中科院極紫外光刻機光源技術(shù)研究項目通過(guò)驗收 —— 作者： 時(shí)間：2007-01-19 來(lái)源： 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對面交流海量資料庫查詢(xún) 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 1月16日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所“極紫外光刻機光源技術(shù)研究”項目通過(guò)驗收，這標志著(zhù)我國在下一代芯片工藝核心技術(shù)——極紫外光刻(EUVL)光源轉換效率上已達國際先進(jìn)水平。 作為一種新型的微電子光刻技術(shù)，“極紫外光刻”以波長(cháng)為13.5納米的“軟X射線(xiàn)”為曝光光源，最終將成為生產(chǎn)更細線(xiàn)寬集成電路的主流技術(shù)
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