傳ASMPT與美光聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代HBM4鍵合設備

據韓媒報道，韓國后端設備制造商 ASMPT 已向美光提供了用于高帶寬內存 (HBM) 生產(chǎn)的演示熱壓 (TC) 鍵合機。雙方已開(kāi)始聯(lián)合開(kāi)發(fā)下一代鍵合機，用于HBM4生產(chǎn)。

根據報道，美光還從日本新川半導體和韓美半導體采購TC鍵合機，用于生產(chǎn)HBM3E，于今年4月向韓美半導體提供了價(jià)值226億韓元的TC Bonder采購訂單。

據透露，美光正在使用熱壓非導電薄膜 (TC-NCF) 工藝制造 HBM3E，該種工藝很可能會(huì )在下一代產(chǎn)品 HBM4 中采用。HBM4 16H產(chǎn)品正在考慮使用混合鍵合。

此外，目前美光最大的HBM生產(chǎn)基地在臺灣地區，另?yè)战?jīng)亞洲引述知情人士透露，美光科技正在美國建設先進(jìn)高帶寬存儲（HBM）芯片的測試生產(chǎn)線(xiàn)，并首次考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，滿(mǎn)足AI熱潮帶來(lái)的更多需求。

美光曾表示，公司目前正積極強化HBM技術(shù)并同步擴充產(chǎn)能，公司目標是到2025年將HBM（AI芯片的關(guān)鍵組件）的市場(chǎng)份額提高三倍以上，達到20%左右。