薄晶圓系統提高批量制造超薄晶圓處理能力

　　基于極其成功的Galaxy印刷設備，得可已利用卓越的精準技術(shù)開(kāi)發(fā)了專(zhuān)門(mén)處理超薄晶圓的系統。新的Galaxy薄晶圓系統提供杰出的穩定性、工藝能力提高到Cp>2@+/-12.5μm、并擁有先進(jìn)的速度和加速控制，確保強健地處理當今易損的晶圓產(chǎn)品。

　　Galaxy薄晶圓系統的杰出工藝能力核心是專(zhuān)業(yè)設計的晶圓托盤(pán)，提供輸送和加工75微米薄晶圓時(shí)正確固定晶圓所需的支撐和穩定性。約400毫米見(jiàn)方的得可晶圓托盤(pán)，平整度小于10微米，且能容納300毫米大的晶圓。仔細的選擇和多孔材料的使用確保薄晶圓的安全固定，并采用當今任一最復雜的封裝技術(shù)成功地進(jìn)行工藝處理，技術(shù)包括DirEKtBallPlacement、DirEKtCoat晶圓背覆涂層、保護性涂層印刷、熱界面材料涂敷、晶圓凸起和密封劑涂敷。此外，新的托盤(pán)技術(shù)還提供多功能性，能支持不同尺寸和厚度的晶圓。

　　Galaxy薄晶圓系統擁有穩健的軌道系統和精密的輸送技術(shù)，提供傳送裝載晶圓托盤(pán)進(jìn)出批量印刷設備所需的支撐和運動(dòng)控制。扁平帶齒的系統輸送帶通過(guò)一個(gè)伺服馬達驅動(dòng)，提供對晶圓托盤(pán)支撐和穩定性關(guān)鍵的接觸大面積，及無(wú)與倫比的速度、加速和定位控制。

　　而Galaxy薄晶圓系統上配備的得可獲獎的DirEKtCoat工藝，用于25微米厚的芯片粘接劑和其他涂層的涂敷，工藝能力現達到Cp>2@+/-12.5微米，并在150微米厚的200毫米直徑的薄晶圓上的總厚度差(TTV)只有7微米。新系統提供的其他工藝延伸包括以300微米間距置放200微米焊球的高良率首次通過(guò)、精密熱界面材料涂敷和晶圓凸起。

　　“下一代Galaxy薄晶圓系統提供了替代傳統薄晶圓材料涂敷方式的高速、高精度技術(shù)。”得可半導體和可替代應用經(jīng)理DavidFoggie說(shuō)：“憑借處理從晶圓涂層、植球到封裝等各種工藝的能力，且都以卓越的精度處理75微米的薄晶圓，Galaxy薄晶圓系統正推動(dòng)工藝向現代半導體應用發(fā)展，但我們還有很長(cháng)的路要走。”

　　作為先進(jìn)半導體應用發(fā)展的關(guān)鍵開(kāi)發(fā)設備，Galaxy薄晶圓系統的發(fā)展藍圖是宏偉的，但不會(huì )超出得可的創(chuàng )新技術(shù)專(zhuān)業(yè)范圍之外?？芍貜偷?0微米晶圓印刷、低于100微米的高良率植球，不需特別基準點(diǎn)而提供晶圓對位能力的對位演算和視覺(jué)系統的創(chuàng )新使用，均為目前的首要任務(wù)。

　　“我們期待在三到五年的時(shí)間，設計出適用于未來(lái)的系統。”Foggie說(shuō)：“客戶(hù)想要能滿(mǎn)足他們不斷變化需求的技術(shù)，而得可的Galaxy薄晶圓系統正如所愿。”