ASML 回擊質(zhì)疑：High-NA EUV 光刻仍是未來(lái)最經(jīng)濟選擇

 2 月 2 日消息，ASML 首席財務(wù)官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當地媒體 Bits&Chips 的采訪(fǎng)。在采訪(fǎng)中，Dassen 回應了分析機構 SemiAnalysis 的質(zhì)疑，表示 High-NA（高數值孔徑）EUV（極紫外光）光刻機仍是未來(lái)最經(jīng)濟的選擇。

SemiAnalysis 之前刊發(fā)文章，認為 High-NA 光刻技術(shù)將使用更高的曝光劑量，從而明顯降低單位時(shí)間內的晶圓吞吐量。這就意味著(zhù)，相較于沿用現有的 0.33NA EUV 光刻機并搭配多重曝光，引入 High-NA 在近期不會(huì )帶來(lái)成本優(yōu)勢。

Dassen 認為，SemiAnalysis 的觀(guān)點(diǎn)輕視了多重曝光路線(xiàn)的復雜程度，英特爾 10nm 制程難產(chǎn)的關(guān)鍵原因之一就是其 DUV+SAQP（IT之家注：Self-Aligned Quadruple Patterning，即自對準四重曝光）技術(shù)路線(xiàn)過(guò)于復雜，正因此英特爾積極布局 High-NA EUV 技術(shù)，買(mǎi)下了第一臺 High-NA 光刻機。

Dassen 表示，不同客戶(hù)對于引入 High-NA 的時(shí)間點(diǎn)有不同評估是很自然的，不過(guò) AMSL 每季度都獲得了數個(gè) High-NA EUV 光刻機新訂單。