瑞薩開(kāi)發(fā)出低損耗碳化硅（SiC）功率器件
—— 有助于空調、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統提高電源效率
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(注1)碳化硅(SiC)：這種材料在熱導率、允許的工作溫度、輻射暴露及絕緣擊穿場(chǎng)強等特性上優(yōu)于硅，具有用于低損耗功率器件的巨大潛力。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/128665.htm(注2)反向恢復時(shí)間：當二極管在規定的正向電流已流過(guò)后從導通狀態(tài)轉換至關(guān)閉狀態(tài)，由于在結中積累了少量載流子，因而將存在反向電流。反向恢復時(shí)間表示在切換至關(guān)閉狀態(tài)后恢復到規定電流值所需的時(shí)間。
【附件】
RJS6005TDPP SiC SBD的產(chǎn)品規格
1. RJS6005TDPP的規格
- 反向峰值電壓(VRM)：600 V
- 平均整流電流(Io)：15 A
- 正向壓降(VF)：1.5 V
- 反向恢復時(shí)間(trr)：標準15 ns(ID = 10 A，VGSS = 10 V)
- 額定通道溫度(Tch)：+150 ℃
- 封裝：TO-220，全封
2. 參考圖：正向電壓的溫度依賴(lài)性
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