美光科技在博伊西建成新研發(fā)廠(chǎng)，進(jìn)一步提升半導體研發(fā)能力

　　美光科技于8月14日在總部舉辦活動(dòng)，慶祝擴建的新廠(chǎng)投入運轉。這一工廠(chǎng)在公司研究未來(lái)具有突破性的全新內存和存儲技術(shù)的過(guò)程中將扮演重要角色。在新設施配備完善后，美光在博伊西的研發(fā)專(zhuān)用無(wú)塵室的空間將增加近一倍，并將為公司整體研發(fā)能力的擴展提供重要支持。

　　這座位于博伊西的擴建研發(fā)廠(chǎng)對于美光開(kāi)發(fā)新的半導體制造工藝和設計，滿(mǎn)足該公司未來(lái)的存儲和內存技術(shù)需求至關(guān)重要。在博伊西研發(fā)中心研發(fā)出的各種工藝隨后會(huì )轉至美光位于全球的12個(gè)大型制造工廠(chǎng)進(jìn)行量產(chǎn)。

　　為紀念這一重要時(shí)刻，美光科技總裁兼首席執行官SanjayMehrotra和技術(shù)開(kāi)發(fā)執行副總裁ScottDeBoer帶領(lǐng)公眾代表和政要參觀(guān)了新工廠(chǎng)。

　　“打造世界上最先進(jìn)的半導體是一個(gè)非常復雜的過(guò)程。”Mehrotra說(shuō)，“我們在愛(ài)達荷州有一支行業(yè)頂尖的科學(xué)家和工程師團隊，他們所做的工作將會(huì )幫助塑造未來(lái)的技術(shù)、產(chǎn)品和解決方案，包括未來(lái)的手機、汽車(chē)和數據中心，并推動(dòng)正在快速崛起的人工智能和大數據分析等新興技術(shù)。今天，博伊西研發(fā)無(wú)塵室的落成標志著(zhù)我們在博伊西的創(chuàng )新能力將得到大幅提升。”

　　該新的無(wú)塵工廠(chǎng)于2015年10月動(dòng)工，旨在打造一個(gè)更大規模的無(wú)污染、可精確控制的研發(fā)環(huán)境，利用美光科技多年來(lái)的精深技術(shù)專(zhuān)長(cháng)和創(chuàng )新能力，開(kāi)發(fā)和制造先進(jìn)的存儲集成電路。建造該工廠(chǎng)需要24000立方碼的混凝土，相當于讓一輛混凝土車(chē)連續不間斷地工作100天。這座先進(jìn)的研發(fā)中心還使用了1000萬(wàn)磅鋼筋，光是建筑物內就鋪設了240英里長(cháng)的線(xiàn)纜，這一長(cháng)度足以連接到國際空間站。

　　博伊西的研發(fā)廠(chǎng)處于美光全球創(chuàng )新網(wǎng)絡(luò )的核心位置，本次規模擴張將有助于加快新一代DRAM、NAND和新興內存技術(shù)的開(kāi)發(fā)速度。

　　DeBoer特別指出，美光的尖端DRAM技術(shù)(1Ynm)已經(jīng)從博伊西的研發(fā)中心轉入美光位于日本廣島的制造工廠(chǎng)。在過(guò)去一年里，研發(fā)團隊還在博伊西成功完成了64層3DNAND的開(kāi)發(fā)過(guò)程，并將該技術(shù)從最初在博伊西的開(kāi)發(fā)轉入了美光在新加坡的工廠(chǎng)實(shí)現量產(chǎn)。

　　作為美光的全球技術(shù)開(kāi)發(fā)中心，博伊西的研發(fā)廠(chǎng)正引領(lǐng)著(zhù)諸如未來(lái)的DRAM、3DXPoint™和3DNAND等新一代技術(shù)的開(kāi)發(fā)。