三星位居龍頭 閃存芯片廠(chǎng)商營(yíng)收排行

　　受到4Q07 NAND Flash價(jià)格劇跌的影響，品牌NAND Flash廠(chǎng)商3Q07整體營(yíng)收表現微幅下跌成為US.8bn，比3Q07營(yíng)收QoQ小幅減少了2.7%，由于3Q07末次級房貸所引發(fā)的金融市場(chǎng)風(fēng)暴延燒到4Q07，造成傳統歐美年終采購旺季需求不如預期，再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運轉更順暢，使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長(cháng)約45%，因此也造成NAND Flash市場(chǎng)由3Q07的供貨吃緊轉為4Q07的小幅供過(guò)于求，同時(shí)市場(chǎng)對1Q08全球經(jīng)濟成長(cháng)趨緩的預期心理，更加劇了NAND Flash價(jià)格的急跌現象，4Q07 NAND Flash平均價(jià)格QoQ下跌約33%。

　　就4Q07營(yíng)收排行而言，Samsung仍然居于龍頭地位，Toshiba & Hynix分居二、三名，但兩者的市占率隨著(zhù)Micron & Intel的市占率提升而呈小幅下滑，4Q07 Top 4 NAND Flash陣營(yíng)Samsung、Toshiba、Hynix/STMicro & IM Flash的營(yíng)收，合計約占整體品牌NAND Flash市場(chǎng)的98.7%，未來(lái)將形成四強爭鋒的新局面?？傆?007年NAND Flash整體品牌廠(chǎng)商營(yíng)收達到US$ 13.3bn，同時(shí)2007年NAND Flash市占率Top 5廠(chǎng)商排名也與4Q07順位相同。

　　Samsung 4Q07 NAND Flash營(yíng)收市占率為41.2%，比3Q07稍微提高，再度居于NAND Flash廠(chǎng)商龍頭地位，在新的51nm制程產(chǎn)品逐漸增加下，4Q07位出貨量QoQ成長(cháng)了44%，但受到NAND Flash價(jià)格大幅下跌的影響，4Q07營(yíng)收QoQ僅呈現持平狀況，4Q07營(yíng)收為US$ 1.581bn。

　　Toshiba 4Q07 NAND Flash營(yíng)收市占率為22.4%，比3Q07小幅下滑，仍居于NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收亞軍的地位，雖然Toshiba新的56nm制程產(chǎn)出量在4Q07已明顯增加，但NAND Flash的價(jià)格大幅下跌，仍使營(yíng)收呈現QoQ下跌11.4%的狀況，4Q07營(yíng)收為US$ 858m。

　　Hynix 4Q07 NAND Flash營(yíng)收市占率為20.9%，比3Q07小幅下滑，仍居于NAND Flash廠(chǎng)營(yíng)收季軍地位，雖然Hynix已在4Q07將200mm廠(chǎng)的制程技術(shù)由60nm再升級到57nm，使得4Q07比特出貨量QoQ成長(cháng)了43%，但同時(shí)ASP QoQ也下跌了34%，因此4Q07仍呈現QoQ下跌7.9%的狀況，4Q07營(yíng)收為US$ 802m。

　　Intel與Micron在4Q07隨著(zhù)50 nm制程的量產(chǎn)，與新的300mm Fab Lehi正式量產(chǎn)下，4Q07比特出貨QoQ成長(cháng)達65%，能夠抵銷(xiāo)部份價(jià)格下跌的影響，使得4Q07營(yíng)收QoQ仍然持續的成長(cháng)約15%以上，因此Micron & Intel 4Q07營(yíng)收分別達到US$ 307m及US$ 146m，同時(shí)Micron & Intel的4Q07市占率也分別較3Q07提高到8%及3.8%。

　　STMicro 4Q07雖然有手機相關(guān)NAND Flash應用的需求，及Hynix產(chǎn)能支持下比特出貨量持續成長(cháng)，但NAND Flash價(jià)格的大幅下跌，使得4Q07營(yíng)收QoQ呈現持平狀況，4Q07市占率成為2.4%，另外Renesas 4Q07持續減少AG-AND Flash的生產(chǎn)量，雖然合作伙伴PSC 4Q07已經(jīng)開(kāi)始投入70nm MLC NAND Flash的生產(chǎn)，但是價(jià)格的大幅下跌仍使Renesas/PSC陣營(yíng)4Q07營(yíng)收QoQ下跌了33.3%，市占率成為1.3%。