明年資本支出 臺積將首超三星、英特爾

　　先進(jìn)制程成為半導體巨擘兵家必爭之地，臺積電日前于法說(shuō)會(huì )上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)則估，臺積電明年資本支出可望達到115億美元，超越英特爾、三星。

　　IEK分析，今年全球半導體廠(chǎng)商的資本支出估達643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺積三強均超過(guò)百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴大產(chǎn)能之余，先進(jìn)制程的研發(fā)投資成本亦跟著(zhù)水漲船高。舉例來(lái)說(shuō)，一條20奈米產(chǎn)線(xiàn)的投資金額就高達70億美元。

　　IEK進(jìn)一步指出，半導體廠(chǎng)商資本支出呈現大者恒大趨勢，2013年前十大半導體廠(chǎng)商的資本支出占全球半導體產(chǎn)業(yè)總資本支出達8成、前三大廠(chǎng)商資本支出占全球比重更達到5成。若檢視今年資本支出狀況，可發(fā)現除三星下滑外，其他主要半導體廠(chǎng)商均較去年成長(cháng)。IEK預估，受中國大陸政府大力支持的晶圓代工廠(chǎng)中芯(SMIC)，今年資本支出更年增140%、來(lái)到15.65億美元，這個(gè)數字已超越聯(lián)電(2303)今年資本支出的12億美元。

　　展望明年，IEK認為，臺積資本支出可望首度超越三星、英特爾，前提是三星預訂豪擲150億美元興建的平澤晶片廠(chǎng)，明年尚未開(kāi)始動(dòng)工。