重磅！國產(chǎn)5nm刻蝕機通過(guò)驗證，將用于臺積電5nm芯片制造！

　　近日，臺積電對外宣布，將在2019年第二季度進(jìn)行5nm制程風(fēng)險試產(chǎn)，預計2020年量產(chǎn)。與此同時(shí)，中微半導體也向“上觀(guān)新聞”透露了一個(gè)重磅消息，其自主研發(fā)的5nm等離子體刻蝕機經(jīng)臺積電驗證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線(xiàn)。

　　值得一提的是，中微半導體也是唯一進(jìn)入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備商。據悉，中微半導體與臺積電在28nm制程時(shí)便已開(kāi)始合作，并一直延續到10nm和7nm制程。

　　而中微半導體如此亮眼成績(jì)的背后，離不開(kāi)尹志堯和他團隊的多年努力。

　　他放棄國外百萬(wàn)年薪工作，只為一顆“中國芯”

　　研究顯示，2015-2020年中國半導體芯片產(chǎn)業(yè)投資額將達到650億美元，其中芯片制造設備投資額就將達到500億美元。但是中國芯片制造設備的95%都是依賴(lài)于進(jìn)口，也就是說(shuō)需要花480億到國外購買(mǎi)設備。這也使得中國芯片制造設備的國產(chǎn)化成為了一件非常迫切的事情。

　　在美國硅谷從事半導體行業(yè)20多年的尹志堯，其在世界最大的半導體設備企業(yè)——美國應用材料公司擔任總公司副總裁，曾被譽(yù)為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國幾代等離子體刻蝕機的研發(fā)，擁有60多項技術(shù)專(zhuān)利。

　　2004年，當時(shí)已經(jīng)60歲的尹志堯放棄了美國的百萬(wàn)年薪，帶領(lǐng)三十多人的團隊，沖破美國政府的層層審查(所有人都承諾不把美國的技術(shù)帶回中國，包括所有工藝配方、設計圖紙，一切從零開(kāi)始)，回國創(chuàng )辦了中微半導體，他要在芯片制造設備領(lǐng)域與國際巨頭直接競爭，取得一席之地。

　　成功打破國外壟斷

　　等離子體刻蝕機是芯片制造環(huán)節的一種關(guān)鍵設備，其是在芯片上進(jìn)行微觀(guān)雕刻，刻出又細又深的接觸孔或者線(xiàn)條，每個(gè)線(xiàn)條和深孔的加工精度是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬(wàn)分之一。這對刻蝕機的控制精度要求非常高。

　　據介紹，一個(gè)16nm的微觀(guān)邏輯器件有60多層微觀(guān)結構，要經(jīng)過(guò)1000多個(gè)工藝步驟，要攻克上萬(wàn)個(gè)技術(shù)細節才能加工出來(lái)。只看等離子體刻蝕這個(gè)關(guān)鍵步驟，它的加工尺度為普通人頭發(fā)絲的五千分之一，加工的精度和重復性要達到五萬(wàn)分之一。足見(jiàn)難度之高。

　　長(cháng)期以來(lái)，蝕刻機的核心技術(shù)一直被國外廠(chǎng)商所壟斷。2004年尹志堯回國創(chuàng )辦中微半導體之初就將目光鎖定在了刻蝕機領(lǐng)域。

　　中微半導體在剛剛涉足IC芯片介質(zhì)刻蝕設備時(shí)，就推出了65nm等離子介質(zhì)刻蝕機產(chǎn)品，隨著(zhù)技術(shù)的進(jìn)步一直做到45nm、32nm、28nm、16nm、10nm，現在7nm的刻蝕機產(chǎn)品已經(jīng)在客戶(hù)的生產(chǎn)線(xiàn)上運行了，5nm刻蝕機也即將被臺積電采用。

　　“在米粒上刻字的微雕技藝上，一般能刻200個(gè)字已經(jīng)是極限，而我們的等離子刻蝕機在芯片上的加工工藝，相當于可以在米粒上刻10億個(gè)字的水平?！敝形雽wCEO尹志堯曾這樣形容到。

　　經(jīng)過(guò)多年的努力，中微半導體用實(shí)力打破了這一領(lǐng)域技術(shù)封鎖，成功讓中國正式躋身刻蝕機國際第一梯隊。

　　中微半導體首席專(zhuān)家、副總裁倪圖強博士表示，刻蝕機曾是一些發(fā)達國家的出口管制產(chǎn)品，但近年來(lái)，這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說(shuō)明如果我們突破了“卡脖子”技術(shù)，出口限制就會(huì )不復存在。如今，中微與泛林、應用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起，組成了國際第一梯隊，為7nm芯片生產(chǎn)線(xiàn)供應刻蝕機。

　　(芯智訊注：美國商務(wù)部在2015年宣布，由于在中國已有一個(gè)非美國的設備公司做出了和美國設備公司有相同質(zhì)量和相當數量的等離子體刻蝕機，所以取消了對中國的刻蝕機的出口管制。)

