站在“7nm風(fēng)口”的臺積電，計劃用百億現金突出重圍

　　如果說(shuō)2018年最受關(guān)注的晶圓制造廠(chǎng)，無(wú)疑是臺積電，作為7nm工藝技術(shù)的集大成者，臺積電在這方面領(lǐng)先于英特爾和三星。盡管臺積電站在“7nm”的風(fēng)口，但是近日它們遭遇了很多困難，包括臺積電由于7nm制程產(chǎn)能爆滿(mǎn)，AMD推遲了自己的顯卡發(fā)布日期;臺積電多次出現晶圓污染事故，直接損失數億美元;正是發(fā)生了光阻原料事件，臺積電第一季度營(yíng)收預期偏低，影響了資本市場(chǎng)對它的預估……

　　臺積電百億現金突出重圍

　　盡管臺積電面臨困境，但臺積電不怕!眾所周知，很多的芯片廠(chǎng)商都在積極推動(dòng)7nm制程工藝的發(fā)展，2019年也將有很多的7nm芯片發(fā)布，它們大都是臺積電的客戶(hù)，臺積電目前是全球7nm芯片訂單最多的廠(chǎng)商。近日，臺積電透露，他們將拿出471.4億元新臺幣(約合103.37億元人民幣)，作為該公司臺灣地區員工的現金獎勵與分紅。

　　進(jìn)擊中的臺積電

　　據了解，芯片代工行業(yè)規模每年達到393億美元，臺積電是其中領(lǐng)先的公司，每銷(xiāo)售一部智能手機其可獲得7美元。臺積電對于工藝的不斷追求，推動(dòng)了芯片行業(yè)的快速發(fā)展。

　　2018年是臺積電7nm快速發(fā)展的關(guān)鍵一年，因為它們取得了很多可喜的成績(jì)。2018年4月，臺積電的7nm工藝投入量產(chǎn)，包括麒麟980、AMD和蘋(píng)果A12等新型處理器都由臺積電代工，在2018年10月臺積電又完成了7nm EUV流片。

　　更高的工藝意味著(zhù)芯片更高的性?xún)r(jià)比，與10nm節點(diǎn)相比，7LPP工藝可以減少40%的面積同時(shí)提高20%的速度，或降低50%的功耗。根據臺積電的數據，2018年臺積電7nm工藝完成流片的芯片設計超過(guò)50款，預計2019年底將超過(guò)100款。不只是7nm，據悉，臺積電的的5nm制程將會(huì )在2019年年底或2020年初投入量產(chǎn)。

　　對手也在加速追趕

　　2018年，三星宣布試產(chǎn)基于EUV技術(shù)的7nm芯片，并正在研究如何提升其產(chǎn)能，加速輔助性的IP和EDA基礎架構，細化封裝能力。三星的這次宣布無(wú)疑是在對標臺積電，為了追趕臺積電芯片設計生態(tài)的進(jìn)程，后者于本月初曾傳出過(guò)類(lèi)似的消息。三星聲稱(chēng)他們正在對基于16Gbit DRAM芯片的256GByte RDIMM取樣，為帶Xilinx嵌入式FPGA的固態(tài)硬盤(pán)做好準備。7nm是這次通告的亮點(diǎn)，標志著(zhù)EUV掩模檢測系統內部開(kāi)發(fā)的一次里程碑式的進(jìn)展。

　　為了加速EUV投入到生產(chǎn)，三星開(kāi)發(fā)了自己的系統來(lái)比較和修復預期和實(shí)際的掩模曝光。VLSI研究員G. Dan Hutcheson將這個(gè)系統描述成一個(gè)掩模檢查系統，因為目前尚不清楚它是否像典型的第三方檢測系統那樣自動(dòng)化。7nm節點(diǎn)將在年底達到Grade 1 AEC-Q100汽車(chē)標準。在封裝方面，三星正在研發(fā)一款RDL插入器，能將多達8個(gè)HBM堆疊安裝在一個(gè)設備上，同時(shí)，三星還在開(kāi)發(fā)一種將無(wú)源器件嵌入基板的工藝，為了給數據中心的芯片節省出空間。

　　競爭催生出最強的臺積電

　　都知道未來(lái)7nm工藝會(huì )有很大發(fā)揮空間，但是目前的生產(chǎn)難度還是很高的，除了光刻機和其它良率問(wèn)題，成本控制也很難，還有晶圓污染……這些難題等待臺積電去解決。雖然目前全球僅幾家有實(shí)力和臺積電競爭7nm，但是它們的追趕也推動(dòng)了臺積電的努力和創(chuàng )新，相信隨著(zhù)客戶(hù)的增加，臺積電也能將這些問(wèn)題逐一解決，成為行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。