性能提升90% 臺積電16nm工藝芯片明年上馬

　　在芯片技術(shù)突飛猛進(jìn)的當下，所有的芯片廠(chǎng)商都在不遺余力的改進(jìn)自身的產(chǎn)品工藝，臺積電已經(jīng)決定將16nmFinFET工藝的試產(chǎn)時(shí)間從2014年提前到2013年底，甚至還希望10nm的芯片能在2015年底用極紫外光刻技術(shù)制造。GlobalFoundries、三星電子這兩家代工廠(chǎng)也都已經(jīng)宣布很快就會(huì )上馬FinFET立體晶體管技術(shù)。

　　只要試產(chǎn)的良品率過(guò)關(guān)，臺積電量產(chǎn)16nm的計劃估計最早會(huì )在明年年中實(shí)現。臺積電首席技術(shù)官孫元成(JackSun)日前表示：“我們對16nmFinFET工藝在明年的黃金時(shí)代(量產(chǎn))充滿(mǎn)信心。”

　　據悉，16nm目前正在使用128MbSRAM進(jìn)行測試，核心電壓0.8V，I/O電壓1.8V，良品率較預期更高。標準單元、內存單元等基礎性IP的準備工作已經(jīng)完成，關(guān)鍵內部模塊的測試在6月份也會(huì )開(kāi)始。

　　實(shí)際上，臺積電此舉也并非冒進(jìn)。日前Imagination剛剛宣布和臺積電達成進(jìn)一步的戰略合作伙伴關(guān)系，PowerVR6系列移動(dòng)GPU未來(lái)會(huì )使用臺積電的16nmFinFET工藝生產(chǎn)，而幾乎同時(shí)，ARM和臺積電也聯(lián)合宣布，64-bitARMv8架構的Cortex-A57芯片已經(jīng)成功完成了第一次流片，所用工藝正好也是臺積電的16nmFinFET。這些合作顯然給了臺積電的工藝進(jìn)步帶來(lái)了動(dòng)力。

　　臺積電估計，64-bitARMv8核心在16nm工藝上的性能將比28nm32-bitARMA9高出多達90%，而相比之下20nmA15核心只能提速大約40%。

　　關(guān)于16nm和20nm兩種制成周期相靠太近的問(wèn)題，臺積電的官方說(shuō)法是等到2017年的時(shí)候，臺積電20nm芯片的產(chǎn)量就會(huì )追上28nm。但有分析人士認為，20nm給芯片廠(chǎng)商帶來(lái)的優(yōu)勢有限，所以臺積電很可能只會(huì )將其作為一種過(guò)渡工藝。