采用無(wú)損耗封裝的高性能汽車(chē)TrenchMOS MOSFET

皇家飛利浦電子公司今天宣布擴展其汽車(chē)電源解決方案，正式推出采用飛利浦無(wú)損耗封裝（LFPAK）的高性能汽車(chē)（HPA）TrenchMOS MOSFET。

以上設備結合了飛利浦在汽車(chē)領(lǐng)域的經(jīng)驗和TrenchMOS技術(shù)，用以滿(mǎn)足汽車(chē)行業(yè)的特定需求。飛利浦采用無(wú)損耗封裝技術(shù)的MOSFET，在非常緊密的小包裝情況下具備加強的熱性能表現，對于引擎管理系統和汽車(chē)發(fā)動(dòng)機驅動(dòng)等高標準應用是非常理想的選擇。

飛利浦的LFPAK兼具SO8封裝尺寸小的優(yōu)點(diǎn)和DPAK等較大封裝的良好熱性能，亞洲的設計工程師可用它實(shí)現兩個(gè)主要功能：改善應用的熱性能并節省電路板空間。加強的熱性能具備更快的開(kāi)關(guān)能力，并在易于散熱的同時(shí)保持最低的工作溫度。

LFPAK還能向上傳導大量能量，并通過(guò)源極引腳向外散熱，熱阻低于SO8封裝，可與DPAK和D2PAK等更大的封裝形式相媲美。

BUK9Y19-55B、BUK9Y40-55B和BUK9Y30-75B是采用了這項領(lǐng)先技術(shù)即將推出的新設備，均在邏輯電平工作，額定工作溫度為175攝氏度。

供貨時(shí)間
飛利浦采用無(wú)損耗封裝(LFPAK)的高性能汽車(chē)(HPA) MOSFET 現已上市。