TSV產(chǎn)值2013年可達140億~170億美元　滲透率達5%

　　國際半導體展(Semicon Taiwan 2009)的3D IC論壇近日熱鬧展開(kāi)，日月光集團研發(fā)處總經(jīng)理唐和明再次強調未來(lái)3年后3D IC技術(shù)將會(huì )進(jìn)入成熟階段，3D系統級封裝(SiP)和3D系統單芯片(SoC)可望相輔相成。很多封裝方式可以藉著(zhù)矽穿孔(Through Silicon Via;TSV)降低成本、增加傳輸速度，研究機構Gartner預估TSV全球產(chǎn)值到2013年可望達到140億~170億美元，屆時(shí)將有5~6%的全球裝置采用。

　　在1日的3D IC前瞻科技論壇中，現場(chǎng)座無(wú)虛席，顯示不少業(yè)界人士對于先進(jìn)的封裝技術(shù)相當有興趣。擔任開(kāi)場(chǎng)演講的日月光集團研發(fā)處總經(jīng)理唐和明表示，過(guò)去幾年來(lái)，3D IC的技術(shù)發(fā)展迅速，現今3D IC的時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨，包括鏡頭模塊用影像傳感器已導入3D IC，并開(kāi)始量產(chǎn)，預期未來(lái)到2012~2015年此技術(shù)將會(huì )擴及到CPU、基頻IC、手機芯片IC等領(lǐng)域，在此3年內3D IC的技術(shù)將會(huì )進(jìn)入成熟階段。

　　唐和明表示，隨著(zhù)消費性電子產(chǎn)品走向輕薄且功能復雜化，但晶粒的設計卻不能無(wú)限放大。以臺北信義區土地為例，在有限的土地面積上，可以興建101的世界高樓，3D IC的設計就是立體堆疊的概念。把晶粒磨得很薄之后，在上面放上1、2顆的IC，可達到體積縮小、功能放大的效果。隨著(zhù)摩爾定律放緩，SoC技術(shù)會(huì )繼續走下去，而SiP應用也會(huì )愈來(lái)愈多，2者會(huì )相輔相成。

　　隨后接棒發(fā)表演說(shuō)的Gartner半導體研究的首度分析師Mark Stromberg表示，有很多封裝設計可以藉TSV以達到最佳電訊傳輸效率。結合TSV技術(shù)在晶圓厚度方向的優(yōu)點(diǎn)，3D IC SiP封裝技術(shù)不僅產(chǎn)品上市時(shí)間快于SoC，也可提供與SoC互相搭配的封裝解決方案。

　　Stromberg并預估TSV到2013年的全球產(chǎn)值約140億~170億美元，占全球裝置市場(chǎng)的比重約5~6%，其中到2013年存儲器應用TSV的產(chǎn)值約40億~50億美元。目前采用TSV最大宗的裝置應用為微機電(MEMS)和影像傳感器，預期到2010年采用范圍可以擴大至DSP、NAND Flash、DRAM、RF和通訊IC等，2011年將可延伸到繪圖芯片、電源供應器和功率放大器等。

　　Stromberg認為，TSV目前仍面臨多方挑戰，包括測試、3D CAD Tools、材料、設備等，但這也是另一波的商機。他預估TSV設備2013年產(chǎn)值約為12億美元。