傳聯(lián)電擬斥資1000億新臺幣在新加坡建新12英寸晶圓廠(chǎng)

　　集微網(wǎng)消息，近日市場(chǎng)有消息稱(chēng)聯(lián)電計劃投資逾1000億元新臺幣在新加坡建設第二座12英寸晶圓廠(chǎng)，月產(chǎn)能至少2萬(wàn)~3萬(wàn)片，或生產(chǎn)40nm以下制程的芯片。

　　據鉅亨網(wǎng)報道，聯(lián)電對此回應稱(chēng)，新加坡本來(lái)就有設廠(chǎng)，在全球有據點(diǎn)的地方持續評估建廠(chǎng)規劃，不過(guò)目前還沒(méi)有確切地點(diǎn)。

　　據了解，聯(lián)電新加坡廠(chǎng)Fab 12i位于白沙晶圓科技園區，于2004年開(kāi)始量產(chǎn)，月產(chǎn)能為5萬(wàn)片，制程為0.13微米至40nm，產(chǎn)品涵蓋FPGA、無(wú)線(xiàn)通訊芯片等。

　　業(yè)界人士認為，聯(lián)電此次可能采40nm以下制程，如28nm制程生產(chǎn)芯片。

　　據悉，晶圓代工產(chǎn)能持續供不應求，聯(lián)電5月1日、7月1日代工報價(jià)已漲過(guò)兩波。由于產(chǎn)能不足，聯(lián)電計劃擴充在臺南科學(xué)園區Fab 12A P6廠(chǎng)區產(chǎn)能，將采用28nm制程，月產(chǎn)能2.75萬(wàn)片，客戶(hù)將以議定價(jià)格預先支付訂金，預計新產(chǎn)能將于2023年第2季度開(kāi)出。