(xiàn)性模式下運行。這意味著(zhù)，當晶體管導通并傳導電流時(shí)，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關(guān)斷并阻止高電壓時(shí)，電源路徑中幾乎沒(méi)有電流。因此，半導體晶體管就像一個(gè)理想的開(kāi)關(guān)。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線(xiàn)性穩壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開(kāi)關(guān)模式同步降壓電源通?？蓪?shí)現90%以上的效率，而線(xiàn)性穩壓器的效率不到27.5%。這意味著(zhù)功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應用重要優(yōu)值系數（FOM）為854 mΩ*nC。節省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專(zhuān)門(mén)用來(lái)提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
健康催生可穿戴多功能需求
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備，可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： MOSFET VR MR CGM IDC 202009
ROHM為新基建帶來(lái)的功率器件和電源產(chǎn)品
- 1 無(wú)線(xiàn)基站羅姆（ROHM）針對無(wú)線(xiàn)基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開(kāi)關(guān)、低導通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開(kāi)關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導通
- 關(guān)鍵字： 耐高壓 MOSFET DC/DC 202009
有助于減輕激光光源電路的設計負擔并提高測距精度
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過(guò)提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識別和測距系統（TOF系統*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來(lái)驅動(dòng)光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線(xiàn)長(cháng)度（寄生電感*3）無(wú)意中會(huì )影響光源的驅動(dòng)時(shí)間和輸出功率，這就對實(shí)現高精度感應所需的短脈沖大功率光源帶來(lái)了局限性。ROHM此項新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
- 關(guān)鍵字： MOSFET VCSEL TOF AGV
內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片
- 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開(kāi)關(guān)電源控制IC后，為滿(mǎn)足客戶(hù)對更多功率段的需求，金升陽(yáng)推出內置高壓MOS管和高壓?jiǎn)?dòng)的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內置高壓MOS 管功率開(kāi)關(guān)的原邊控制開(kāi)關(guān)電源（PSR），采用PFM 調頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩定性和平均效率非常高。由于集成高壓?jiǎn)?dòng)，可以省去外圍的啟動(dòng)電阻，實(shí)現低損耗可靠啟動(dòng)。同時(shí)，該芯片具有可調節線(xiàn)性補償功能和內置峰值電流補償功能，輸出功率最大可達8W。二、產(chǎn)品應用可廣泛應用于A(yíng)C
- 關(guān)鍵字： MOSFET PSR IC RFM
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