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為什么光刻機比原子彈還難造

作者: 時(shí)間:2020-12-28 來(lái)源: 果殼 收藏

,這個(gè)生僻的工業(yè)制造設備名稱(chēng),在2020年成為了網(wǎng)絡(luò )熱搜詞:它和下一代工業(yè)革命的核心產(chǎn)品,芯片,關(guān)系密切。沒(méi)有高精度的芯片,那些改變人類(lèi)生活和經(jīng)濟的核心技術(shù),如人工智能,虛擬現實(shí)(VR),物聯(lián)網(wǎng),下一代無(wú)線(xiàn)通信,都不可能實(shí)現。

本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202012/421623.htm

  在下一次工業(yè)革命中,先進(jìn)的芯片技術(shù)是決定一切的核心

  可以說(shuō),之于我們這個(gè)時(shí)代,如同蒸汽機,發(fā)電機,以及計算機之于前三次工業(yè)革命一樣重要,是衡量一國科技研發(fā)與工業(yè)水平的標桿。不少專(zhuān)家指出,我國制造先進(jìn)水平的難度,堪比當年制造原子彈。

  微雕,以光為刀

  那么,首先讓我們先來(lái)看,光刻機是什么?


  阿斯麥公司生產(chǎn)的EUV光刻機 | www.asml.com

  光刻機,這臺可以賣(mài)到上億歐元的精密設備,是通過(guò)紫外光作為“畫(huà)筆”,把預先設計好的芯片電子線(xiàn)路書(shū)寫(xiě)到硅晶圓旋涂的光刻膠上,精度可以達到頭發(fā)絲的千分之一。舉個(gè)例子,華為海思成功設計開(kāi)發(fā)了麒麟系列芯片,想要真正做成手機芯片,就需要臺積電利用光刻工藝來(lái)進(jìn)行代工制造。



  一臺荷蘭阿斯邁光刻機內部的紫外光源 | www.asml.com

  光刻的原理和過(guò)程一般是這樣的:首先制備出芯片電路圖的掩膜版,然后在硅片上旋涂上光刻膠,利用紫外光源通過(guò)掩膜版照射到光刻膠上。經(jīng)過(guò)對準曝光后,紫外光照射到區域的光刻膠會(huì )因為化學(xué)效應而發(fā)生變性,再通過(guò)顯影作用將曝光的光刻膠去除,下一步采用干法刻蝕將芯片電路圖傳遞到硅晶圓上。



  光刻工藝直接決定了芯片中晶體管的尺寸和性能,是芯片生產(chǎn)中最為關(guān)鍵的過(guò)程。光刻機中的曝光光源決定了光刻工藝加工器件的線(xiàn)寬等特征尺寸,當前市場(chǎng)主流采用深紫外(DUV,193 nm)光源,最先進(jìn)的是采用極紫外(EUV,13.5 nm)光源的的EUV光刻機。

  現代光刻工藝一般包含硅晶圓的清洗烘干,光刻膠的旋涂烤膠,對準曝光,顯影,刻蝕以及檢測等多重工序。由于現代芯片的復雜性,生產(chǎn)過(guò)程往往需要經(jīng)過(guò)幾十次的光刻,耗時(shí)占據了芯片生產(chǎn)環(huán)節的一半,光刻成本也達到了生產(chǎn)成本的三分之一。

  阿斯麥,皇冠上的珍珠

  聽(tīng)完光刻原理和過(guò)程,你可能覺(jué)得這也沒(méi)什么啊,一臺光刻機怎么能比造原子彈還難???

  要知道隨著(zhù)科技的發(fā)展,現代高端手機芯片中的晶體管達到上百億個(gè),華為5nm制程的麒麟1020芯片密度高達每平方毫米1.7億個(gè)。這樣的加工精度決定著(zhù)光刻機是半導體制造過(guò)程中技術(shù)含量最高的設備,涉及到從紫外光源、光學(xué)鏡頭、精密運動(dòng)和環(huán)境控制等多項世界各國頂級科技成就的運用。

  光刻機被稱(chēng)為現代半導體行業(yè)皇冠上的明珠,現在單臺EUV光刻機配件多達10萬(wàn)個(gè),價(jià)格高達1.2億美元。當前世界上光刻機市場(chǎng)的老大是荷蘭的阿斯麥ASML,占據了全球高端光刻機市場(chǎng)份額的89%,剩下的被日本的尼康和佳能所瓜分。而7納米以下的EUV光刻機市場(chǎng)則被阿斯麥完全壟斷,把尼康和佳能等競爭對手踢出場(chǎng)外。

