爾必達：計劃明年轉向40nm制程技術(shù)

　　據透露，為了防止在與韓國對手的競爭中落在后面，日本爾必達內存公司計劃明年內轉向使用40nm制程技術(shù)，而在40nm制程技術(shù)完全成熟之前，爾必達將采 用50nm制程技術(shù)作為過(guò)渡性的制程技術(shù)。目前，爾必達公司剛剛在65nm制程技術(shù)基礎上開(kāi)發(fā)出了60nm制程技術(shù)。不過(guò)爾必達曾計劃直接 跳過(guò)50nm制程進(jìn)入40nm階段，但由于受到經(jīng)濟危機的影響未能成行。

　　目前韓國三星電子已經(jīng)在使用40nm 6F2技術(shù)生產(chǎn)內存芯片，而到40nm制程技術(shù)成熟時(shí)，三星還將推出4F2技術(shù)。

　　美國鎂光公司則已經(jīng)在110nm制程中采用了6F2技術(shù)，不過(guò)他們同樣計劃明年開(kāi)始使用40nm制程技術(shù)，并于同年40nm 6F2技術(shù)成熟后啟用4F2技術(shù)。

　　臺灣內存廠(chǎng)商部分，南亞以及華亞則有望在采用40nm制程方面走在臺灣同僚的前面。南亞，華亞曾表示會(huì )在明年轉向50nm制程。

　　另外，爾必達日前剛剛宣布收購了奇夢(mèng)達的顯存部門(mén)并獲得了該公司有關(guān)顯存技術(shù)的授權。爾必達與奇夢(mèng)達2008年曾簽訂共同開(kāi)發(fā)內存技術(shù)的協(xié)議，按這份協(xié)議，兩家公司將共同開(kāi)發(fā)40nm 4F2技術(shù)，并在明年推出這項技術(shù)。

　　小資料：

　　8F2、6F2、4F2的DRAM技術(shù)，是在利用現有的DRAM制程技術(shù)上，不增加其他機器設備開(kāi)發(fā)成本下，在相同面積的晶圓片上，透過(guò)設計概念的改變方式，增加晶圓的產(chǎn)出顆數，提升產(chǎn)出和成本效率。在同一個(gè)世代的制程下，6F2設計概念可比8F2設計增加約15%的晶圓顆數，而4F2又可比8F2技術(shù)增加30%產(chǎn)出，因此DRAM廠(chǎng)之要成功做出此款的設計，在不需要增加設備成本之下，可輕易提升生產(chǎn)效率。