三星HBM3E沒(méi)過(guò)英偉達驗證，原因與臺積電有關(guān)

存儲器大廠(chǎng)美光、SK海力士和三星2023年7月底、8月中旬、10月初向英偉達送樣八層垂直堆疊24GB HBM3E，美光和SK海力士HBM3E于2023年初通過(guò)英偉達驗證，并獲訂單，三星HBM3E卻未通過(guò)驗證。

外媒報導，三星至今未通過(guò)英偉達驗證，是卡在臺積電。身為英偉達數據中心GPU制造和封裝廠(chǎng)，臺積電也是英偉達驗證重要參與者，傳聞采合作伙伴SK海力士HBM3E驗證標準，而三星制程與SK海力士有差異，SK海力士采MR-RUF，三星則是TC-NCF，對參數多少有影響。

三星2024年第一季財報表示，八層垂直堆疊HBM3E4月量產(chǎn)，第二季會(huì )量產(chǎn)12層垂直堆疊，比原計劃下半年提前。三星說(shuō)是為了應付生成式AI應用日漸成長(cháng)的需求，故加速新HBM生產(chǎn)進(jìn)度。

市場(chǎng)傳聞三星八層垂直堆疊HBM3E沒(méi)有通過(guò)英偉達與臺積電驗證，是因有缺陷，三星說(shuō)傳聞不正確，重申提供最佳產(chǎn)品的承諾。市場(chǎng)人士表示，如果檢測標準調整，三星HBM3E就能通過(guò)驗證。