  環(huán)顧世界,能造原子彈的國家已經(jīng)很多,但高端的EUV光刻機,現在能制造的只有荷蘭的阿斯麥公司。一方面,一臺EUV光刻機10萬(wàn)配件,集結了全球頂級技術(shù),不是一個(gè)國家的技術(shù)儲備力量能夠獨立實(shí)現的。另一方面,光刻機畢竟只是生產(chǎn)工具,不像原子彈這樣的國之重器,可以不計成本靠舉國之力進(jìn)行制造,光刻機只是芯片制造中的一個(gè)環(huán)節,還需要上下游產(chǎn)業(yè)鏈的支持,能造出來(lái)不稀奇,重要的是還能靠它賺錢(qián)。

  那小伙伴們的問(wèn)題又來(lái)了,為什么全球半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主力集中在美日韓以及中國臺灣,為何全球最大的光刻機設備提供商,竟然不是來(lái)自世界科技霸主美利堅,而是荷蘭這個(gè)風(fēng)車(chē)之國?

  其實(shí),阿斯麥的前身屬于著(zhù)名的電子廠(chǎng)商飛利浦,1984年才開(kāi)始獨立運營(yíng)。在阿斯麥早期發(fā)展時(shí),就面臨著(zhù)要和崛起的日本芯片廠(chǎng)商尼康和佳能的激烈競爭,但阿斯麥把握住了國際風(fēng)云的變化,專(zhuān)注于光刻機核心技術(shù)的研發(fā),通過(guò)與歐美大學(xué)以及研究機構的合作,打造上下游利益鏈條,奠定了堅實(shí)的技術(shù)基礎,用了30年時(shí)間建立起了極高的技術(shù)壁壘。

  對于荷蘭阿斯麥來(lái)講,與臺積電合作研制浸潤式光刻設備機,就是它的諾曼底登陸之戰。

  它抓住了這個(gè)技術(shù)發(fā)展關(guān)鍵轉折點(diǎn),從而實(shí)現高端光刻機的技術(shù)突破,獲得芯片制造市場(chǎng)的主導地位。

  2002年左右,傳統193 nm深紫外光刻機推進(jìn)到芯片的65nm水平時(shí),遇到了前所未有的瓶頸。日本的微影雙雄尼康和佳能選擇的技術(shù)路線(xiàn)是:繼續降低曝光波長(cháng),開(kāi)發(fā)波長(cháng)更短的157 nm深紫外光刻機。

  這時(shí),臺積電的一名工程師林本堅提出:以水為介質(zhì)可以制造浸潤式光刻機,在鏡頭與晶圓曝光區域之間的空隙充滿(mǎn)高折射率的水,水對193 nm紫外光的折射率為1.44,從而實(shí)現在水中等效波長(cháng)為134 nm,從而一舉實(shí)現 45nm以下制程。

  浸潤式光刻機,這個(gè)想法是創(chuàng )造性的,但在技術(shù)上如何實(shí)現還是個(gè)大問(wèn)題。

  當時(shí),阿斯麥的主要競爭對手尼康和佳能,對浸潤式光刻機前景并不看好,一直主攻更短波長(cháng)的深紫外光源。而阿斯麥則賭上了企業(yè)發(fā)展的命運,與臺積電聯(lián)合攻關(guān),經(jīng)過(guò)三年的全力投入研發(fā),浸潤式光刻機終獲成功,從而改寫(xiě)了未來(lái)半導體十余年的發(fā)展藍圖,將芯片加工的技術(shù)節點(diǎn)從65 nm持續下降。光刻關(guān)鍵技術(shù)的重大突破,直接拉動(dòng)阿斯麥的市場(chǎng)占有率由25%攀升至80%,把尼康和佳能打的滿(mǎn)地找牙。

  真正讓阿斯麥稱(chēng)霸光刻機領(lǐng)域的戰役,是極紫外EUV光刻機技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

  極紫外光刻的原理是20世紀80年代由日本人提出并驗證的,但如何實(shí)現低成本的量產(chǎn),是擺在日本和歐美各國半導體業(yè)界面前的巨大難題。

  作為世界第一的科技霸主,美國面對當時(shí)日本芯片產(chǎn)業(yè)的崛起,也是不能容忍的。出于國家安全和商業(yè)利益的考慮,為了奪取美國在半導體行業(yè)上的優(yōu)勢,為了在下一代半導體制程上把日本芯片企業(yè)趕出局,從EUV光刻機入手,美國政府和業(yè)界專(zhuān)門(mén)成立了復仇者聯(lián)盟,啊不,是EUV聯(lián)盟。由英特爾、AMD、摩托羅拉和IBM等業(yè)界巨頭,加上隸屬于美國能源部的桑迪亞國家實(shí)驗室和勞倫斯利弗莫爾國家實(shí)驗室組成,可謂陣容強大, 共同攻克生產(chǎn)設備的難題。而歐洲30余國也緊跟潮流,集中了科研院所的研究力量,參與EUV光刻技術(shù)的開(kāi)發(fā)。

