半導體業(yè)難言探底 一線(xiàn)代工廠(chǎng)需求強勁

　　時(shí)至年末，回顧今年的半導體業(yè)有點(diǎn)戲劇性變化，直至9月大部分市場(chǎng)調研公司尚認為2012年可能會(huì )有5%的增長(cháng)。然而進(jìn)入10月以來(lái)，風(fēng)向偏離，開(kāi)始有部分市場(chǎng)調研公司認為可能會(huì )轉入負增長(cháng)，如Gartner于11月預測明年全球半導體業(yè)將下降3%，為2980億美元。盡管目前半導體業(yè)還處于下降態(tài)勢，何時(shí)探底尚很難言。以下從投資預測、技術(shù)進(jìn)步及終端市場(chǎng)的需求等方面對增長(cháng)動(dòng)能進(jìn)行分析。

　　芯片制造設備投資有變

　　Gartner最新預測表明，2012年WFE銷(xiāo)售額達314億美元，同比下降13.3%。

　　SEMI于今年8月的最新預測表明，如不計分立器件，芯片制造設備投資為350億美元，相比2011年下降1.9%，但預測2013年可沖高達407億美元，增長(cháng)率達16.3%。但Gartner在10月時(shí)卻給出不同的結果，它認為全球半導體前道設備銷(xiāo)售額2012年趨緩，并將延伸到2013年。Gartner的最新預測表明，2012年WFE銷(xiāo)售額達314億美元，相比2011年下降13.3%，而2013年再下降0.8%，為312億美元。

　　另外，從先期已公布的投資計劃看，臺積電已明確2013年投資將高過(guò)2012年的83億美元，可能接近100億美元。Global foundries計劃2013年再投資30億美元，幾乎與2012年的投資持平。另外英飛凌計劃2013年的投資由原先5億歐元下調為4億歐元，而它在2012年投資為8.9億歐元。

　　由于產(chǎn)能供過(guò)于求，三星亦下調資本支出預算，2012年其半導體事業(yè)資本支出將為12兆韓元，較原定15兆韓元縮減20%，與2011年相比也減少7.7%。三星原計劃在2012年6月開(kāi)始動(dòng)工興建的Line17生產(chǎn)線(xiàn)，總投資2.25兆韓元，于2013年年底完工，2014年起投產(chǎn)，采用20nm及14nm制程。由于傳聞蘋(píng)果的20nm AP處理器訂單將轉給臺積電，因此該計劃已經(jīng)暫緩進(jìn)行。另外原計劃投資5兆韓元～6兆韓元在西安興建NAND閃存廠(chǎng)，由于產(chǎn)能供過(guò)于求等，計劃是否有變尚需后續觀(guān)察。

　　工藝制程進(jìn)步顯著(zhù)

　　之前認為14nm節點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應該有能力實(shí)現。

　　比利時(shí)微電子(IMEC)營(yíng)運長(cháng)Luc Van Den Hove指出，半導體工藝制程技術(shù)在90nm～65nm時(shí)是采用引變硅Strained Si技術(shù)，在45nm～28nm時(shí)是采用HKMG技術(shù)，而到22nm以下一直到14nm制程時(shí)，則會(huì )轉至3D晶片FinFET技術(shù)。

　　按ITRS工藝路線(xiàn)圖顯示，2011年為22nm，2013年為14nm。到目前為止能夠聲言實(shí)現的僅英特爾一家，即2011年實(shí)現22nm制程工藝，真正量產(chǎn)要延后3～4個(gè)季度，因此英特爾的工藝制程技術(shù)領(lǐng)先全球2～3年，這與它大量投資研發(fā)有關(guān)。進(jìn)入21世紀以來(lái)，半導體制程技術(shù)的兩次革命性突破(2007年32nm的HKMG技術(shù)與2011年22nm的3D FinFET技術(shù))，均是由英特爾貢獻的，對于延伸摩爾定律又一個(gè)10年起了決定性的作用。另外，由于EUV技術(shù)的拖后，英特爾已公開(kāi)表示將不惜增加成本，采用4次圖形曝光技術(shù)，加上浸入式光刻來(lái)實(shí)現14nm、甚至10nm節點(diǎn)。之前一直認為14nm工藝節點(diǎn)是個(gè)坎，如今相信英特爾在2013年時(shí)應該有能力實(shí)現。

