聯(lián)電14納米 下季試產(chǎn)

　　聯(lián)電積極擴充28奈米產(chǎn)能，預計今年中月產(chǎn)能可達2萬(wàn)片，28奈米毛利率將達平均水準。此外，聯(lián)電已建置月產(chǎn)能約3,000片的14奈米生產(chǎn)線(xiàn)，預計第2季進(jìn)行第2代14奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程試產(chǎn)，若下半年客戶(hù)產(chǎn)品陸續完成設計定案(tape out)，明年將開(kāi)始拉升產(chǎn)能進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　聯(lián)電去年第4季28奈米投片大增，包括高通、聯(lián)發(fā)科等5家客戶(hù)晶片進(jìn)入量產(chǎn)，并有逾10家客戶(hù)完成設計定案并展開(kāi)試產(chǎn)，也讓28奈米占去年第4季營(yíng)收比重正式突破5%。聯(lián)電已積極進(jìn)行擴產(chǎn)，預估今年中可將28奈米月產(chǎn)能擴增至2萬(wàn)片規格，屆時(shí)28奈米毛利率就可達平均毛利率水準，下半年28奈米占營(yíng)收比重就可望突破10%。

　　此外，臺積電、三星今年開(kāi)始量產(chǎn)FinFET制程，聯(lián)電也催足馬力，力拚2016年14奈米FinFET制程進(jìn)入量產(chǎn)。聯(lián)電建置約3,000片的14奈米制程生產(chǎn)線(xiàn)，開(kāi)始試產(chǎn)并對客戶(hù)送樣，預計第二代14奈米FinFET制程將在第2季進(jìn)入試產(chǎn)階段，由于客戶(hù)下半年陸續完成晶片設計定案，若一切順利，可望提前在2016年就直接進(jìn)入量產(chǎn)。

　　聯(lián)電過(guò)去都是自行研發(fā)先進(jìn)制程，但因28奈米以下技術(shù)研發(fā)費用太過(guò)龐大，所以聯(lián)電在2012年與IBM簽訂授權協(xié)議，合作開(kāi)發(fā)14奈米FinFET制程。而隨著(zhù)制程技術(shù)開(kāi)發(fā)完成，聯(lián)電今年除了擴大28奈米產(chǎn)能，自然也加快14奈米進(jìn)入量產(chǎn)的速度，如今看來(lái)，聯(lián)電跳過(guò)20奈米直接跨入14奈米的策略，的確成功拉近與競爭對手臺積電、三星的差距。