三星1000層NAND目標，靠它實(shí)現

三星電子計劃實(shí)現“PB級”存儲器目標。三星高層曾預期，V-NAND在2030年疊加千層以上。最新消息指出，三星考慮用新“鐵電”材料鉿基薄膜鐵電（Hafnia Ferroelectrics）實(shí)現目標，且可能是關(guān)鍵。

目前，三星已經(jīng)推出了290層的堆疊第九代V-NAND快閃存儲器，而據業(yè)內消息，三星計劃于明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，堆疊層數將達到驚人的430層。三星的目標是盡快實(shí)現超過(guò)1000 TB的存儲容量里程碑，為大數據、云計算等領(lǐng)域的發(fā)展提供強大的存儲支持。

最新消息是，KAIST的研究人員探索了一種新的解決方案——利用鉿鐵電體的鐵電特性來(lái)開(kāi)發(fā)更小、更高效的電容器和存儲設備，有助于三星實(shí)現千層NAND技術(shù)，使PB級固態(tài)硬盤(pán)（SSD）目標不遠。

盡管三星并沒(méi)有直接參與研發(fā)，但市場(chǎng)消息稱(chēng)與其有直接關(guān)系，雖然還不能確定Hafnia Ferroelectrics是否會(huì )導致PB級存儲器設備誕生，但可能發(fā)揮主導作用，最終達到里程碑。