　　從代工角度看，前段時(shí)期臺積電在28nm工藝節點(diǎn)時(shí)產(chǎn)能不足與良率問(wèn)題已獲重大突破，據稱(chēng)成品率已沖上90%以上，加上新增產(chǎn)能大量開(kāi)出，因此臺積電開(kāi)始提供客戶(hù)大量的waferbuy服務(wù)，協(xié)助客戶(hù)有效降低28nm芯片的成本。2013年其投片量均明顯較2012年大增30%～50%。臺積電已計劃2013年投入80億美元～85億美元擴產(chǎn)。據報道，臺積電計劃2012年年底開(kāi)始20nm的試生產(chǎn)，2013年小批量生產(chǎn)。臺積電董事長(cháng)張忠謀還透露，臺積電的工藝路線(xiàn)圖在2013年11月試產(chǎn)16nm的FinFET結構，然后2014年實(shí)現量產(chǎn)。由此看出，它從20nm開(kāi)始，采取務(wù)實(shí)的策略，先進(jìn)入過(guò)渡節點(diǎn)16nm，然后再真正進(jìn)入14nm。

　　Gartner認為，2013年工藝制程向前推進(jìn)的趨勢由40/28nm制程轉向32/20nm;電源管理IC將從0.35微米轉換至0.13微米;CMOS圖像傳感器芯片從0.11微米轉向65nm;LCD驅動(dòng)IC從0.13微米轉至90nm。顯然由于32/20nm工藝制程與掩膜成本過(guò)高，近期fabless產(chǎn)品向32/20nm過(guò)渡的品種與數量不會(huì )劇增，所以一線(xiàn)代工廠(chǎng)除了臺積電外，其他如Global foundries等的產(chǎn)能擴充計劃在2013年有減緩的趨勢。

　　終端電子產(chǎn)品市場(chǎng)有亮點(diǎn)

　　手機與平板電腦增勢明顯，成為帶動(dòng)半導體業(yè)增長(cháng)的基礎。

　　手機與平板電腦是明年半導體業(yè)增長(cháng)的基礎，僅從手機與平板電腦(Tablet)看，全球手機出貨量2012年將達16.9億部，2013年預測可達18.1億部，增長(cháng)率達7.3%。平板電腦的出貨量2012年將達1.23億臺，同比增長(cháng)67%，而2013年為1.70億臺，增長(cháng)率為39.3%。

　　代工業(yè)如日中天

　　無(wú)晶圓廠(chǎng)模式愈發(fā)成功，未來(lái)幾年一線(xiàn)IC代工廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)產(chǎn)能需求強勁。

　　在眾多頂級IDM廠(chǎng)擁抱fab lite(輕晶圓)策略、減緩投資之際，給全球代工廠(chǎng)帶來(lái)了更多的訂單。從近期IC Insight公布的2012全球前20大芯片制造商排名預測看出，增長(cháng)率較快的是3家純晶圓代工廠(chǎng)。值得注意的是，預計這3家代工廠(chǎng)營(yíng)收同比2011年平均增長(cháng)16%，相對于全球半導體市場(chǎng)將衰退2%而言，這實(shí)在是令人印象深刻。隨著(zhù)無(wú)晶圓廠(chǎng)fabless模式越來(lái)越成功，IC Insights預計未來(lái)幾年對于一線(xiàn)IC代工廠(chǎng)先進(jìn)技術(shù)的產(chǎn)能需求將極為強勁。

　　據市場(chǎng)調研公司IHS iSuppli于2012年4月的預測表明，全球純代工市場(chǎng)規模2011年為265億美元，增長(cháng)3.1%;預測2012年為296億美元，增長(cháng)12%;2013年預測為336億美元，增長(cháng)14%。IHS iSuppli在6月預測，全球代工占芯片制造的產(chǎn)能比重由2005年占15.8%，提升到2015年的24.2%。