三星宣布投產(chǎn)40納米8Gb融合閃存芯片
三星稱(chēng),通過(guò)采用40nm新工藝和8Gb大容量,Flex-OneNAND閃存芯片的生產(chǎn)效率可比上一代60nm 4Gb提高最多180%。40nm Flex-OneNAND當前主要面向智能手機,不過(guò)三星認為今年底就會(huì )走入全高清電視、網(wǎng)絡(luò )電視(IPTV)和其他高端應用領(lǐng)域,而且隨著(zhù)數據傳輸率的提高,會(huì )有越來(lái)越多的高端手機集成1GB乃至32GB嵌入式內存。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/92342.htm
評論