  荷蘭阿斯麥公司作為掌握光刻機系統集成和整體架構的核心企業(yè),自然成了歐美自家的小棉襖,順利趕上了歐美EUV技術(shù)研究發(fā)展的風(fēng)口,投資德國卡爾蔡司,收購美國Cymer光源。集成世界各國頂尖科技的EUV光刻機研發(fā)成功,一舉奠定了阿斯麥在高端EUV光刻機領(lǐng)域的壟斷地位,EUV光刻機的精密程度已經(jīng)達到給你圖紙,也無(wú)可復制。

   當前,ASML成為世界上唯一擁有EUV光刻機生產(chǎn)能力的產(chǎn)商,以波長(cháng)13.5 nm的極紫外光作為光源,可以實(shí)現7 nm以下制程的芯片,當前蘋(píng)果和華為等旗艦手機的5nm 制程芯片都是由阿斯麥EUV光刻機生產(chǎn)。尼康和佳能面對技術(shù)壁壘和巨資開(kāi)發(fā)投資,只能望EUV而興嘆,起個(gè)大早,沒(méi)趕上集。

  那么阿斯麥制造的EUV光刻機都賣(mài)給了誰(shuí)?數據顯示,2019年該公司共生產(chǎn)了26臺EUV光刻機,其中有一半賣(mài)給了臺積電,剩余一半賣(mài)給了英特爾、三星等客戶(hù)。國內半導體代工企業(yè)中芯國際曾花了1.2億美元訂購一臺,因為你懂的原因,至今尚未交付。

  荷蘭阿斯麥的成功不是偶然的,也是有跡可循的,首先,它30年內專(zhuān)注發(fā)展光刻機核心技術(shù),保持穩定的戰略目標,不斷研發(fā)新技術(shù)新產(chǎn)品。從浸入式光刻機到EUV光刻機的生產(chǎn),阿斯麥和它的合作伙伴不斷挑戰摩爾定律,突破芯片加工極限。而作為曾碾壓阿斯麥的競爭對手,佳能和尼康逐漸進(jìn)入數碼相機等來(lái)快錢(qián)的消費電子市場(chǎng),從而失去了光刻機領(lǐng)域的優(yōu)勢。

  其次,阿斯麥通過(guò)投資和入股等方式,獲取光刻系統的核心技術(shù),而光刻機90%的其他部件都是合作和外購世界頂級技術(shù)產(chǎn)品,比如德國機械、蔡司鏡頭和美國光源。同時(shí)引入英特爾、臺積電和三星等電子巨頭的注資,形成了無(wú)法復制的戰略利益共同體。

  阿斯麥和臺積電等下游公司也同樣通過(guò)股份戰略合作,形成利益和研發(fā)共同體,臺積電用EUV磨練芯片加工技術(shù),同時(shí)臺積電又把芯片加工中遇到的問(wèn)題和新的要求不斷反饋給ASML,從而開(kāi)創(chuàng )技術(shù)創(chuàng )新和質(zhì)量改進(jìn)的雙贏(yíng)局面,臺積電也成為全球首家提供5nm制程代工業(yè)務(wù)的芯片廠(chǎng)商?! ?/p>

國產(chǎn)之路,任重道遠

  再來(lái)看看國內的光刻機研發(fā)狀況,其實(shí)我國在60年代第一塊集成電路問(wèn)世之后,就開(kāi)始了光刻工藝的研究,但在80年代以后,隨著(zhù)“造船不如買(mǎi)船,買(mǎi)船不如租船”的說(shuō)法流行,由于也缺乏相應的芯片產(chǎn)業(yè)鏈,很多自主攻關(guān)項目紛紛下馬。當前,我國光刻機的主要生產(chǎn)廠(chǎng)家是上海微電子,已經(jīng)實(shí)現90納米制程量產(chǎn),28 nm工藝的國產(chǎn)光刻機也預計在2021年交貨,雖然和國際領(lǐng)先的5 nm還有幾倍差距,但已經(jīng)可以滿(mǎn)足國內芯片市場(chǎng)的中端需求。

  2019年4月,光電團隊武漢國家技術(shù)研究中心團隊利用兩束激光在自主研發(fā)的光刻膠上突破光束衍射極限,利用遠場(chǎng)光學(xué)成功雕刻出一條寬9nm的線(xiàn)段,實(shí)現了從超分辨率成像到超擴散極限光刻的重大創(chuàng )新。然而,從技術(shù)實(shí)驗室成功,到可批量化大批制造的商用設備,依舊還有很長(cháng)的路要走。特別是需要幾萬(wàn)個(gè)零部件要達到高精準度的高端光刻機,其中的關(guān)鍵高精度零部件比如鏡頭、光源、軸承等,目前國內產(chǎn)業(yè)鏈的制造水平還暫時(shí)達不到,需要長(cháng)期聯(lián)合攻關(guān),我們的任務(wù)依舊艱巨而繁重。




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