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光刻設備 文章 進(jìn)入光刻設備技術(shù)社區
ASML：數值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場(chǎng)
- 據日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時(shí)imec年度盛會(huì )ITF World 2023表示，半導體產(chǎn)業(yè)需要2030年開(kāi)發(fā)數值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術(shù)，滿(mǎn)足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來(lái)EUV技術(shù)越來(lái)越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過(guò)50%幅度前進(jìn)，不過(guò)速度可能會(huì )在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
- 關(guān)鍵字： ASML NA EUV 光刻設備
傳俄羅斯2028年量產(chǎn)7nm光刻設備
- 據外媒Tomshardware報導，一家俄羅斯研究單位正在研究開(kāi)發(fā)自己的半導體微影光刻設備，預計該設備可以被用于7納米制程芯片的生產(chǎn)上。整個(gè)計劃預計在2028年完成，而且一旦完成之后，其設備可能會(huì )比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開(kāi)發(fā)Twinscan NXT:2000i的時(shí)間超過(guò)了10年。報導表示，俄羅斯政府推出了一項國家計劃，到2030年開(kāi)發(fā)出自己的28納米制程技術(shù)，并盡可能利用外國芯片進(jìn)行逆向工程取得技術(shù)，同時(shí)也要培養本土人才從事國產(chǎn)芯片的生產(chǎn)工作。根
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遼沈地區半導體裝備產(chǎn)業(yè)強勢崛起
- 半導體裝備制造產(chǎn)業(yè)是國民經(jīng)濟的戰略性和先導性產(chǎn)業(yè)，10余年間，在國家增強自主創(chuàng )新能力和振興東北老工業(yè)基地等戰略方針的引導下，遼寧半導體裝備制造產(chǎn)業(yè)以沈陽(yáng)為中心實(shí)現了從無(wú)到有、從小到大、由弱到強的歷史性轉變：建成了國內首個(gè)IC裝備控制軟件平臺和IC裝備專(zhuān)業(yè)孵化器，攻克了多個(gè)制約我國半導體設備的生產(chǎn)工藝和關(guān)鍵技術(shù)，創(chuàng )造了300余項科研成果，成功研制出6-12英寸等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、勻膠顯影、單片濕法刻蝕和凸點(diǎn)封裝噴涂膠等系列整機設備以及300mm IC生產(chǎn)線(xiàn)自動(dòng)物料搬運系統、直接驅動(dòng)真
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芯碩精密機械落戶(hù)天津開(kāi)發(fā)區
- 天津芯碩精密機械有限公司落戶(hù)簽字儀式暨老廠(chǎng)房改造開(kāi)工儀式在天津開(kāi)發(fā)區舉行。天津開(kāi)發(fā)區(南港工業(yè)區)管委會(huì )黨組書(shū)記、管委會(huì )主任何樹(shù)山，工信部電子信息司副司長(cháng)刁石京，芯碩半導體有限責任公司董事長(cháng)劉鈞，濱海新區副區長(cháng)郭景平，天津開(kāi)發(fā)區(南港工業(yè)區)管委會(huì )副主任郎東等領(lǐng)導出席儀式。何樹(shù)山代表開(kāi)發(fā)區管委會(huì )，對天津芯碩精密機械有限公司落戶(hù)開(kāi)發(fā)區，對開(kāi)發(fā)區舊廠(chǎng)房升級改造工程啟動(dòng)表示熱烈祝賀。
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挺進(jìn)20nm：臺積電2011年將開(kāi)始在Fab12工廠(chǎng)裝用ASML產(chǎn)EUV光刻設備
- 據臺積電公司負責技術(shù)研發(fā)的副總裁蔣尚義表示，2011年臺積電從荷蘭ASML公司訂購的極紫外(EUV，波長(cháng)13.5nm)光刻設備將運抵廠(chǎng)內，這批訂 購的設備將為臺積電公司2013年將公司制程能力升級到20nm級別鋪平道路.蔣尚義是在本月24日舉辦的臺積電技術(shù)論壇會(huì )議上說(shuō)出這番話(huà)的,他同時(shí)還指 出EUV光刻技術(shù)要想投入商用還需要更加成熟，另外他還透露這批訂購的EUV光刻工具每小時(shí)能刻制100片晶圓。 臺積電首批EUV光刻設備將被安裝在300mm Fab12工廠(chǎng)內，而臺積電未來(lái)的研發(fā)重點(diǎn)則將放在2
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32nm制程用沉浸光刻設備客戶(hù)需求量劇增：ASML公司召回先前遭辭退員工
- 據荷蘭ASML公司高管透露，由于最近半導體廠(chǎng)商對沉浸式光刻設備的需求量劇增，著(zhù)名光刻廠(chǎng)商ASML公司最近重新召回了先前辭退的700名員工，同時(shí)還 招聘了數百名新員工，這名高管表示ASML公司還需要再增加300名員工，同時(shí)還預計公司將可保證各個(gè)客戶(hù)對光刻設備的訂單需求。 由于消費電子設備以及PC市場(chǎng)對高密度芯片的需求在不斷上升，ASML公司的高管表示他預計他的客戶(hù)們在今明兩年不會(huì )碰上所生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品供過(guò)于求的情況。 據ASML公司今年一季度公布的財報數據顯示，這家光刻廠(chǎng)商今年一季度末的N
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臺內存芯片廠(chǎng)商制程轉換計劃傳因設備交貨期拖延而更變
- 據內存業(yè)者透露，由于沉浸式光刻設備的交貨日程有所延長(cháng)，因此南亞，華亞(南亞與鎂光的合資廠(chǎng))兩家內存芯片制造商今年轉向50nm級別制程節點(diǎn)的計劃有 可能會(huì )后延.而另一家臺系內存芯片廠(chǎng)商瑞晶(力晶與爾必達的合資廠(chǎng))計劃于今年二月份開(kāi)始的光刻設備導入計劃也有可能會(huì )后延兩個(gè)月左右的時(shí)間。 而南亞和華亞則澄清稱(chēng)其購買(mǎi)的沉浸式光刻設備將以分期到貨的形式進(jìn)場(chǎng)，并宣稱(chēng)此前進(jìn)場(chǎng)的設備已經(jīng)按原計劃完成了進(jìn)貨。 按南亞和華亞的計劃，他們將于年底前完成向鎂光50nm制程技術(shù)的轉換工作，并將于下半年開(kāi)始試產(chǎn)40nm
- 關(guān)鍵字： 華亞 光刻設備 內存芯片
EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統
- 德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統。該公司已使EUV光學(xué)系統達到了生產(chǎn)要求。 光學(xué)系統是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 據Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統已經(jīng)研發(fā)了約15年。
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