消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱(chēng)，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動(dòng)大規模生產(chǎn)。

SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱(chēng)這一顆粒計劃于 2025 上半年實(shí)現量產(chǎn)。

▲ SK 海力士 321 層 NAND 閃存

按照韓媒的說(shuō)法，SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。

IT之家注：從代際發(fā)布間隔來(lái)看，美光從 232 層 NAND 閃存到 276 層用時(shí) 2 年，三星 V8 NAND 和 V9 NAND 間隔約 1.5 年。

韓媒在報道中還提到，SK 海力士新的 400+ 層堆疊 NAND 閃存將采用不同于現有“4D NAND”的整體結構：

SK 海力士目前的 4D NAND 采用了 PUC（Peri Under Cell，單元下外圍）技術(shù)，將外圍控制電路放置在存儲單元的下方，較更傳統的外圍電路側置設計可減少芯片占用空間。

而 SK 海力士未來(lái)的 NAND 將在兩塊晶圓上分別制造外圍電路和存儲單元，此后采用 W2W（晶圓對晶圓）形式的混合鍵合技術(shù)，將這兩部分整合為完整的閃存。

換句話(huà)說(shuō)，SK 海力士也將采用類(lèi)似長(cháng)江存儲 Xtacking、鎧俠-西部數據 CBA 的結構設計。

報道指出，SK 海力士已在著(zhù)手構建 NAND 混合鍵合所需的原材料與設備供應鏈，正對混合鍵合技術(shù)與材料進(jìn)行新的審查；此外三星電子也考慮在下一代 NAND 生產(chǎn)中應用混合鍵合。