線(xiàn)上芯片增加SiP封裝的芯片堆疊選擇

 

　　2004年11月在IMAPS召開(kāi)的國際微電子研討會(huì )上，SiP協(xié)會(huì )的研究者展示了他們正在開(kāi)發(fā)的最新技術(shù)，這種新的技術(shù)能增加堆疊芯片封裝的可選數量，他們的一體式單封裝系統采用的是線(xiàn)上芯片技術(shù)，這種技術(shù)不需要金字塔形的堆疊，它允許使用V形堆疊，從而增加無(wú)源芯片集成的選擇數量。
　　堆疊封裝主要用于節省空間，即那些芯片彼此之間或與芯片外界之間不需要進(jìn)行高密度互連的情形。采用堆疊的方式能節省空間并節約封裝費用。通常的情況下，芯片排列一般采用金字塔形式（見(jiàn)圖），因為采用這種形式，金線(xiàn)鍵合能十分容易進(jìn)行。

　　人們通過(guò)添加層間材料、旋轉芯片在一次堆疊中集成更多的同樣尺寸的芯片等技術(shù)，一直在發(fā)展著(zhù)堆疊芯片的概念，V形堆疊有希望減小空間，縮短金線(xiàn)鍵合的長(cháng)度。為了實(shí)現線(xiàn)上芯片集成技術(shù)，他們使用住友塑料的階材料來(lái)進(jìn)行工藝優(yōu)化。
　　圓片減薄到最后要求的厚度后，需要在圓片的背面粘上一層厚度小于20祄的材料，然后將其加熱b階材料。在劃片之后的粘片工序中，當芯片放置在金線(xiàn)鍵合芯片的頂端時(shí)，對每一個(gè)芯片進(jìn)行加熱。融熔狀態(tài)的材料黏性低，起著(zhù)對金線(xiàn)密封的作用。固化以后，這種材料將成為粘片的粘合劑。
　　對于圓片上的b階材料，還沒(méi)有發(fā)現在圓片劃片時(shí)有何異常報告。人們小心控制鍵合金線(xiàn)的弧形高度，并且嚴格監控內部芯片密封劑的黏性。
　　在對DRAM的芯片彼此堆疊效果的測試中，X射線(xiàn)分析發(fā)現金線(xiàn)變形或有孔隙。人們相信，在CoW鍵合工藝中，鍵合金線(xiàn)為空氣提供了逸出的路徑。
　　人們使用這種封裝，還成功集成了無(wú)源器件。唯一需要強調的是，需要將無(wú)源器件減薄到與芯片同樣的厚度。