Aviza和SEZ就晶圓污染控制的技術(shù)展開(kāi)合作

　　美國Aviza科技公司和澳大利亞SEZ集團日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）技術(shù)形成高介電常數（high-k）膜時(shí)，對附著(zhù)在晶圓頂端或背面而造成元件污染的薄膜進(jìn)行清除的技術(shù)達成了合作協(xié)議（發(fā)布資料1）。 

　　避免high-k材料造成污染的風(fēng)險 

　　ALD技術(shù)可用于形成high-k膜，目前業(yè)界正在探討將其導入45nm工藝（hp65）以后的晶體管中。與真空濺鍍法相比，能夠形成均質(zhì)薄膜且覆蓋率高；另一方面，晶圓的頂端和背面則容易堆積薄膜?？衫肁LD技術(shù)形成的high-k膜材料包括HfO2、HfSixO和HfSiON等金屬氧化物，這些附著(zhù)在晶圓頂端和背面的薄膜往往會(huì )產(chǎn)生污點(diǎn)，或者通過(guò)工藝設備產(chǎn)生污染。因此，必須在保護晶圓表面即將配備元件的部位的同時(shí)，利用藥劑通過(guò)蝕刻法清除這些多余的薄膜。但是，在這種過(guò)程中則面臨著(zhù)因過(guò)度蝕刻而使晶圓的平坦性和均質(zhì)性遭到破壞的危險。 

　　此次展開(kāi)合作的雙方——ALD設備廠(chǎng)商Aviza科技公司和單枚濕式處理技術(shù)開(kāi)發(fā)商SEZ集團，將利用后者擁有的“旋涂工藝技術(shù)”，聯(lián)合開(kāi)發(fā)對晶圓損傷較小的ALD膜清除技術(shù)。旋涂工藝技術(shù)由于能夠在帶圖案的晶圓正面朝下的狀態(tài)下進(jìn)行處理，因此通過(guò)控制藥劑濺到晶圓正面，就能減輕對晶圓造成的損傷。 

　　還將著(zhù)手解決采用金屬柵時(shí)對晶圓造成的損傷 

　　另外，SEZ集團同時(shí)還與從事工業(yè)及醫療氣體與藥品生產(chǎn)的法國Air Liquide公司達成了技術(shù)合作協(xié)議（發(fā)布資料2）。根據協(xié)議，雙方將聯(lián)合開(kāi)發(fā)在形成預計將在45nm工藝（hp65）以后的工藝技術(shù)中與high-k膜同時(shí)導入的金屬柵時(shí)，用于清除附著(zhù)在晶圓頂端和背面的薄膜的清除技術(shù)。作為金屬柵候選材料之一的Ru（釕）存在著(zhù)化學(xué)活性低，難以利用藥劑進(jìn)行清除的問(wèn)題，雙方將共同致力于解決這一課題。