　　他還表示，明年臺積電將率先進(jìn)入5nm制程，已通過(guò)驗證的國產(chǎn)5nm刻蝕機，預計會(huì )獲得比7nm生產(chǎn)線(xiàn)更大的市場(chǎng)份額。

　　值得一提的是，2016年，中微半導體獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)4.8 億元的投資，成功成為中國芯片制造領(lǐng)域的國家隊。而這也凸顯了國家對于中微半導體在中國半導體設備領(lǐng)域的貢獻和地位的認可。

　　面對國外競爭對手挑釁，屢戰屢勝

　　或許正是由于中微半導體在半導體設備領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，也引來(lái)了國外競爭對手挑起的知識產(chǎn)權訴訟。

　　首先發(fā)難的是尹志堯的老東家——美國應用材料公司，2007年之時(shí)，美國應用材料公司就起訴中微半導體侵權，但卻始終舉證無(wú)力(尹志堯及其團隊成員在離開(kāi)美國時(shí)并未帶走任何工藝配方、設計圖紙，后續的產(chǎn)品設計也避開(kāi)了對方的專(zhuān)利)，中微半導體則抓住機會(huì )適時(shí)反訴對方不正當競爭，應用材料公司顯然對這一情況準備不足，最終不得不撤訴求和。

　　2009年，另一巨頭美國科林研發(fā)又在臺灣起訴中微侵犯其發(fā)明專(zhuān)利，中微半導體則積極應對，提供其專(zhuān)利無(wú)效的證據，在法院的兩次審判中科林的相關(guān)專(zhuān)利均被判決無(wú)效，第三次臺灣“智慧財產(chǎn)局”甚至審定撤銷(xiāo)了科林的其中一項專(zhuān)利權，緊接著(zhù)科林又對“智慧財產(chǎn)局”的審定提出行政訴訟，再次遭到駁回。

　　2016年，中微半導體在接受媒體采訪(fǎng)時(shí)，也詳細介紹了其應對美國行業(yè)巨頭5年侵犯商業(yè)秘密和專(zhuān)利權纏訴，終獲“一撤訴四連勝”的成功經(jīng)歷。

　　當時(shí)，中微半導體公司資深知識產(chǎn)權總監姜銀鑫就表示，“中微在知識產(chǎn)權方面相當謹慎，于公司建立初期便成立了專(zhuān)門(mén)的知識產(chǎn)權團隊，未雨綢繆，針對潛在的知識產(chǎn)權糾紛可能性做了大量的分析排查。在部分海歸研發(fā)團隊核心成員回國加入之前，中微便已經(jīng)讓他們簽訂了不從原單位帶來(lái)技術(shù)機密的承諾書(shū)”。

　　2017年11月初，美國MOCVD(金屬有機化合物氣相沉積設備)設備廠(chǎng)Veeco宣布，美國紐約東區地方法院同意了其針對SGL Carbon，LLC(SGL)的一項初步禁令請求，禁止SGL出售采用Veeco專(zhuān)利技術(shù)的MOCVD使用的晶圓承載器(即石墨盤(pán))，包括專(zhuān)為中國MOCVD設備商中微半導體設計的石墨盤(pán)。Veeco此舉針對的正是中微半導體。

　　對此，中微半導體一方面積極發(fā)展第二和第三渠道的供應商;另一方面則在中國對Veeco提起專(zhuān)利侵權訴訟。

　　中微半導體披露，其于2017年7月向福建高院正式起訴 Veeco上海，指控其TurboDisk EPIK 700型號的MOCVD設備侵犯了中微的基片托盤(pán)同步鎖定的中國專(zhuān)利，要求其停止侵權并主張上億元侵權損害賠償。在中微半導體起訴后，Veeco上海對該中微半導體專(zhuān)利向國家知識產(chǎn)權局專(zhuān)利復審委(簡(jiǎn)稱(chēng)“專(zhuān)利復審委”)提起無(wú)效宣告請求。

　　同年11月24日，專(zhuān)利復審委于作出審查決定，否決了Veeco上海關(guān)于中微半導體專(zhuān)利無(wú)效的申請，確認中微半導體起訴Veeco上海專(zhuān)利侵權的涉案專(zhuān)利為有效專(zhuān)利。

　　2017年12月8日，福建省高級人民法院同意了中微半導體針對Veeco上海的禁令申請，該禁令禁止Veeco上海進(jìn)口、制造、向任何第三方銷(xiāo)售或許諾銷(xiāo)售侵犯中微第CN 202492576號專(zhuān)利的任何化學(xué)氣相沉積裝置和用于該等裝置的基片托盤(pán)。該禁令立即生效執行，不可上訴。

　　中微半導體對于Veeco上海的勝訴，成功打擊了Veeco妄圖通過(guò)專(zhuān)利戰打擊中微半導體的企圖。

　　“中微在過(guò)去11年輪番受到美國設備大公司的法律訴訟，但我們由于有堅固的知識產(chǎn)權防線(xiàn)，完全遵守美國和各國知識產(chǎn)權法律，一直處于不敗之地?！苯衲?月，尹志堯在接受“觀(guān)察者網(wǎng)”采訪(fǎng)時(shí)這樣說(shuō)到。